Логический элемент «и—или—не» и «и-или»

260680 Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельства М 1 о 1262737118-2 Кл. 21 ат, 3 Заявлено 05, т 111. с присоединением заявки хеПриоритетОпубликовано 06.1.1970, Бюллетень М 03 Комитет по деламзаоретений и открытипри Совете МинистровСССР М681.325.65 (088.8 Да бликования описания 19 Х.1970 Авторизобретен. А, Гринкев явител И - ИЕ и ЛИ позволяет одновременно реализовать функции И - ИЛИ - НЕ и И - ИЛИ,Схема предложенного элемента приведена на чертеже. Схема состоит из рходного многоэмиттерного транзистора 1, база которого через резистор 2 подключена к шине питания 3, а коллектор - к базе усилительного транзистора 4, образующего совместно с коллекторным резистором 5 и эмиттерным резистором 6 парафазный усилительный каскад, К эмиттеру транзистора 4 подключена база инвертпрующего транзистора 7 усилительного каскада, выполненного по схеме с общим эмиттером. Коллектор транзистора 7 является выходом логической функции Р 1 ИЛИ - НЕ и подключен к выходу 8.Коллектор и эмиттер транзистора 4 выведены на внешние контакты 9 и 10 для подключения к ним соответствующих электродов аналогичных транзисторов для расширения логической функции ИЛИ на заданное количество входов, Коллектор транзистора . через инерционный диод 11 (с относительно большим накапливаемым зарядом) соединен с базой дополнительного выходного транзистора 12, включенного по схеме с общим эмиттером, коллектор которого соединен с выходом 13 функции И - ИЛИ.База транзисторапирания через рези ОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТПредложенный логический элемент относится к элементам вычислигельной техники и может быть использован в устройствах цифровой автоматики и вычислительной техники, вчастности в логических сетях электронных 5цифровых машин.Известны транзисторные логические схемы,содержащие входной многоэмиттерный транзистор и выходной транзистор, включенный посхеме с общим эмиттером, либо более сложные схемы, содержащие, кроме того, транзистор, выполняющий роль парафазного усилительного каскада, и один или два последовательно включенных эмиттерных повторителя.Однако известные схемы обладают рядом 15недостатков, основными пз которы.; являютсясильная зависимость задержки сигнала от числа входов ИЛИ при реализации логическойфункции И - ИЛИ - НЕ и отсутствие возможности совмещенной во времени и месте реализации логических функций И - ИЛИ - НЕи И - ИЛИ, что важно для построения логических сетей быстродействующих вычислительных машин,Предложенный логический элемент отличается тем, что коллектор усилительного транзистора через инерционный диод подключен кбазе дополнительного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, коллекторкоторого соединен с выходом элемента, Это 30 12 для его надежного застор 14 подключена к шп260680 Предмет изобретения Составитель Ю. Н. Колотовнбицкая Техред А. А. Камышникова Корректор Н. С, Сударенков Редак Подписноеинистров СССР каз 1116/12 Тираж ЬООНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при СоветМосква Ж, Раушская наб., д. 4/5 ипография, пр. Сапунова яе нулевого потенциала. Коллекторы транзисторов 7 и 12 могут быть подключены к шине питания 8 через резисторы 15 и 1 б.При низком уоовне входного сигнала, поданного хотя бы на один из эмиттеров транзистора 1, транзистор 4 и инвертирующий транзистор 7 заперты. При этом на выходе 8 устанавливается высокий уровень напряжения. На коллекторе транзистора 4 устанавливается уровень напряжения, равный сумме падения напряжений на переходе база - эмиттер транзистора 12 и диода 11, от тока, заданного резистором б. На коллекторе открытого и насыщенного транзистора 2, а следовательно, и на выходе 18 устанавливается низкий уровень напряжения.Если на всех входах схемы скачком устанавливается высокий уровень напряжения, то транзистор 4 начинает открываться, При этом напряжение на его коллекторе повышается под действием тока, протекающего от коллектора к эмиттеру. Коллекторный ток транзистора 4 слагается из двух составляющих: тока, протекающего от шины питания 3 через резистор о, и тока рассасывания накопленных зарядов в ичерционном диоде 11 и транзисторе 12.Вторая составляющая тока, представляющая собой обратный базовый ток насыщенного транзистора 12, оказывается больше первой,что обуславливает быстрое включение транзистора 7 и выключение транзистора 12,После завершения процесса включениятранзистора 7 и выключения транзистора 12на коллекторе транзистора 4 устанавливаетсяуровень напряжения, равный сумме падениянапрягкения на промежутке коллектор - эмиттер насыщенного транзистора 4 и переходабаза - эмиттер транзнстсра 7,10 Таким образом, перепад напрягкения на коллекторе транзистора 4 для кремниевых планарных транзисторов и интегральных схем составляет величину около 0,4 в, что приблизительно в 10 раз меньше аналогичного перепада15 напряжения известных схем. Логический элемент И - ИЛИ - НЕ и 20 И - ИЛИ, содержащий входной многоэмиттерный транзистор, усилительный транзистор с парафазным выходом, эмитчер которого соединен с базой инвертирующегс транзистора, отличающийся тем, что, с целью одновремен ной реализации функций И - ИЛИ - НЕ иИ в И, коллектор усилительного транзистора через инерционный диод подключен к базе дополнительного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттерсм, коллектор ЗО которого соединен с выходом элемента.