Патенты с меткой «412683»

Номер патента: 412683

Опубликовано: 25.01.1974

МПК: H03K 19/088

Метки: 412683

...известного тем, что в него введен диод и ключевой транзистор по схеме с общим эмиттером, коллектор которого через резистор соединен с базой дополнительного транзистора, а база ключевого транзистора через диод, включенный в прямом направлении, подключена к коллектору дополнительного транзистора. Это позволяет повысить помехоустойчивость элемента.На чертеже представлена схема предложенного элемента.Он содержит входной многоэмиттерный транзистор 1, дополнительный транзистор 2 другого типа проводимости, инвертор 3, резистивный делитель 4, ключевой транзистор 5 и диод б,Если на входе низкий уровень напряжения, то транзисторы 2 и 5 и инвертор 3 закрыты. Открывание элемента однозначно определяется потенциалом средней точки резистпвного делителя...