ZIP архив

Текст

Оиблкот ка МБА О П И С А Н И Е 40460ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республикасударственныи комитетСовета Министров СССРва делам изобретенийи открытий К 681.375.037,733,3 (088.8) Опубликовано 05.1.1974. Бюллетень1 Дата опубликования описания 24.17.197 вторыобретения Л. Дмитрук, А. К. Терещенко, В, И. Ляшенко и Т. Н. Сытенко оводников АН Украинской С аявитель нститут и СПОСОБ ЗАПИСИ ОПТИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИЗАПОМИ НАЮЩИ Й ЭЛ ЕМЕНТ НА МДП-СТРУКТУРЕ,ЛЮЧАЮЩЕЙ ШИРОКОЗОННЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКС НАЧАЛЬНЫМ ИСТОЩЕНИЕМ У ПОВЕРХНОСТИ к производится стирание инИзобретение относится к области вычислительной техники.Известен способ запоминания оптической информации, согласно которому к структуре металл - диэлектрик - полупроводник прикладывают постоянное электрическое напряжение, а затем освещают импульсом света.Однако при этом считывание разрушает записанную информацию. Кроме того, для записи информации необходимо постоянное напряжение на электродах структуры, и при отключении питания информация теряется, что снижает надежность записи информации.Целью изобретения является повышение надежности записи и хранения оптической информации.По предлагаемому способу элемент со структурой металл - (например, полупрозрачный слой алюминия) - диэлектрик (например, слой двуокиси кремния) - полупроводник (например, арсенид галлия) охлаждают до 77 К, затем освещают импульсом света, регистрируя при этом емкость элемента путем подключения его в резонансный контур. После освещения емкость элемента увеличивается в несколько раз и в таком состоянии может находиться длительное время. Для восстановления исходного состояния (до освещения) к элементу прикладывают импульс напряжения 1 - 2 в на освещаемом электроде. Таформации,Информация стирается и при отогреванииэлемента до комнатной температуры.5 Таким образом, предлагаемый способ позволяет записывать оптическую информацию,не разрушающуюся при считывании, и нетребует электрического питания при ее записи, что повышает надежность записи и хра 10 пения.В основу предлагаемого способа запоминания оптической информации положено следующее физическое явление. При освещенииполупроводника и-типа со слоем истощения15 у поверхности происходит фотоэмиссия электронов из поверхностных состояний в квазинейтральный объем. В результате этого потенциал поверхности уменьшается, а емкостьслоя приповерхностного пространственного20 заряда увеличивается. При низкой температуре и в полупроводнике с достаточно широкой запрещенной зоной такое состояние может сохраняться длительное время и послевыключения света, поскольку восстановление25 термодинамического равновесия между поверхностными электронными состояниями иобъемом полупроводника затруднено вследствие низкой кинетической энергии электронов и наличия отталкивающего потенциаль 30 ного барьера у поверхности,410460 Предмет изобретения Составитель Р. ЯворовскаяРедактор Л, Утехина Техред Т. Курилко Корректор Т. Хворова Заказ 1018/18 Изд. Хо 372 Тираж 591 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, и р. Сапунова, 2 Способ записи оптической информации в запоминающий элемент на МДП-структуре, включающей широкозонный полупроводник с начальным истощением у поверхности, характеризующийся тем, что подают световой импульс на МДП-структуру, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения надежности записи, до подачи светового им пульса МДП-структуру охлаждают до 77 К -180 К,

Смотреть

Заявка

1758187, 15.03.1972

МПК / Метки

МПК: G11C 11/42

Метки: 410460

Опубликовано: 05.01.1974

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-410460-410460.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">410460</a>

Похожие патенты