Формирователь импульсов

2 ПИСЗОБРЕ оюз Советских ниалистически Республи ТЕЛЬСТВ вид-ву900756/26-2 нием заяв соед(23) Приоритет Государственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретений 53) УДК 621.374(72)(71) Заявите 4) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСО заряда и через резистор - к общей шине, коллектор второго р-гг-р-транзистора подключен к коллектору второго гг-р-гг-транзистора, к катоду второго диода с накоплением заряда и через резистор - к общей шине, катод первого диода с накоплением заряда непосредственно связан с анодом второго диода с накоплением заряда, с выходом формирователя и через резистор - с общей шиной, базы первого и второго р-гг-р-транзисторов через резисторы подключены к положительному полюсу источника питания и присоединены к источнику парафазных сигналов, базы первого и второго гг-р-гг-транзисторов через резисторы подключены к отрицательному полюсу источника питания и присоединены к источнику парафазных входных сигналов,На чертеже приведена принципиальная электрическая схема формирователя импульсов.Формирователь импульсов содержит р-гг-ртранзисторы 1 и 2, п-р-и-транзисторы 3 и 4, диоды 5 и 6 с накоплением заряда, резисторы 7 - 19, конденсаторы 20 - 23, входные клеммы 24 и 25, выходную клемму 26, положительную и отрицательную клеммы 27 и 28 питания соответственно, причем эмиттеры транзисторов 1, 2 и 3, 4 соединены между собой попарно и подключены соответственно через резисторы 15 и 16 к клеммам 27 и 28,К АВТОРСКОМУ СВ(61) Дополнительное к а (22) Заявлено 28.03.73 (2 1Изобретение относится к импульсной технике и может использоваться в устройствах наносекундного и пикосекундного диапазонов.Известен формирователь импульсов, содержащий источник питания, источник парофазных сигналов, резисторы, по крайней мере первый и второй и-р-гг-транзисторы и первый и второй диоды с накоплением заряда.Однако известный формирователь имеет ограниченное быстродействие, так как его транзисторы могут заходить в области насыщения и отсечки, а также известный формирователь может использоваться в ограниченном диапазоне температур, так как в нем отсутствуют термостабилизация рабочей точки транзисторов.Целью изобретения является повышение быстродействия и температурной стабильности формирователя.Для этого в него дополнительно введены первый и второй р-п-р-транзисторы, причем эмиттеры первого и второго р-гг-р-транзисторов объединены и через резистор подключены к положительному полюсу источника питания, эмиттеры первого и второго гг-р-гг-транзисторов объединены и через резистор подключены к отрицательному полюсу источника питания, коллектор первого р-а-р-транзистора подключен к коллектору первого гг-р-и-транзистора, к аноду первого диода с накоплением 5 10 15 20 25 30базы транзисторов 1 и 2 подключены соответственно через резисторы 7 и 11 к клемме 27, а через соединенные параллельно резистор 8 с конденсатором 20 и резистор 12 с конденсатором 22 - соответственно с клеммами 24 и 25, соединенные друг с другом коллекторы транзисторов 1 и 3 и транзисторов 2 и 4 подключены к общей шине соответственно через резисторы 17 и 18 и соответственно к аноду диода 5 и катоду диода 6, общая точка соединенных последовательно диодов 5 и 6 подключена к клемме 26 и через резистор 19 - к общей шине, базы транзисторов 3 и 4 подключены соответственно через резисторы 10 и 14 к клемме 28, а через соединенные параллельно резистор 9 с конденсатором 21 и резистор 13 с конденсатором 23 - соответственно с клеммами 24 и 25.Формирователь работает следующим образом.В исходном состоянии транзисторы 1 - 4 работают в активном режиме, задаваемом базовыми делителями на резисторах 7 - 10 и 11 14 так, что на их коллекторах устанавливаются близкие к нулю потенциалы, а ток через диоды 5 и 6 отсутствует.При поступлении на клеммы 24 и 25 соответственно отрицательного и положительного импульсов с источника парафазных входных сигналов коллекторные токи транзисторов 1 и 4 возрастают, а коллекторные токи транзисторов 2 и 3 уменьшаются. При этом потенциал коллекторов транзисторов 1 и 3 возрастает, а транзисторов 2 и 4 понижается. "1 ерез диоды 5 и 6 начинают течь прямые токи, при равенстве которых потенциал выходной клеммы 26 практически не изменяется.При смене полярности входных сигналов потенциал коллекторов транзисторов 2 и 4 повышается, а транзисторов 1 и 3 - понижается. Ток через диоды 5 и 6 меняет свое направление, вызывая рассасывание избыточного заряда в их р-г-переходах. При этом потенциал клеммы 26 меняется незначительно. Сопротивления резисторов 15 и 16 подбираются так, что избыточный заряд в р-лпереходе диода 5 рассасывается быстрее, чем в р-п-переходе диода 6, в результате чего на резисторе 19 возникает положительный перепад напряжения. В момент восстановления обратного сопротивления диода 6 близкий к нулю потенциал на резисторе 19 восстанавливается и на выходной клемме 26 формируется задний фронт положительного импульса. 20 2 ЗО 35 40 45 50 Длительность и полярность выходных импульсов зависят от соотношения времен рассасывания избыточных зарядов в р-и-переходах диодов 5 и 6, а их фронты определяются временами восстановления обратных сопротивлений упомянутых диодов и составляют доли наносекунды,Быстродействие формирователя обеспечивается благодаря поддержанию активного токового режима транзисторов 1 - 4 без введения их в режим насыщения.Температурная стабильность формирователя обуславливается включением транзисторов 1, 2 и 3, 4 по схеме дифференциального усилителя с температурной автобалансировкой. Предмет изобретения Формирователь импульсов, содержащий источник питания, источник парафазных входных сигналов, резисторы, по крайней мере первый и второй а-р-и-транзисторы и первый и второй диоды с накоплением заряда, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения быстродействия и температурной стабильности, в него дополнительно введены первый и второй р-п-р-транзисторы, причем эмиттеры первого и второго Р-п-р-транзисторов объединены и через резистор подключены к положительному полюсу источника питания, эмиттеры первого и второго и-р-п-транзисторов объединены и через резистор подключены к отрицательному полюсу источника питания, коллектор первого р-п-р-транзистора подключен к коллектору первого ц-р-п-транзистора, к аноду первого диода с накоплением заряда и через резистор - к общей шине, коллектор второго р-и-р-транзистора подключен к коллектору второго п-р-п-транзистора, к катоду второго диода с накоплением заряда и через резистор -- к общей шине, катод первого диода с накоплением заряда непосредственно связан с анодом второго диода с накоплением заряда, с выходом формирователя и через резистор - с общей шиной, базы первого и второго р-п-р-транзисторов через резисторы подключены к положительному полюсу источника питания и присоединены к источнику парафазных сигналов, базы первого и второго п-р-и-транзисторов через резисторы подключены к отрицательному полюсу источника питания и присоединены к источнику парафазных входных сигналов.Редак ор В. Булдаков Типография, пр. Сапунова, 2 Заказ 147/18 Изд.2015 Тираж 902Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5