ZIP архив

Текст

О П И С А Н И Е 275123ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик.Ч 1 К Н 03 19/40Ъ ДК 621.5 д 4.3(088.8 Комитет по аелам зобретений и открытий при Совете Министров СССРнор итет 11.1970, Бюллетень хо пх бликован Дата опубликования описания 6.Х.197 Авторизобретения С. А. Бирюков Заявитель ЕРТОР 7 стрсдмет из 15 ежтоный и зцходцой касследовательцо ато 11 ийс 71 тем, ны цапряжеИцвертор, содержащпц дополнительный транзцсто кад, выполценньц ца дв соедццешгых транзисторах по, с целью пониженияпро ы и ух потли елич Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в вычислительных машинах, построенных на интегральных схемах,Известны инверторы, применяемые в вычислительных машинах, содержащие входной многоэмиттерный транзистор, промежуточный транзистор и выходной каскад, выполненный на двух последовательно соединенных транзисторах, причем для надежного запцранпя одного из цих в его эмиттерную цепь включен диод. Для надежной работы такого ццвертора в диапазоне температур от - 60 до +120"С необходимо напряжение питания 5 в.Предложенный инвертор отличается тем, что в нем с целью понижения велцчиш. напряжения питания между базой одного цз транзисторов выходного каскада и коллектором промежуточного транзистора включен резистор, а к точке соединения резистора ц базы выходного транзистора подключен коллектор дополнительного, эмиттср которого подключен к точке соедиценця эмиттера и коллектора выходных транзисторов, а база дополнительного транзистора через резистор подкгцочеца к базе промежуто кого транзистора.1-а чертеже приведена схема ццвертора.Инвертор содержит входной многоэмиттерный транзистор 1, промежуточный транзистор 2 и выходной каскад, состоящий из транзисторов 3 и 4. С целью надежного запцранця транзистора 3 прц подаче высокого потенциала на вход цнвертора между его базой и коллектором транзистора 2 введен резистор 5, к базе транзистора 3 подключен дополнительный транзистор 6, эмцттер которого присоединен к эмиттеру транзистора 3, а база через резистор 7 - к базе промежуточного транзистора 2.При подаче низкого потенциала ца вход цнвертора транзисторы 2, 4 ц 6 заперты, ц ца выходе инвертора высокци потенциал, Прц подаче высокого потенциала ца вход транзисторы 2, 4 и 6 Вкл 1 очецы п цась 111 ець 1, благодаря чему транзистор 3 заперт.Использование для надежцого зашрания транзистора 3 дополнительного транзистора 6 вместо диода, включенного в цепь эмцттера, позволясг применить в диапазоне температур - 60 - : +120 С напряжение шпаш 1 я 4 в, что прц сохранении потребляемой мощности повышает быстродействие, снижает суммарное сопротивление схемы ц повышает ее надежность.

Смотреть

Заявка

1289537

А. Бирюков

МПК / Метки

МПК: H03K 19/088

Метки: 275123

Опубликовано: 01.01.1970

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-275123-275123.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">275123</a>

Похожие патенты