G11C 11/42 — с использованием оптоэлектронных приборов, т.е. светоизлучающих и фотоэлектрических устройств, связанных оптически или электрически

Номер патента: 372855

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Иностранец

МПК: G11C 11/42

Метки: всесоюзная

...света.При разрушени 1 и облучением люминофорК 1/Т 1 требует нагрева до температуры, превышающей несколько сот градусов по Цельсию, если это,разрушение должно быть отожжено за время, меньшее, чем,несколько секунд. Таким образом, уменьшение светового выходного импульса во много раз для данного считывающего импульса, которое мы назовем записью с 1 на 0 (1 - эО), может быть выполнено импульсным лучом электронов с такими энергией и мощностью на импульс, чтобы не повышать температуру подвергнутого влиянию луча объема люминофора за область нескольких сот градусов по Цельсию, тем самым создавая оптимальное радиационное разрушение и минимальный отжиг. Можно показать, например, что доза 1 в 500 джоулей/слз может быть сообщена люминофору К...

Номер патента: 410460

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: G11C 11/42

Метки: 410460

...освещают импульсом света, регистрируя при этом емкость элемента путем подключения его в резонансный контур. После освещения емкость элемента увеличивается в несколько раз и в таком состоянии может находиться длительное время. Для восстановления исходного состояния (до освещения) к элементу прикладывают импульс напряжения 1 - 2 в на освещаемом электроде. Таформации,Информация стирается и при отогреванииэлемента до комнатной температуры.5 Таким образом, предлагаемый способ позволяет записывать оптическую информацию,не разрушающуюся при считывании, и нетребует электрического питания при ее записи, что повышает надежность записи и хра 10 пения.В основу предлагаемого способа запоминания оптической информации положено следующее физическое...

Номер патента: 427384

Опубликовано: 05.05.1974

Авторы: Вин, Йагли

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающее, трубке, электроннолучевой

...энергии Йу из области поглощения электронных центров устройство излу чает считываемый сигнал в виде узконаправленного,когервнтного света энергии /ту 2. Время затухания этого сигнала определяется интенсивностью считывающего света и атеньшс длительности спонтанного излучения. Для 20 уменьшения интенсивности считывающегосвета в качестве запоминающих центров люминофорного слоя выораны электронно-дырочные пары, электронный центр которых обладает большим коэффициентом поглощения и 25 большой вероятностью нонизации, а дырочный центр характеризуется свойством превращения в центр люминесценции с большим стоксовым сдвигом при захвате им электрона.В результате, предполагаемое устройство З 0 позволяет получить ответный сигнал от запи427384 Предмет...

Номер патента: 428452

Опубликовано: 15.05.1974

Автор: Левин

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающее, многоканальное, фотоэлектронное

...полупроводящей пластиной, имеющей анизотропную проводимость и покрытую с обеих сторон мозаичными проводящими пленками, причем со сго экрана ца пленку н ф 1 ет тод.На чертеже схематически изображено пред лагаемое устройство и приняты следующиеобозначения: С, и Сз - соответственно входной и выходной световые сигналы; 1 - световод; 2 - торцовое стекло прибора; 3 - фото- катод; 4 - трубочный канал; 5 - кольцо из 10 полупроводящего материала; 6 - сеточныйанод; 7 - последний динод; 8 - полупроводящая пластина; 9 - проводящий элемент (проволочка), соединяющий элемент динода; 10 - мозаичный фотокатод; 11 - управляющая 15 сетка; 12 - трубочный канал (умножитель);13 - кольцо из полупроводящего материала;14 - люминесцентный экран,Полезный...

Номер патента: 438044

Опубликовано: 30.07.1974

Авторы: Гусев, Шилов

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающий, коммутируемой, матрицы, фотодиодов, элемент

...диода при опросе матрицы,Схема предлагаемого элемента приведенана чертеже.и Элемент состоит из встречно включенныхкоммутиру 1 ощего д 1 Ода 1 и фотоднода 2, анод которого подключен через ши 5 у опроса 3 к формирователю импульсов опроса 4, общему для всех элементов одного столбца матрицы.15 Анод коммутирующего диода 1 через пикнусчитывания 5 подключен к усилителю 6 с пороговым устройством 7, общим для элемсгсов одной строки матрицы. К точке соедипс 1 гпя коммутирующего диода 1 и фотодиода 2 подключен анод дополнительного диода 8, катод которого соединен через шину смещения 9 с источником импульсов смещения 10 и через резисто 1 с источником запира 101 цсго 11 апр 55 ке- ния438044 Предмет изобретения Составитель Р. Яворовская Техред Г....

Номер патента: 445076

Опубликовано: 30.09.1974

Автор: Меликьян

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающего, оптоэлектронного, составитель, страницы, устройства

...включены между затворами и истоками 1 о полевых транзисторов и управляют последними, Запоминающие емкости заряжаются при подаче управляющих уровней напряжения на строки и столбцы матрицы, Низкий уровень 15 напряжения О нз является разрешающим для строки и неразрешающим для столбца,а высокиИ уровень напря жения О - разрешающим для столбца и нерйрешающим для строки. Когда выбрана данная строка (на нее подан низкий уровень напряжения), та запоминающая емкость, которая получает высокий уровень от столбца, т.е. выбрана также 25 по столбцу, заряжается до этого высокого уровня. Для полувыбранных емкостей нет разности потенциалов и они не заряжаются. Поэтому при определенном уровне строки зоО ыс при обращениях к странице) заряженные емкости...

Номер патента: 446112

Опубликовано: 05.10.1974

Авторы: Цыбрин, Шелудько

МПК: G11C 11/42

Метки: бистабильная, оптоэлектронная, ячейка

...Лт - сопРотивление закРытого диода сотрицательным сопротивлением 3.Основная часть напряжения источника питания приложена к фотоприемнику 1. Напряжение включения диода 3 (Увкл) удовлетво 10 РЯЕт УСЛОВИЮ /вкл ) ГГзаж, ГДЕ визаж - Напряжение зажигания источника света. Поэтому диод 3 выключен.Для переключения устройства во второеустойчивое состояние включено фотоприем 15 ник 1 освещается внешним импульсом света.При этом его сопротивление уменьшается, чтовызывает перераспределение напряжения наэлементах схемы (уменьшение на фотоприемнике,1 и увеличение на источник света 2 и20 диоде с отрицательным сопротивлением 3),При достижении напряжения на источникесвета 2 уровня зажигания включается поло.жительная обратная оптическая связь Вкоторая...

Номер патента: 446113

Опубликовано: 05.10.1974

Авторы: Лютынский, Цыбрин

МПК: G11C 11/42

Метки: оптоэлектронный, триггер

...в состояние "включено" превышает падение напряжения на нвм, позтому источник света Ф погашен,фотоприемник 3 Остается в твмновом режиме и нв шуытирует источник светаПерввод триггера в исходное состояние "выключено, осуществляется путем повторного облучения фотопри 61134емника 1 внвшним импульсом света, создающим на нем более исокий уровень освещенности. Величина сопротивления фотоприемника 1 при атон 5 уменьшается, что приводит соответст.ввнно к увеличению напряжения на ИСТОЧНИКЕ СВВта 4 До ЗНаЧЕНИЯРЖаммуИсточник света 4 начинает 1 о светиться, облучая при этом фотопривмник 3. йри облучении,сопротивление фотоприемника 3:резквоуменьшается и шунтирует источниксвета 2.Источник свете 2 гаснет, положительная 15 оптическая обратная связь...

Номер патента: 459802

Опубликовано: 05.02.1975

Авторы: Лаврищев, Полторацкий, Поспелов, Трутнев

МПК: G11C 11/34, G11C 11/42

Метки: запоминающий, элемент

...Если к структуре, представленной на чертеже, приложить переменное напряжение, то оно распределится обратно пропорционально емкостям участков слоев 3 и 2. В тех местах, где емкость слоя 2 больше (информация записана), напряжение на слое электролюминофора больше и может наблюдаться электролюминесцепция,Таким образом, вся записанная информ ция одновременно воспроизводится в виде св товой картины.Для нормального функцион элемента необходимо, чтобы емк в с записанной информацией отл 5 - 10 раз от емкости соседних у записи. При этом необходимо, сти слоев 2 и 3 были одного пор ий контраст изображения обеспе агодаря большой крутизне вольт-яркостных характеристик электролюминофоров - Уф, где а изменяется от 3 до 30 для разных материалов.,Эти...

Номер патента: 464016

Опубликовано: 15.03.1975

Авторы: Гайдук, Гейгерова, Золин, Морозов, Олейников, Сошин

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающая, среда

...электронов к активатору, Этот процесс сопровождается появлением люминесценции активаторов. Гасударственный комитетПриорите В качестве запоминающего элемента в устройстве может быть использован один из оксисульфидных люминофоров с редкими землями. Записываемая информация в виде промо 5 дулированного по амплитуде и направлению спомощью модулятора и дефлектора излучения белого или ультрафиолетового света поступает на запоминающую среду, а запасенная люминофором светосумма представляет записан ную информацию.Считывающее устройство представляет собой оптический квантовый генератор (ОКГ) с дефлектором для переключения элементов памяти и фоторегистрирующее устройство, Ис 15 пользуемый мощный ОКГ работает в непрерывном режиме и осуществляет...

Номер патента: 468303

Опубликовано: 25.04.1975

Авторы: Архипов, Соловьев

МПК: G11C 11/42

Метки: считывающее

...3 соединены вместе и подключены к минусу источника питания. Коллектортранзистора 2 соединен с эмиттером трапзистора 3 и обшей точкой подключены к нагрузочному резистору 4.Второй вывод резистора подключен к полюсу источника питания.Устройство работает следующим образом,Малое сопротивление перехода эмиттер-,база и большое сопротивление коллекторного перехода транзистора 2, с одной стороны, большое сопротивление коллекторногоперехода и малое сопротивление эмиттер-,база транзистора 3, с другой стороны,образуют два делителя напряжения, благодаря чему к фотодиоду прикладываетсяобратное смешение, так как обеспечивается фотодиодный режим работы,При отсутствии освещенности черезфотодиод протекает темновой ток, кото468303 8 ых. Сосе а ви ген ь...

Номер патента: 469992

Опубликовано: 05.05.1975

Авторы: Лозинский, Осипов, Ровинский, Фолманис

МПК: G11C 11/42

Метки: матрица, оптической, памяти

...по отношению к рабочему материалу внутри ячеек. При этом вещество, окружающее ячейки хотя бы с однойиз сторон, должно быть прозрачно для лучалазера. Размеры ячеек должны быть соизме 1 О римы с размерами экспериментально наблюдаемых проводяших шнуров в рабочем материале (обычно 5 мкм). В предлагаемой матрицеразмеры ячеек в трех измерениях должныбыть от 1 до 5 мкм.15 На чертеже показана матрица,Матрица состоит из подложки 1, термостойкого вещества 2, ячейки 3 с рабочим материалом и защитного покрытия 4,При записи и стирании информации с помощью луча лазера происходит импульсный нагрев и затем быстрое охлаждение локальныхмикрообъемов слоя рабочего материала, что ивызывает фазовые переходы в нем (аморфный - кристаллический - жидкий -...

Номер патента: 492933

Опубликовано: 25.11.1975

Автор: Басалыга

МПК: G11C 11/42

Метки: динамическая, запоминающего, памяти, постоянного, устройства, ячейка

...промежутке свободных электронов нет. При поступлении импульса напряжения питания ток в газе не течет, так как нет первичных электро нов, порождающих начальные лавины.Благодаря токам утечки конденсатора газоразрядного злел 1 ента и затвора, затвор приобретает потенциал, близкий к на пряжению 0 с, которое, в свою очередь, близко по зеличине к верхнему уровнюимпульса опроса. Затвор и исток будут под ОдинаЯвым потенциалом.Передаточная характеристика д МДП- транзистора (см. фиг. 3) выбрана такой, что транзистор при равных потенциалах затвора и истока закрыт, но находится на границе открывания. Импульс опроса 3 с числовой шины передается через конденсатор на затвор транзистора без потери амплитуды, поскольку сопротивление межд узлом...

Номер патента: 496601

Опубликовано: 25.12.1975

Авторы: Глауберман, Дроздов, Потапенко

МПК: G11C 11/42

Метки: фотопамяти, элемент

...200 оС)пленки эакиси меди (щ 0,1 мкм), насыщенной медным колоидом. Эта операция осушест 4вляется посредством катодного распылениямедного диска (марки фМОф) в вргонокислородной атмосфере (смесь в пропорции 1/2;;1/2; Ч 1,8-2 щ6-8 ма/см 2; Р200 мтор). Введение медного колоидапроизводится следующим образом. После на- щспоения каждых 200-300 А пленки закисимеди процесс квтодного распыления оствнвв.ливается, вакуум улучшается до 10 6 тори термическим распылением из танталовойлодочки нв поверхность Си 20-пленки под- Япыляется мелкодиспергированный колоид, (рвэмерами 50-100 А) в режиме, обеспечиввюшем получение нв чистой контрольнойподложке коллоидированной медной пленки,четко разрешаемой с помощью электронногомикроскопа. В итоге получается...

Номер патента: 503291

Опубликовано: 15.02.1976

Авторы: Иванов, Яковенко

МПК: G11C 11/42, G11C 8/06

Метки: адресное, оптическое

...собой транс паранты с прозрачными и непрозрачнымиучастками. Структура растровых фильтров и фильтр-маски имеет периодический характер. Совокупность прозрачного и непрозрачного участ:;а определяет период фильтра Т.15 Число прозрачных и непрозрачных участковв любом фильтре определяется формулойЯ - 2 с-, 13 где У - число прозрачных и непрозрачных 20 участков в фильтре;п - число входных сигналов.В описываемом устройстве п=3, следовательно Л=16.При формировании фильтров 1 - 3 в ра стровой структуре каждого фильтра необходимы локальные нарушения периодичности, т, е. одна последовательность чередующихся прозрачных и непрозрачных участков сдвинута относительно другой на величину Т)2.30 Число периодов фильтра, после которыхИЮ В503291 Таблица...

Номер патента: 442742

Опубликовано: 25.02.1976

Авторы: Берковская, Подласкин

МПК: G11C 11/42

Метки: пространственно-распределенный, фотоприемник

...на поверхности областей 3, адресными шинами - контакты 5 и 6, расположенные на краях области 3. Разряд" ные и адресные шины взаимно ортогональны,Изоляция элементарных ячеек друг от друга достигается за счет того, что область 1 обладает повышенным удельным сопротивлением,) и малым временем жизни. Повышение удельного сопротивления базовой области в случае использования кремния може" б,ыть достигнуто, например, за счет, компен сации примесей, даюших мелкие уровни, зо лотом до величины = 4.10 ом см, Вы 5бор толщины исходной пластины монокристалла и глубин диффузии при формировании р-ипереходов, а также выбор удельного сопротивления базовой области диктуется требованием, чтобы динамическое падение напряжении на - и переходах...

Номер патента: 506061

Опубликовано: 05.03.1976

Авторы: Иванов, Яковенко

МПК: G11C 11/42

Метки: адресное, оптическое

...группы выполнено таким образом, что онн образуют пернолнческий растр. Совокупность двух ячеек 1 прозрачной и непрозрачной) опрелеляет период фильтра Т,Число периодов в каждом фильтре определяется формулойВ данном устройстве и = 4, следоватсльно количество периодов Лг =- 16.При формировании фильтров 1 - 4 в растровой структуре неооходимы локальные нарушения периодичности, т, е. одна последовательность череду 1 ощихся прозрачных и непрозрачных ячеек смещена относительно друТгой на величнпу - - ,Число периодоз в фильтре. после которых 1 О происходит нарушение периодичности, определяется формулой:Д О - 1к 1где К; - число периодов в фильтре, послекоторых происходит смещение наТои - 111 сло одных сиг 1.алов,20г = 1,2,3, гг - номер...

Номер патента: 511630

Опубликовано: 25.04.1976

Автор: Басалыга

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, ячейка

...ток через гиЯОразрядный прибор и транзистор 8 не течет,и напряжение па стоках )рянэнсторовравно нулю. В нулевое состояние ячейкапамяти устанавливается откд)очением илипониж 8 нием няпрчженин смещений. П)иэтОм происходиГ стиряние аяннъгх В мгтрице ПЗУ.В СОСТОЯНИ 8 8 ДИНИЦЫ ЙЧЕйка ПЯМЯТНустанавливается пм пульсом сВетя миниа тюрной импульсной лампы, Свет импульсной лампы через прозрачную кодовую плошадку информационного фототрафйре 1 й попадает на катод и вызывает интенсивную фэтоэмиссию электронов. Злекгроны образу)от массу ла- Вин, электрическое ПОле между яцоаэм и катс)дэм иснажавтся за сче 1. Образовавц 18 Гося Облака НОИОВ и создаетсусловие сушествОВяния самостэятельногэ тл 8101118 ГОразряда, г 9 Я ф 19 г, 2 пэказяцэ Вг а 11 М 1108...

Номер патента: 521606

Опубликовано: 15.07.1976

Автор: Богуславский

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающее, оптическое

...пороговые элементы, например динисторы 14, шины 15 строк матрицы иапучателей подключены к одноименным шинам 3.6 матрицы инерционных элементов, Шины 17 столбцов являются общими для обеих матриц; к ним непосредственно подключены светодиоды 5. Шина питания 18 обеих матриц поключена непосредственно к ключевому элементу фф 10 и через блокировочный диод 19-к резистору 6. 39 Формула изобретения Оптическое запоминаю.цее устройство,содержащее матрицу инерционных злемен 36тов, подключенную к перекдючателям строки столбцов, компаратор, соединенный черезперекпючатель с ключевым элементом,о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с цельюрасширения области применения устройства,оно содержит матрицу излучателей, элементы которой оптически связаны с...

Номер патента: 452285

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Берковская, Кириллова, Подласкин, Суханов

МПК: G11C 11/42

Метки: выборкой, пространственно-распределенный, прямой, слова, фотоприемник

...В каждом участке сформированы две области 3 и 4 р(И )-типа проводимости, симметрично расположенные относительно разделяющей их базовой области5, которой служит материал этого же изолированного участка, Области 3 электрически соединены с адресными шинами 6, а области 4 - с разрядными шинами 7, Шины 6и 7 электрически изолироьаны одна от другой на площадках ь. Расстояние междур( п )-областями 3 и 4, т, е, ширина базовой области 5, не превышает длины диффузионного смещения нсосновных носителейтока, созданных светом в базовой области,Лгпиа диффузионного смещения зависит отчистоты материала, составляющего участки 2и может быть выбрана в случае использования кремния от десятых долей микрона досотен микрон.11 исходном состоянии на матрицу...

Номер патента: 546936

Опубликовано: 15.02.1977

Авторы: Адирович, Борисов, Найманбаев, Поспелов, Трутнев, Юабов

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающее

...большими фотонапряжениями), одни электроды которых подключены к затвору МДП транзи стора, другие соединены с истоком МДП транзистора, сток которого подключен к шине считывания.На чертеже показано предлагаемое запоминающее устройство. Устройство состоит из МДП транзистора 1 с поляризующимся диэлектриком, например 51 зХ илп 510 - ЯзК, в цепь затвора которого включены две ЛФН пленки 2 и 3 так, что фотонапряженпе одной пз них подается Га управляющий электрод положительной полярностью, а другой - отрицательной полярностью. Сток МДП транзистора подключен к шине 4 считывания, исток - к шине 5 источника питающего напряжения.При освещении одной из пленок происходит запись информации, прп освещении другой - стирание. Так как сопротивление...

Номер патента: 549834

Опубликовано: 05.03.1977

Автор: Арутюнов

МПК: G11C 11/42

Метки: памяти, электрооптическая, ячейка

...задержки 16, 17, ключ 18 и блок команды записи 19.Ячейки Керра 1, 2 и элемент И 3 выполняют функцию квантующих устройств для входных сигналов, причем к ячейкам Керра подводятся входные оптические сигналы + Ф и - Ф а к элементу И 3 - входной электрический сигнал У. Кроме того, к ячейкам Керра и элементу И 3 подводится сигнал с блока команды записи 19, длительность которого регулирует прохождение входных сигналов. С ячеек Керра, через фотоэлементы 4, 5 и с элемента И 3 через резистор 6 входные сигналы поступают на усилитель постоянного тока 7, выход которого, являясь электрическим выходом схемы, в то же время подключен к светодиодам 8, 9 и к ключу 18 (вторые концы светодиодов и ключа связаны с шиной нулевого потенциала). Оптические...

Номер патента: 550676

Опубликовано: 15.03.1977

Авторы: Иванов, Хороший, Яковенко

МПК: G11C 11/42

Метки: адаптивный, логический, оптоэлектронный, элемент

...оптическим концентратором.На чертеже показана схема описываемого элемента на. два рабочих входа.Он состоит из источника излучеческого блока постоянной памяти ческими рабочими входами 3 и 4, системы световодов 5, управляемого транспоранта 6 с управляющими входами 7, 8, 9 и 10 и оптического концентратора 11, Число рабочих вхо дов адаптивного оптоэлектронного логического элемента определяется числом рабочих электрических входов и соответствует числу переменных реализуемых функций, т. е. и = 2.Оптический блок постоянной памяти 2 выпол нен на основе жидких кристаллов и обеспечивает однозначное положение луча на его выходах в соответствии с состоянием рабочих входов, Управляемый транспорант 6 содержит и = 2 управляющих входов. В качестве...

Номер патента: 551700

Опубликовано: 25.03.1977

Автор: Басалыга

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающего, интегральная, памяти, постоянного, устройства, ячейка

...Уфиг. 2,31. В отсутствие импульса опроса напряжение на числовой шине, а, следовательно, на истоке МД 11 - транзистора, равно Ч Передаточная характеристика А (фиг. 2) транзистора формируется такой, чгобы пороговое на ЗЭ пряжение Чр было несколько меньше минимальной величины Ч. При этом в отсутствие импульса опроса МДП - транзистор ячейки, находящсйся в состоянии единицы, закрыт, цо близок к сткрыванию. При опросе на числовую шину 1 поступает 40 отрицательный импульс фиг. Зр и трацзистоо открывается. Токпротекаег от исто пека напряжения (+5 В) через резис 1 ор 3, МДП - транзистор 5 в числовую шиву 1, Импульс напряжения на разрядной шине 2 фиксируется усилителем считывания 5 как сигнал считанной ециницы. Когда ячейка находится, в...

Номер патента: 575699

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Семилетов, Харьюзов

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...помощью электронной пушкив заданных точках поверхности подложки 4 создается потенциальный электростатический рельеф, который как бы закрывается или фиксируется островками рабочего вещества, поступаюгцего на поверхность подложки из молекулярной пушки 5. Наличие или отсутствие таких островков в заданных точках подложки при считывании информации регистрируется путем измерения энергетического спектра вторичных электронов.Для предотвращения конденсации рабочего вепгества на всей поверхности подложки ее температура должна быть выше критической температуры конденсации рабочего вещества.Информация записывается и считывается следующим образом. После вакуумной откачки по команде с блока управления 9 электрическим сигналом включается узел...

Номер патента: 590826

Опубликовано: 30.01.1978

Авторы: Каракозов, Хвингия

МПК: G11C 11/42

Метки: долговременное, запоминающее, электронно-оптическое

...жидким модулятором. 25На чертеже изображено несколько элементов линзового растра предлагаемого устройства.Полые микролинзы 1 расположены на плоско-параллельной пластине 2 и заполнены жид ким модулятором 3. На плоско-параллельную пластину 2 нанесена координатная сетка (иа чертеже не показана), подключенная к дешифраторам, причем шаг координатной сетки больше шага размещения микролинз на величину толщины материала полых микролинз. Поэтому рабочее вещество, т, е. жидкий модулятор каждой микролинзы контактирует как с Х-овой шиной, так и 1-овой. В качестве жидкого модулятора использован жидкий кристалл с временем переключения порядка миллисекунд. При значениях управляющих напряжений 10 - 100 в обеспечивается 100%-ная глубина модуляции для...

Номер патента: 597007

Опубликовано: 05.03.1978

Автор: Коган

МПК: G11C 11/42

Метки: памяти, ячейка

...вторая - со вторым входом ячейки.На фиг. 1 приведена принципиальная схема ячейки памяти; на фиг. 2 - диаграмма ее работы.Ячейка памяти содержит фотодиод 1, меж.ду анодом которого н выходом ячейки включен полевой транзистор 2. Затвор транзистора 2 связан с первым входом Э ячейки, который соединен с источником импульсно го питания 0 . Конденсатор 4 включен597007 Ие 4, 1968,Составитель В, БоголюбовРедактор Л. Утехина Техред Н, Вабурка Корректор А. Ьласенк Тираж 717 Подписноерственного комитета Совета Миносделам изобретений н открытийва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Зак 154/50 ЦНИИПИ Г 113035, М ППП Пвтентф, г, Ужгород, ул. Проектна ф.3между анодом фотоднода 1 и вторыми; вхо дом 5 ячейки, подключенным к источнику импульсного напряжения О . Ячейка...

Номер патента: 598121

Опубликовано: 15.03.1978

Авторы: Осинский, Чайковский

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающее, оптоэлектронное, полупостоянное

...масок, проекционных линз ифотоприемников, При включении одного иэсветодиодов световой Ноток проходит через информационную маску, и соответствующая ей проекционная пинэаформирует изображение информационной маски в ппаскости, перпечдикупярной к ее гпавной оптической оси.Однако известное ПОЗУ характеризуетсяспожностью расчета и изготовпения корректирующей пинзы,; трудоемкостью процессаюстировки оптической системы, низкой надежностью работы при вибрациокиых и ударных воздействиях, эначитепьными световымипотерями в оптической системе. 15Цепью изобретения явпяется повышениенадежности, В описываемом устройстве этодостигается тем,что в нем источники изпучения, информационные маски, проекционные линзы и фотоприемники распогожены в...

Номер патента: 600612

Опубликовано: 30.03.1978

Автор: Хвингия

МПК: G11C 11/42

Метки: долговременное, запоминающее, оптическое

...достигается тем, что в устройство введен блок светофильтров, расположенный между носителем информации и выходным блоком.5 ю 15 20 25 30 35 40 микродискретных кадров, сколько дискретных спектров оптического излучения обеспечивает источник 2 света.К носителю 5 подключен блок 10 светофильтров с помощью пластины 11 из отдельных световодов 12 (одножильных), которые соединены со светофильтрами 13. Все светофильтры разделены на группы 14, каждая группа светофильтров посредством многожильных стекловолоконных жгутов 15 подключена к одному фотоэлектронному каналу 16 считывания выходного блока 17, Выходы групп каналов 16 считывания подключены к одной информационной области носителя, объединены и образуют соответствующие информационным...

Номер патента: 397090

Опубликовано: 05.07.1978

Авторы: Ивакин, Илюшенко, Петрович, Рубанов

МПК: G11C 11/42

Метки: голограмм, нестационарных, регистрации, считывания

...интерференционные полосы изменяют свою форму.Предлагаемый способ поясняется чертежом.Регйстрирующий элемент 1 выполняют в виде плоскопараллельного слоя нелинейного вещества необходимой толщины. В данном случае для регистрации нестационарных голограмм применяют раствор криптоцианина в этаноле, небольшим количеством которого заполняют пространство между двумя плоскопараллельными стеклянными пластинками. Падающие све-. товые пучки 2 и 3 образуют в плоскости слоя элемента 1 нестационарную иитерференционную картинуНестационарная интерференционная картина может возникнуть при использовании для образования опорного и объектного пучков света отде.пьных, независимых источников иэлучения 1 в случае, когда объект наблюдения перемещаетсявследствие...