Логический элемент

О П И С А Н И Е 356790ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 03,7.1971 ( 1654657/26-9) М. Кл, Н 031 с 19/О оедипением заявки1654656/2 Комитет по деламобретений и открытий риоритет.374(088.8 Опубликовано 23,Х.1972. Ьюллетень3 Лата опубликования описания 15.Х 11.197 при Совете Министре СССРАвторизобретен В,С. На Заявител ъединенный институт ядерных исследований ОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕ Изобретение относится к области вычислительной техники и ядерной электроники и предназначено для применения в технике физического эксперимента,Известен логический элемент, содержащий два инвертирующих транзистор а, соединенных базами с туннельными диодами памяти, и переключающий туннельный диод. Такой элемент выполняет лишь одну функцию.Целью изобретения является расширение функциональных возможностей логического элемента. Это достигается тем, что в нем базы первого и второго инвертирующих транзисторов соединены соответственно с первым и через элемент задержки со вторым выходами одного из источников входных импульсов, а эмиттеры инвертирующих транзисторов через резисторы подключены к выходу другого источника входных импульсов и к переключающему туннельному диоду.На чертеже представлена схема логического элемента.Элемент содержит два инвертирующнх транзистора 1 и 2 и три тунпельных диода 3, 4 и 5. С помощью резисторов б и 7, 8 и 9, 10 и 11 устанавливаются необходимые потенциалы на туннельных диодах. Последовательно с резистором 10 включена катушка 12 индуктивности для изменения нагрузки диода 5 в процессе работы элемента в импульсном режиме, Диодзисторов 1 и 2ветственно.При работе с входными импульсами отри цательной полярности необходимы транзисторы типа и - р - и и один источник питания с заземленным минусом. Рабочая точка диода 5 в статическом режиме находится в области отрицательной проводимости вольт-амперной 10 характеристики, а диодов 3 и 4 - в началедиффузионной ветви; транзисторы нормально закрыты, Величина токов, протекающих через резисторы б, 8 и 11, в 1,5 - 2 раза превышает значение пикового тока туннельных диодов.15 Сопротивление резистора 10 меньше модуляотрицательного сопротивления туннельного диода, Величина индуктивности катушки 12 в несколько раз больше собственной индуктивности диода 5.20 При поступлении импульса только от генератора 15 потенциал на диоде 5 сначала растет и, достигнув значения, соответствующего напряжению впадины вольт-амперной характеристики диода, скачком падает до нуля, 25 Транзисторы 1 и 2 открываются. Посколькусопротивление катушки 12 для высокой частоты велико, то суммарный эмиттерный ток транзисторов 1 и 2 протекает, в основном, через диод 5. Амплитуда тока через диод 5 ЗО может достигать нескольких десятков милли 356790ампер, что значительно превышает пиковый ток диода. В результате происходит быстрое возвращение диода 5 в исходное состояние и транзисторы закрываются. С коллекторов транзисторов снимаются импульсы, длительность которых определяется, в основном, величиной емкости диода 5 и скоростью нарастания эмиттерного тока.При одновременном поступлении импульса от генератора 15 и задержанного с помощью линии 1 б задержки импульса от генератора 17 потенциалы на диодах 4 и 5 падают до нуля, при этом транзистор 2 остается закрытым, а транзистор 1 открывается, В этом случае через диод 5 протекает в два раза меньший ток. Путем выбора оптимальной величины сопротивления резистора 13, ограничивающего ток транзистора 1, можно добиться замедления процесса восстановления диода 5. С коллектора транзистора 1 снимается выходной импульс, соответствующий случаю задержанных совпадений, длительность которого в несколько раз превышает длительность выходного импульса. Последний получается в случае отсутствия совпадения,Если одновременно на элемент поступают импульс от генератора 15 и незадержанный импульс от генератора 17, то после срабатывания диодов 3 и 5 открывается транзистор 2, а транзистор 1 остается закрытым. Эмиттерный ток в этом случае протекает тожечерез диод 5, выходной импульс снимается сколлектора транзистора 2. Для окончательного выделения выходных импульсов, соответ 5 ствующих случаю совпадения, следует использовать временные дискриминаторы.При одновременном поступлении импульсов на все три входа транзисторы остаютсязакрытыми (происходит автоматическое вы 10 читание фона из эффекта).При одновременном поступлении импульсов только от генератора 17 транзисторыостаются закрытыми и выходные импульсыотсутствуют,15Пр едмет из о беретеи ияЛогический элемент, содержащий два инвертирующих транзистора, соединенных базами с туннельными диодами памяти, переклю 20 чающий туннельный диод, отличающийсятем, что, с целью расширения функциональных возможностей, в нем базы первого и второго инвертирующих транзисторов соединенысоответственно с первым и через элемент за 25 держки со вторым выходами одного из источников входных импульсов, а эмиттеры инвертирующих транзисторов через резисторы подключены к выходу другого источника входных импульсов и к переключающему туннель 30 ному диоду,356790 Составител ин Борисов Редактор Т. Юрчикова Техред Е. а Корректоры: В. Петрова и Е. Давыдкинапография, пр, Сапунова,Заказ 3952/15 Изд, Ма 1591 Тираж 406ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при СМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Подписное те Министров СССР