Запоминающее устройство
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
.,тУ(,.ь." г ", ит" р 546936 Союз Советских Социалистических Республик(51) М, Кл.з б 11 С 11/42 Гасударственные иомите Совета Министров СССР(23 итет 621.377.62225 (088.8) убликовано 15.02,77, Бюллетень М 6 та опубликования описания 17.03.77 УД делам изобретен и открытий Авторыизобретен) Заявитель 54) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТ Формула изобрЗапоминающее устройств 39 МДП транзистор с поляризу ения содержащее имся диэлектИзобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в устройствах оптоэлектроники.Известно запоминающее устройство, состоя 1 цее из бистабильного полевого транзистора 5 со структурой металл - диэлектрик, в которой может накапливаться заряд 1.Известно также запоминающее устройство, содержащее полевой транзистор, имеющий трехслойную структуру изолятор - металл - 10 изолятор 2.Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является запоминающее устройство, содержащее МДП транзистор с поляризующимся диэлектриком и источник 15 управляющих импульсов напряжения 3.Недостатком перечисленных устройств является невозможность записи и стирание информации оптическими сигналами.С целью расширения функциональных воз можностей в предлагаемом устройстве источник управляющих импульсов выполнен в виде двух АФН пленок (пленок с аномально большими фотонапряжениями), одни электроды которых подключены к затвору МДП транзи стора, другие соединены с истоком МДП транзистора, сток которого подключен к шине считывания.На чертеже показано предлагаемое запоминающее устройство. Устройство состоит из МДП транзистора 1 с поляризующимся диэлектриком, например 51 зХ илп 510 - ЯзК, в цепь затвора которого включены две ЛФН пленки 2 и 3 так, что фотонапряженпе одной пз них подается Га управляющий электрод положительной полярностью, а другой - отрицательной полярностью. Сток МДП транзистора подключен к шине 4 считывания, исток - к шине 5 источника питающего напряжения.При освещении одной из пленок происходит запись информации, прп освещении другой - стирание. Так как сопротивление поляризующегося диэлектрика на несколько порядков выше сопротивления АФН пленок, все генерируемое гленкамп напряжение прикладывается к поляризующемуся диэлектрику и обеспечивает запись и стирание.Наличие в качестве источника управляющих импульсов АФН пленок позволит исключить источники высокого напряжения, снизить вес п габарпты аппаратуры, обеспечить полную электрическую развязку между цепями управления и считывания и расширить функциональные возможности запоминающего устройства.Корректор О. Тюрина Редактор Н. Каменская Заказ 330/16 Изд.187 Тираж 769 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4 5Типография, пр. Сапунова, 2 риком и источник управляющих импульсов напряжения, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, источник управляющих импульсов выполнен в виде двух АФН пленок (пленок с аномально большими фотонапряжениями), одни электроды которых подключены к затвору МДП транзистора, другие соединены с ис 4током МДП транзистора, сток которого подключен к шине считывания.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:5 1. Патент США Мо 3549911, кл. 307 - 270,1970,2. Патент США3500142, кл. 317 - 235,1970.3. Ргоз 1 ЕЕЕ 588 р 1207 (прототип),
СмотретьЗаявка
1634002, 18.03.1971
ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМЕНИ С. В. СТАРОДУБЦЕВА АН УЗБЕКСКОЙ ССР, ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1631
БОРИСОВ БОРИС СЕРГЕЕВИЧ, ПОСПЕЛОВ ВАЛЕНТИН ВАСИЛЬЕВИЧ, АДИРОВИЧ ЭММАНУИЛ ИЛЬИЧ, НАЙМАНБАЕВ РАХМОНАЛИ, ТРУТНЕВ НИКОЛАЙ ФИЛИППОВИЧ, ЮАБОВ ЮРИЙ МИХАЙЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/42
Метки: запоминающее
Опубликовано: 15.02.1977
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-546936-zapominayushhee-ustrojjstvo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Запоминающее устройство</a>
Устройство считывания оптической информации
Номер патента: 653625
Опубликовано: 25.03.1979
Авторы: Голубятников, Гусев, Новиков, Рослова, Толстоганов, Федоров, Швец, Шилов
МПК: G11C 11/42
Метки: информации, оптической, считывания
...4 и два элемента с односторонней проводимостью, выполненные на транзисторах 5 и 6, резисторы 7, 8 и шины 9 - 11 установки нуля, считывания и парафазного выхода соответственно.В исходном состоянии на устройство световая информационная картина на подается, Перед подачей световой картины на шину 40 установки нуля 9 подается импульс положительной полярности. При этом в результате заряда собственных емкостей элементов, подсоединенных к базам транзисторов 1 и 2, напряжения на базах этих транзисторов становятся одинаковыми и после окончания импульса установки нуля на шине 9 запирают р-п переходы всех элементов устройства.При подаче двоичной информационной картины, каждый бит которой представлен в парафазном коде, в светочувствительных 5 О...
Устройство формирования импульсов
Номер патента: 797058
Опубликовано: 15.01.1981
МПК: H03K 5/01
Метки: импульсов, формирования
...18-21 (фиг. 3).На соединенных вместе коллекторахтранзисторов 18 и 19 образуетсявыходное импульсное напряжение прямоугольной формы, инвертированноепо отношению ко входному напряжению. На коллекторах транзисторов20 и 21 образуется неинвертированноевыходное импульсное напряжение.Существование на выходах одногоустройства как инвертированного, таки неинвертированного выходных импульсных напряжений позволяет сокУстройство можно без каких-либо изменений использовать совместно с ПЗС,выполненными как на основе полупроводника и-типа проводимости, так и полупроводника р-типа. Но в устройстве, предназначенном преимущественно для работыПЗС на полупроводнике р-типа, целесообразно изменить по сравнению с фиг. 1 проводимости транзисторов и шины...
Устройство временной привязки управляющего импульса к максимуму расширенного импульса
Номер патента: 1243114
Опубликовано: 07.07.1986
Авторы: Андронов, Мусин, Филатов
МПК: H03K 5/153
Метки: временной, импульса, максимуму, привязки, расширенного, управляющего
...которого заключена информация о параметрах входного .сигнала. Расширенный импульс усиливается усилителем 2 и поступает на дифференцирующее звено 3, на выходе которого имеет место импульс, близкий по форме к прямоугольному, срез которого совпадает по времени с моментом достижения максимума расширенным сигналом. При увеличении диапазона длительностей входных сигналов блок 7 управления дифференцирующим звеном по сигналу с источника 1 проинтегрированных импульсов увеличивает постоянную времени дифференцирующего звена 3, устраняя тем самым явление значительного уменьшения амплитуды продифференцированного сигнала на20 25 5О15 36 35 40 старших,циапазонах длительностей входных импульсов.Управление постоянной времени звена может...
Фотоприемная ячейка
Номер патента: 1619345
Опубликовано: 07.01.1991
Авторы: Бутт, Панков, Савельев, Твердохлеб
МПК: G11C 11/42
Метки: фотоприемная, ячейка
...инверсным сигналу стирания с выхода 20 инвертора. Заряд емкостей фотодиодов 7 и 8 производится до напряжения источника смещения фотодиодов 13, а заряд емкостей фотодиодов 14 и 15 до напряжений, установившихся на выходах 23 и 24 усилителя во время заряда ем- костей Фотодиодов 7 и 8, т.е, с учетом начального небаланса усилителя. Далее, по окончании сигнала стирания каналы ключевых транзисторов 10, 11 16 и 17 запираются, а каналы транзисторов 18 и 19 открываются, тем самым соединяя параллельно фотодиод 7 с фотодиодом 14, а Фотодиод 8 с фотодиодом 15. При этом на созданных таким образом составных Фотодиодах устанавливаются напряжения, которые обеспечивают два делителя напряжений на емкостях фотодиодов 7 и 14, 8 и 15, Возникший в...
Устройство выборки и хранения
Номер патента: 924862
Опубликовано: 30.04.1982
Авторы: Зеленко, Ильянок, Раков, Ямный
МПК: H03K 17/60
...12 и источник 10 тока подключен к первой шине 14 источника питания, а сток этого транзистора соединен со второй шиной 19 источника питания, База транзистора 1 соединена с входной шиной 16, а база транзистора 2 подключена к выходной шине 17. Базы транзисторов 3 и 4 соединены с шинами 18 и 19 управления.Транзисторы 1 и 2. включены по схеме дифференциального усилительного каскада, транзисторы 3 и 4 играют роль токовых переключателей, а транзисторы 5 и 6 включены по схеме отражателя тока.1Устройство функционирует следующим образом.В режиме выборки на шины 18 и 19 подаются управляющие сигналы, открывающие транзистор 3 и закрывающие транзистор 4, При этом обесточивается транзистор .8 и запитываются транзисторы 1 и 2 дифференциального...
Предыдущий патент: Ячейка памяти
Следующий патент: Перестраиваемый фазо-импульсный многоустойчивый элемент
Случайный патент: Способ изготовления каучуковых смесей