413532
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 413532
Текст
,-юз зяла Ь 4 353 И Е ИЯ О ПИЗОБК АВТОРАДИО Союз Соеюсеа Социалистицескми Республик ВИДЕТЕЛЬ ШВУ Зависимое от авт. свидетельства Заявлено 23.Ч 1.1972 ( 1800523/2 М. Кл 1 с 702 ием заявки Ъ исоедин уднрственнын 1 комитетвета Министров СССао делам ивооретенийи открытий Приор ит К 621.396,692 (088.8 М 4 301974, Бюллетен вания описания 4 Л публикован Дата опубл.197. Авторыизобретения С, Валеев и В. Б. Квасков Заявител ЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИА летучести, а также в связи с тем, что температур спекания происходит полим превращение из моноклинной в куби структуру, сопровождающееся значит объемным эффектом.Введение небольших количеств ЧзОз ляет получить хорошо спеченньш мате высоким положительным ТКС, величин рого можно регулировать режимом о Электронномикроскопические исслед показали, что появляющаяся с введени тиокиси ванадия вторая фаза имеет цию заполнять межзеренные промежу поры в структуре В 10 з, способствуя полному спеканию.Структурные исследования показали что положительньш ТКС в материалах ЧОз не связан в отличие от ВаТ 10 з с либо кристаллогр афическим переходом. вблизи орфное ческую ельным позвориал с у котобжига. ования ем пя- тендентки иболее также, В 20 з - (акпмПример 1. Пношении 98 мол.подвергают мокротаблетки диаметрПосле обжига прполученные образ1 мм. На поверхноды из серебрянойПолученные образросопротивление Изобретение относится к области использования керамических полупроводниковых материалов для изготовления терморезистивных элементов с положительным температурным коэффициентом сопротивления (ТКС) - по зисторов.Известны позисторы, изготовленные на основе полупроводникового титана бария с добавками различных редкоземельных элеменгов, применяемые в схемах температурного кон троля, в роли ограничителей тока, для стабилизации характеристик транзисторов и для других целей. Они имеют низкие значения удельного сопротивления (при комнатной температуре о (104 ом см), высокие температу ры синтеза и обжига (соответственно 1100 - 1200 С и 1350 - 1400 С) и сложную технологию.Цель изобретения - разработка материала с положительным ТКС, высоким удельным со противлением и низкой температурой обжига.Цель изобретения достигается использованием легкоплавких окислов В 1,0, (1;,=- 817 С) и ЧзОз (1 = 685 С) с противоположным типом проводимости. 25Окись висмута обладает большим удельным объемным сопротивлением (при комнатной температуре о = 10" ом см) и примерно нулевым ТКС в интервале 25 - 85 С, В 120 з трудно поддается спеканию вследствие большой 30 орошки В 120 з н Ъ зОз в соот % В 1 зОз и 2 мол. % Ч 20 з му смешению и прессуют в ом 30 мм и высотой 4 мм. и 780 С в течение 1,5 час цы шлифуют до толщины сти дисков наносят электро- пасты и вжигают при 600 С. цы имеют объемное элект- Я 4,4 10 ом см прн 20 С,Редактор Е. Караулова Корректор В, Жолудева Заказ 1253/13 Изд.1217 Тираж 760 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 33,2 10 а ом см при 85 С и ТКС в интервале 20 - 85 С + 10%/град.Пример, 2. Образцы состава 95 мол. % В 1 гОз + 5 мол. % Чз 05, проготовленные так же, как и в примере 1, имеют Р 4,3 10 ом см при 18 С, 3 10 ом см при 24 С, 1,05101 О ом см при 93 С и ТКС в интервале 24 - 93 С + 7%/град.П р и м е р 3. Образцы состава 95 мол. % В 40 а + 5 мол. /о Ч 205 обжигают при 740 С в течение 1 час с последующим подъемом температуры до 780 С и дополнительным обжигом в течение 1 час, Полученные образцы имеют Я 4,5 10 ом см при 20 С, 3,2 10" ом см при 25 С 5,7 10" ом см при 102 С и ТКС в интервале 25 - 102 С + 22%/град,Предмет изобретения Резистивный материал преимущественно для изготовления позисторов, содержащий окислы металлов, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,с целью получения высокого удельного объем 10 ного сопротивления, снижения температуры обжига и упрощения технологии, он содержит 95 - 98 мол. % окиси висмута и 2 - 5 мол. % пятиокиси ванадия,
СмотретьЗаявка
1800523, 23.06.1972
МПК / Метки
МПК: H01C 7/02
Метки: 413532
Опубликовано: 30.01.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-413532-413532.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">413532</a>
Резистивный материал
Номер патента: 890443
Опубликовано: 15.12.1981
Авторы: Кононюк, Махнач, Сурмач
МПК: H01B 1/08
Метки: материал, резистивный
...материала приведены значе ния объемных удельных сопротивленийР при 20, 150, 500, 800 С и значенияТКС в интервалах температур 20-150 Си 500-800 С,статочно хорошо спеченных образцов С необходимы высокие температуры,при 45которых однако происходит частичноеразложение 1.ай 1 С Последующий обжиг в кислороде восстанавливает токопроводящую Фазу.Реэистинные пленки указанных сос- И тавов наносятся на подложки из ФарФоровых или глиноэемистых трубок путемсмачивания раствором солей лантанаи никеля, предпочтительно азотнокислых или уксуснокислых,с послед дующим обжигом на воздухе или втоке кислорода при 800-1000 С во,течение от 5-10 мин до 5-8 ч. Внисимости от толщины и состава ш890443 близкие к составу 2 см. таблицу),имеют малый ТКС в...
Керамический материал для электронагревателей
Номер патента: 597658
Опубликовано: 15.03.1978
Авторы: Баскакова, Горячева, Грибенюк, Кривошей
МПК: C04B 35/01, H05B 3/10
Метки: керамический, материал, электронагревателей
...приведены свойства эбразцовпредлагаемых составов ( 1-4) по сравнениюс известным (5). Измерения выполнялись на постоянномтоке по 4-зэндэвому методу при температурах 20, 100, 200, 300, 400, 500 С на лабораторной установке П 198, Размер образцов 25 х 10 мм, В таблице приведены средние данные по 12 образцам для кеж лого составе. Снижение степени нелинейности позволяет более точно задать температурный режим разрабатываемых нагревательных уз лов и тем самым увеличить ресурс их работы,Следует отметить, что уплотняемость ЗОпредлагаемого материала лучше чем прогтотипе при фэрмовании эб 1 азцэв из пэслгднего. Наблюдались случаи прилипаниячастиц к форме, что вызывалэ местноеотслаивание частиц и появление "ямок" наповерхности,35 С...
Способ получения ионитовых мембран
Номер патента: 633875
Опубликовано: 25.11.1978
Авторы: Имангазиева, Любман, Романова, Серикбаева, Шостак
МПК: C08J 5/22
...между пол рованными металлическими листами при температуре 127-130 С и удельном даволенни 60-65 кг/см с образованием пленки толщиной 0,25 мм. Пленку нарезают на листы нужных размеров,Листы пленки помещают в эмалированный реактор, снабженный водянойрубашкой, заливают 5-кратным количеством (по весу) 1-ного раствора сульфата серебра в концентрированной(95-ной) серной кислоте и выдерживают в этом растворе 10 ч при комнатной температуре. Затем температуруповышают до 92 оС и сульфируют пленкув течение 6 ч. Далее температуру 1 чпонижают до 30 С, кислоту сливают, иомембраны выдерживают последовательнов 70, 40 и 20-ной серной кислоте,после чего промывают дистиллированнойводой до нейтральной реакции, переводят в солевую форму обработкой 5-ным...
Симметричный тиристор с током управления любой полярности
Номер патента: 238016
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Василенко, Думаневич, Евсеев, Тучкевич, Челноков
МПК: H01L 29/747
Метки: полярности, симметричный, тиристор, током
...пятислойной структуры позволяет получить симметричную относительно начала координат переключающую управляемую вольт-амперную характеристику с током управления при гиобой полярности источника в цепи управления сравнимой величины.У этой пятислойной структуры типа гг - р - гг - р - гг к верхнему 14 и нижнему 15 элект.родам выведены области р-типа, называемые в дальнейшем шунтами, Проекции шунтов на верхнюю или нижнюю плоскость основания пластины пересекаются только в области управляющего электрода и имеют общий отрезок прямой в остальной части, что позволяет рационально использовать пластины с целью получения приборов на большие токи,Особенность данной конструкции состоит в том, что на нихкней плоскости пластинки шунтировка выполнена...
Способ получения мочевиноформальдегидных
Номер патента: 384843
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: C08G 12/12
Метки: мочевиноформальдегидных
...Катализаторкарбокси чьный КБбез катализатора когяплексообразующего типа цинковая сольполиакриловойкислоты Свойства 120 в 1 180 в 1 200 в 3 Мол. вес Содержание свободного формальдегида, % 5 - 6 О,1 - 1,0 2,9 Аминопласт Отщепление формальдегида в кипящей воде, мг/дм в уксусной вытяжке, мг/л 35 - 40 15 - 20 11 - 123,0 - 3,5 12 - 134,2 - 4,8 220 в 2 300 310 Температура деструкции, С Теръ остабильность, %, при100 С200 С300 С 2,5 965 2,5 7,5 62 4 12,5 71,5Подписное Заказ 646 Тип. Харьк. фил. пред, Патент 204 мл формалина нагревают до 40 С, нейтрализуют 1,н. раствором 1 чаОН до РН 7 - 8, загружают 100 г (80% от всей загрузки) мочевины и 10 - 80 мл 5%-ного раствора цинковой соли полиакриловой кислоты, проводят конденсацию в...