Составитель страницы оптоэлектронного запоминающего устройства

(31 445076ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советскнк Соцналнстннесва Реслублнк) Зависимо детельстваС 2 )806892/18 т авт 2) Заявлено 06. 07. 7 М Ки.1 с И/ присоединением заяв сударстоенный комототоаота Ннннстроо СССРао долны нзооретоннйн открытнй(54) СОСТ ИТВ 1 Ъ СТР ПОМИЩ Я НИЦЫ ОПТОЭЛЕКТРОННОГО СТРОЙ СТВА устройст вычислител ь применен инающих у отноой техв опто- ройсттели страниц икающих усттрицы динамити, выходы коейкам на жидески связанных ком света. - упрощейие е его помехотем, что в элементов паих элементов включены фоязанные с упсвета. фотооминающих емжиме обычного- в режиме б- тр ическитавител Предложенноесится к областиники и может бытэлектронных запомВахеИзвестны составоптоэлектронных запоройств, содержащие мческих элементов памторых подключены к яких кристаллах, оптис управляемым йсточнЦель изобретениустройства и повышенустойчивости.Это достигаетсяматрице динамическихмяти между входами эи столбцевыми шинамитодиоды, оптически сравляемйм источникомдиоды при зарядке закостей работают в редиода, а при разрядкФотодйода.На чертеже схемражен предлагаемый сницы. Динамические элементы 1 памяти составляют матрицу. Их выходы 2 подключены к ячейкам 3 оптически активных элементов. Каждая ячейка имеет элементарный электрод Ф, общий электрод 5, оптически активный элемент б, расположенный между электродами, например жидкий кристалл, и оптическую связь с управляемым источником 7 света, а источник света, в свою очередь, - связь с управляющим блоком (йа чертеже не показан). Каждый элемент памяти содер жит запоминающий конденсатор 8, наг рузочный полевой транзистор 9 й управляемый полевой транзистор 10 между входом 11 которого и столЬцевой шиной 12 включен Фотодиод 13. Последний имеет оптическую связь с источником света, например с основным источником света оптоэлектронного запоминающего устройства. Стоки всех нагрузочных транзисторов соединены с общим электродом ячеек.Составитель страницы работает следующим образом.Ячейки активных элементов составляют мозаику световых клапанов, расположенных на основной оптической оси оптоэлектронного запоминаю-, щего устройства. Их состояние (пропускание или запирание света) зависит от информации соответствующих элементов памяти.Для запоминания информации использованы емкости, которые включены между затворами и истоками 1 о полевых транзисторов и управляют последними, Запоминающие емкости заряжаются при подаче управляющих уровней напряжения на строки и столбцы матрицы, Низкий уровень 15 напряжения О нз является разрешающим для строки и неразрешающим для столбца,а высокиИ уровень напря жения О - разрешающим для столбца и нерйрешающим для строки. Когда выбрана данная строка (на нее подан низкий уровень напряжения), та запоминающая емкость, которая получает высокий уровень от столбца, т.е. выбрана также 25 по столбцу, заряжается до этого высокого уровня. Для полувыбранных емкостей нет разности потенциалов и они не заряжаются. Поэтому при определенном уровне строки зоО ыс при обращениях к странице) заряженные емкости обеспечивают на затворах своих транзисторов по терц азы а ДО = О ы - О н выше35 по сравнению с затворами незаряженных емкостей, Отим достигается открытое или закрытое состояниеправгяемых полевых транзисторов полувыоранных транзисторов нет).Фотадиоды раоотают в режиме 4 о обычного диода для заряда запоминающих емкостей и в режиме фотодиода (с нестрогими требованиями) для разряда последних.Разряд запоминающих емкостей 45 является операцией стирания информации страницы и проводится одновременно для всей страницы с помощью освещения фотодиодов импульсом света,При этой операции все строки и столбцы ставятся под высокои уровень (дешифратор адреса строки имеет т +Х-положений, где ш число строк матрицы, а в регистр числа принимается код ".Оф по всем разрядам).Ячейки активных элементов соединены параллельно с нагрузочными транзисторами, поэтому разность потенциалов на нйх примерно равно нулю, когда управляемые транзис-.торы заперты, или напряжению управляющего импульса 14, когда транзисторы открыты. Соответственно этому ячейки активных элементов, например, наполненные жидким крйсталлом с динамическим рассеянием, или пропускают свет ("1 ), или рассеивают его (фО").При считывании светового поля страницы (подача светового импульса) все строки матрицы ставятся под высокии уровень напряжения. Отраженное от мозаичных электродов световое поле в виде темных и светлых точек падает на носитель информации оптоэлектронного запоминающего устройства и фиксируется.ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯСоставитель страницы оптоэлектронного запоминающего устройства, содержащий матрицу динамических элементов памяти выходы которых подключены к ячейкам оптически активных элементов, например, на жидких кристаллах, оптически связанных с управляемым источником света, отличающийся тем, что, с целы упрощения устройства и повышения помехоустойчивости, между входами элементов памяти и столбцевыми винами матрицы включены фото- диоды, оптически связанные с управляемым источником света.4450761Редяк 1 ор Ие фУЗ 1 яказ ) У д. 14 а М раж 5 Ж 1 одписиое 1Сост а в и тел ь К МОЛИКЯНекред Н СОНИНЯ ЦПППП 1 осударг 1 веииого комизеза Совета Министров СС по делам изобретений и открытий Москва,635, Рау иская наб., 4 рсдприятие а 1 еиз, Мослов, Г 59, Бережковская иаб.,