Оптоэлектронная бистабильная ячейка
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Ссоюэ Советских Социалистических Республик(61) Зависимо (22) Заявлено от авт, свидетельства ,09.72 (21) 1831471/18 л. С 11 с 11/4 заявки М исоединени Государстоенныи комнтеСоаееа Министров СССРпо делам изобретенийи открытий 2) Приорите 3) УДК 681,327,06. Бюллетень Ме 37описания 04,09.75 Опубликовано 05.10,7 Дата опубликования 72) Авторы изобретени Цыбрин и М. П. Шелудьк 1) Заявител) ОПТОЭЛЕКТРОННАЯ ВИСТАБИЛЬН ЕЙКА м, вслмн")а:,с+ а Устройство В исходном ник света 2 связь выклю в темновом емника 1 в те работа остояни погаш ена, фо ежи ме. новомующимключеноическиник 1 нивление ет след и (вы ен, опттоприем Сопрот режиме разом.источратнаяодится отоприИзобретение относится к области автома. тики и вычислительной техники.Известны оптоэлектронные бистабильные ячейки, содержащие регенеративный оптрон, фотоприемник которого оптически связан с внешним источником света.Предложенная ячейка отличается от известных тем, что в ней параллельно источнику света оптрона подключен диод с отрицательным сопротивлением, например динистор.Принципиальная схема устройства приведена на чертеже,Устройство содержит фотоприемник 1, источник света 2 и диод с отрицательным сопротивлением, например динистор 3. В качестве фотоприемника 1 может быть применен, например, фоторезистор, в качестве источника света 2, например, электролюминесцентная ячейка. Фотоприемник 1 и источник света 2 охвачены положительной оптической обратной связью В и образуют регенеративный оптрон. Фотоприемник 1 оптически связан с внешним источником световых сигналов. где Лнс - сопротивление источника света5 2; Лт - сопРотивление закРытого диода сотрицательным сопротивлением 3.Основная часть напряжения источника питания приложена к фотоприемнику 1. Напряжение включения диода 3 (Увкл) удовлетво 10 РЯЕт УСЛОВИЮ /вкл ) ГГзаж, ГДЕ визаж - Напряжение зажигания источника света. Поэтому диод 3 выключен.Для переключения устройства во второеустойчивое состояние включено фотоприем 15 ник 1 освещается внешним импульсом света.При этом его сопротивление уменьшается, чтовызывает перераспределение напряжения наэлементах схемы (уменьшение на фотоприемнике,1 и увеличение на источник света 2 и20 диоде с отрицательным сопротивлением 3),При достижении напряжения на источникесвета 2 уровня зажигания включается поло.жительная обратная оптическая связь Вкоторая поддерживает свечение источника25 света 2 при снятии внешнего импульса света,что соответствует установлению режима самовозбуждения оптрона (состояние включено). Так как Увкл ) /заж то источник све.та 2 при переходе схемы в состояние вклю 30 чено не шунтируется,44 б 112 Предмет изобретения Составитель В. ЦыбринРедактор В, фельдман Техред В, Рыбакова Корректор Е, Хмелева Заказ 2129/7 Изд,574 Тираж 591 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 Перевод схемы в исходное состояние выключено осуществляется путем облучения фотоприемника 1 самовозбужденного оптро. на внешним импульсом света, создающим на нем более высокий уровень освещенности. Фотоприемник 1 при этом изменяет свое сопротивление до более низкого значения, что, соответственно, приводит к увеличению напряжения на источнике света 2 и диоде с отрицательным сопротивлением, например динисторе 3, до значения У ) Увил. В этом случае диод с отрицательным сопротивлением, например динистор 3, переключается,в открытое состояние (состояние высокой проводимости) и шунтирует источник света 2. Источник света 2 гаснет, положительная оптическая обратная связь В выключается и схема переходит в исходное состояние выключено.5 Оптоэлектронная бистабильная ячейка, содержащая регенеративный оптрон, фотопри емник которого оптически связан с внешнимисточником света, отличающаяся тем, что, с целью ее упрощения, в ней параллельно источнику света подключен диод с отрицательным сопротивлением, например дини стор.
СмотретьЗаявка
1831471, 26.09.1972
ЛЕНИНГРАДСКАЯ ВОЕННАЯ ИНЖЕНЕРНАЯ КРАСНОЗНАМЕННАЯ АКАДЕМИЯ А. Ф. МОЖАЙСКОГО
ЦЫБРИН ВЛАДИМИР ГРИГОРЬЕВИЧ, ШЕЛУДЬКО МИХАИЛ ПЕТРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/42
Метки: бистабильная, оптоэлектронная, ячейка
Опубликовано: 05.10.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-446112-optoehlektronnaya-bistabilnaya-yachejjka.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Оптоэлектронная бистабильная ячейка</a>
Устройство для контроля состояний n параллельных нагрузок импульсного источника питания
Номер патента: 1356115
Опубликовано: 30.11.1987
МПК: H02H 7/10
Метки: импульсного, источника, нагрузок, параллельных, питания, состояний
...на соответствующих С-входах этих триггеров. Действительно, на Р-входе триггера 15 присутствует напряжение с уровнем "0" (фиг. 3 з) сразу после разряда накопительного конденсатора 3 на первую разрядную цепь 4 (см.1, фиг. 3), поступающее с прямого выхода порогового блока 10, поэтому в момент появления импульса (фиг, 3 д)ф на С-входе триггера 15 с второго выхода второго формирователя 12 импульсов состояние триггера 15 не изменя-. ется, В момент появления импульса (фиг. 3 е) на С-входе триггера 16 с первого выхода второго формирователя 12 импульсов Э-вход этого триггера находится под воздействием напряжения О (Фиг, 3 и) с инверсного выхода порогового блока 10.При поступлении на С-вход триггера 17 импульса (фиг, 3 к) с выхода первого...
Способ изготовления отрицательного электрода химического источника тока
Номер патента: 544021
Опубликовано: 25.01.1977
Авторы: Демченко, Легкий, Никольский, Позин
МПК: H01M 4/29
Метки: источника, отрицательного, химического, электрода
...3, Афанасьева Техред Н. Андрейчук Корректор Ж, Кеслер Заказ 83 6/67 Тираж 976 11 НИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и 113035, Москва, Ж, РаушскаяПодписноеСовета Министров СССРоткрытийнаб., д. 4/5 Филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 течение О, 05-0, 5 мин. За такой промежуток времени размеры частиц кадмия и величина его поверхности не успевают существенно измениться. Подложку со слоем порошка кадмия переносят из зоны электролиза в раствор соли кадмия, содержащий растворенный кисл- род, на 0,1-1,0 мин.Введение кислорода в раствор может достигаться путем барботажа воздуха через раствор или интенсивным перемешиванием раствора, имеющего поверхность раздела с воздухом, После этого производят уплотнение...
Транзисторный блокинг-генератор
Номер патента: 240007
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Лысин, Селиверстов
МПК: H03K 3/335
Метки: блокинг-генератор, транзисторный
...положительный эффект позволяет значительно расширить область применения описываемого транзисторного блокинг-ге нератора в различных радиоэлектронных уст240007 сн пографии, пр. Сапунова, 2 рсйствах. Блокинг-генератор с электронным управлением содержит два транзистора 7 и 8, импульсньш транслрорматор 9, резисторы 10 - 12, полупроводниковый диод 18 в цепи запуска.При подаче в цепь запуска отрицательного импульса в блокинг-генераторс, собранном на транзисторе 7, происходит обычный блокингнроцесс, обеспечивающий формирование переднего фронта импульса, его вершины и заднего фронта. Длительность импульса такого блокинг-генератора в основном определяется внутренним сопропивлснием дополнительного транзистора 8, Если иа...
Устройство для нахождения дискретного значения экстремума функции
Номер патента: 145801
Опубликовано: 01.01.1962
Авторы: Лебедев, Толчинский
МПК: H03M 1/46
Метки: дискретного, значения, нахождения, функции, экстремума
...Д 2, ДЗИсточник (ИСКН) питается стабильным напряжением К Стабилизаторы С 1, С 2, СЗсоздают равные по величине и стабильные токи, В зависимости от состояния триггеров счетчика (СчИСКН) к ключевым диодным схемам Д 1, Д 2, ДЗподаются либо положительные, либо отрицательные потенциалы. При подаче положительных потенциалов диоды Д 1 а, Д 2 а, ДЗа,. запираются, а диоды Д 1 б, Д 2 б, ДЗб , - открываются, и стабильные токи протекают через калиброванные сопротивления.При подаче отрицательных потенциалов диоды Д 1 б, Д 2 б, ДЗб запираются, и токи не подаются в цепочку указанных сопротивлений, На цепочке сопротивлений й, Яь 2 Р, 4 Яисточника (ИСКН) создается падение напряжения, пропорциональное коду счетчика (СчИСКН) .Работа устройства в целом...
Оптоэлектронная бистабильная ячейка
Номер патента: 447842
Опубликовано: 25.10.1974
МПК: H03K 17/78
Метки: бистабильная, оптоэлектронная, ячейка
...и сигналы записи информации. При одновременном действии световых сигналов выключения ячейки и ПООС общая освещенность на входе фототранзистора суммируется, При этом он изменяет свое сопротивление до более низкого значения, В результате происходит дальнейшее перераспределение напряжения Е между фототранзистором и последующим участком цепи. Увеличение напряжения Ц на эмиттерефотоэдиода 3 до значения э= - сти - игде Я - сопротивление фототранзистора в темновом режиме.фттемнПоэтому большая часть напряжения питания Е надает на фототранзистор 2. В30 коллекторной цепи фототранзистора проте/кает ток, величина которого недостаточна для зажигания светового диода 1.Рассмотрим работу ячейки при управле нии по одному оптическому входу. Запись и...
Предыдущий патент: Ячейка памяти
Следующий патент: Оптоэлектронный триггер
Случайный патент: Эндоскоп