Логический элемент «и—или-не»

.ДИ 171,0.,:,г.онбл,)Оън Ъ ,:. О П И С А Н И Е З 50176ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических РеспубликК АВТОРСЕОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельстваМ. Кл. Н 031 с 19108 Заявлено 17.1 .1971 ( 1632850/26-9)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 04.1 Х.1972. Бюллетень26Дата опубликования описания 16.Х.1972 Комитет по делам изойретений и открытий ори Совете Министров СССРаявител Й ЭЛЕМЕНТ И - ИЛИ - НЕ ЛОГИЧ Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может бытьиспользовано при разработках интегральныхлогических схем,Известны логические элементы И - ИЛИ -НЕ, содержащие входные транзисторы, управляемые,по эмиттеру и базе, выходной транзистор и резисторы.Недостатком известных логических элементов является наличие многоэмиттерного трапзистора и большого количества резисторов,что приводит к увеличению габаритов, снижению надежности и быстродействия лопгческого элемента.С целью повышения надежности и быстродействия логического элемента, а также уменьшения его габаритов в аредлагаемом устройстве базы входных транзисторов соединены ссигнальными шинами через диоды смещенияуровня, а коллекторы входных трацзцстороц 20соединены с базой выходного транзистора.Кроме того, параллельно каждому диоду смещения уровня включен дополнительный диодв обратном направлении.На чертеже дана принципиальная схема 25предлагаемого логического элемента И -ИЛИ - НЕ,Логический элемент содержит входные транзисторы 1 и 2, управляемые по эмиттеру и базе, выходной транзистор 3, диоды 4, 5 смеще ция уровця, дополнительные диоды 6 и 7 и резисторы 8 и 9. Базы входных транзисторов 1 и 2 соединены с сигнальными шпцамц через диоды 4 и 5 смещения уровня, а коллекторы входных транзисторов соединены с базой выходного транзистора 3. Параллельно диодам 4 и 5 смещения уровня включены дополнительные диоды 6 и 7 соответственно в обратном направлении.Работа логического элемента, выполняющего функцию И - ИЛИ - НЕ Г=аб+сг 1, когда 1 высокому уровню, происходит следу 10- щпм образом.Прп отпирании входного транзистора 1, когда а=1, Ь 0, уровень открытого транзистора 1 недостаточен для отпирания выходного транзистора 3, поэтому ца выходе логического элемента появляется высокий уровень - 1. Уровни оа входах с и д це окажут влцянпя ца уровень выхода логического элемента. Аналогично прп с=О ц д=О открывается транзистор 2, ц ца выходе логического элемента возникает высокий уровень - 1.При всех друп 1 х сочетаниях логических уровней на входах а, Ь, с, д транзистор 3 открыт, и ца выходе логического элемента возсцикает низкий уровень 0, Диоды 4 и 5 смещения уровня обеспечивают фиксированное значение 1 - высокого урозня прц работе на нагрузку в виде ацалопчцого логического эле350176 Составитель Г. Чел Техред 3. Тараиеик Корректоры: В. Петроваи М. Коробова Морозова едакт Заказ 3047/10 Изд.1284 Тираж 406 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушскан наб., д. 4/5 и ног р а фи н, п р. Сапунова, 2 мента, В зависимости от числа выключенных диодов смещения уровня уровень 1 может выбираться в широких пределах, что обеопечивает согласование логического элемента с различными интегральными схемами. К точке д можно подключить дополнительные схемы И, что увеличит число входов логического элемента по ИЛИ,Логический элемент может выполнять более сложную логическую функцию Р,=аб+Нс+ай, если резистор 8, определяющий режим работы выходного транзистора 8, подключается к общей шине, а не к источнику питания.При запирании транзистора 1 по входу а (а=О) заряд его базы медленно рассасывается через обратный переход диода 4 смещения уровня, что снижает быстродействие логического элемента. Для исключения этого недостатка параллельно каждому диоду смещения уровня в обратном направлении включается дополнительный диод, тогда рассасывание заряда базы происходит через прямой переход дополнительного диода,5 Предмет изобретения 1. Логический элемент И - ИЛИ - НЕ, содержащий входные транзисторы, управляемыепо эмиттеру и базе, и выходной транзистор,10 отличающийся тем, что, с целью повышениянадежности, в нем базы входных транзисторовсоединены с сигнальными шинами через диоды смещения уровня, а коллекторы входныхтранзисторов соединены с базой выходного15 транзистора,2. Логический элемент по п. 1, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, параллелыно каждому диоду смещенияуровня включен дополнительный диод в об 20 ратном направлении.