G02B 5/18 — дифракционные решетки

Номер патента: 561923

Опубликовано: 15.06.1977

Авторы: Стрежнев, Хайбуллин, Штырков

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционных, копирования, реплик, решоток-матриц

...в производстве решеток, слой алюминия не оксидируется. Однако подслой - титан, полученный термическим испарением в 30 бретения является увеличениешетки,561923 Составитель В. ВанторинТехред 3. Тараненко Редактор С. Хейфиц Корректор А. Степанова Заказ 1613/2 Изд. Ме 55 Тираж 633 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская паб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, в Это достигается тем, что по предлагаемому способу упрочнение производят путем бомбардировки поверхности решетки ионами кислорода с энергией, превышающей 1 кэВ.Дифракционные решетки-матрицы по описываемому способу изготавливают следующим образом,На полированную поверхность подложки решетки из...

Номер патента: 573789

Опубликовано: 25.09.1977

Авторы: Елинсон, Кравченко, Морозов

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционная, решетка, фазовая

...имеет постоянную величин вдоль той же координаты.На чертеже показана предлагаемая фазовая дифракционная решетка.573789 НИИПИ Заказ 3 7 одпис и илиал ППП Патент, г. УжгоРоД У тная, 4 ее рабочие плоскости 2 расположеныпараллельно оси Х.Дифракционная решетка работает следующим образом,Монохроматический неполяризованныйЛуч 3 направляют на рабочую плоскость2 йластины 1 под углом 9, равным углуБрэгга. При прохождении этого луча через решетку он разделяется на недифрагирующий 5 лучи с взаимно ортогональ-10ными плоскостями поляризации. Величина угла 8 может отличаться от углаБрэгга и, в частности, может бытьравна О, если пластина 1 вырезанаФак, что ее рабочие плоскости 2 непараллельны координате Х.Испольэованйе: дифракционной решетки,...

Номер патента: 605185

Опубликовано: 30.04.1978

Авторы: Егоров, Ушаков

МПК: G02B 5/18

Метки: акустооптических, корреляторов, опорный, транспарант

...коррелятора, состоящем из несущего и кодирующего транспарантов, функция прозрачности Т(х, у), определяющая структуру первого, изменяется не только вдоль оси х, но и вдоль оси у в соответствии с законом:Т, 1+ соз (хх+уЦ; T(х,у) у,у у(у(ц, (1)О - в остальных точках,разуют с вертикалью (осью у) угол О, определяемый формулой 0 = агс 1 д - ,АНа фиг. 1 изображена структура предлагаемого опорного транспаранта; на фиг, 2 - кодиоующий транспарант с элементарной вырезкой; на фиг. 3 - кодиоующий транспарант для случая записи дискретного многофазного неравномерного кода; на фиг. 4 - то же, для непрерывного сложного сигнала; на фиг. 5 - то же, для сигнала с большим фазовым размахом угловой модуляции; на фиг, 6 изображен кодирующий...

Номер патента: 634220

Опубликовано: 25.11.1978

Авторы: Зайцев, Лунева, Саламандра

МПК: G02B 5/18

Метки: контрастный, экран

...камеры сгорания, обладаютпреимуществами, как воэможность с а е едлП е натакимисоко 22) Заявлено 01,06.77 (2(45) Дата опубликован ретение относится к приборою, в частности к экранам для фирования прозрачных неодноотей,Известен контрастный экран, выпол"ненный в виде фотографического отпечатка на пластинке чередующихся черных и светлых полос, создающих решетку 11,Однако этот экран имеет небольшиеразмеры, лимитируемые величиной фотографической пластинки.Известен контрасный экран для фотографирования прозрачных неоднород"ностей среды, состоящий из чередующихся светлых и темных полос 2,остатками экрана являются ие"е размеры и невысокая контрасть изобретения - повышениеизображения.занна" цель достигается тмные полосы заданной формыны...

Номер патента: 678442

Опубликовано: 05.08.1979

Авторы: Балясников, Баранов, Петров, Стрежнев

МПК: G02B 5/18

Метки: высокочастотная, дифракционная, решетка

...упругости всехслоев от слоя к слою изменяются монотонно,На фиг. 1 представлена решетка, выполненная на пластичных слоях с увеличивающимсямодулем упругости; на фиг. 2 - то же, с уменьшающимся модулем упругости.На стеклянную подложку 1 вакуумным напылением наносят подслой 2 хрома, которыййеобходим для увеличения адгезии "к стеклупоследующего слоя. Затем вакуумным напылением наносят слой пластичного материала 3,например алюминия. После этого наносят вакуумюым 1 напылением последующие дополнитель.- ейные слби пластичных материалов с увеличйвающиь+ся модулем упругости, например слой 4. меди, а затем слой 5 никеля. Устанавливаютзаготовку на делительную машину и производят нарезание штрихов решетки алмазным рез.цом мЕтодом пластической...

Номер патента: 773557

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Куинджи, Лукашевич, Петров, Стрежнев

МПК: G02B 5/18

Метки: вакуумной, вогнутая, дифракционная, области, решетка, спектра, ультрафиолетовой

...а границы частей покрытия расположены от начала решеткина расстояниях.где Н - радиус кривизны решеткиК - порядок спектрами- длина волны, при которойвысокоотражающие покрытиясмежных ь и ь+1 частей имеютравные коэффициенты отражения;й .- период решетки;.8 - угол между падающим и дифрагированным пучками в схей ме использования решеткиА - ширина решетки- угол между гранями штрихови плоскостью деления для55центрального участка решетки,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРр Ю 387319, кл. С 02 В 5/18, 1973.2,3 оаейоЕ Орисаб эосе 1 ц а 1 Аеегсап,у,43,1 рбз,с,Вишь,3. Оптика и спектроскопия, Л.,Наука, т.16, 1964 с, 133 (ирототип 1увеличивается до двух и более раз в зависимости от ширины...

Номер патента: 800940

Опубликовано: 30.01.1981

Авторы: Балясников, Куинджи, Стрежнев

МПК: G02B 5/18

Метки: амплитудная, дифракционного, интер-ферометра, осветительнаярешетка, пропускающая

...дифракционной З решетки.устройство содержит подложку 1 решетки из прозрачного материала (стекла), непрозрачные штрихи 2 решетки, покрытие 3 из непрозрачного материала, нанесенного на поверхностирешетки.На чертеже обозначены геометрическая ширина АВ=5 пропускающего участ/ Ф / ка штриха, эффективная ширина А В =5 пропускающего участка штриха, угол 40, К наклона граней штрихов к поверхности решетки, толщина и прозрачного покрытия, расстояние между мнимыми изображением пропускающего участка штриха АВ и преломляющей вогнутой поверхностью над ним, качало О координат по оси 2, совпадающее с преломляющей поверхностью покрытия из прозрачного материала, центр 9 кривизны преломляющей поверхности, цент-. ральная.точка М пропускающего участка...

Номер патента: 811192

Опубликовано: 07.03.1981

Авторы: Лукашевич, Петров, Стрежнев, Функ

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционных, отражающихкопий, решеток

...разделительного и защитного слоев, приклеивания стеклянной подложки, отделения копии, удаления разделительного слоя и нанесения в вакууме отражающего покрытия, отражающее покрытие наносят на разделительный слой перед нанесением защитного слоя.Отражающие копии дпфракцпонных решеток по предложенному способу изготавливаются в следующей последовательности.На дпфракционную решетку-матрицу, поверхность которой защищена любым из известных способов, наносят в вакууме разде811192 Формула изобретения Составитель М. Шойтов Техред А, Камышникова Корректоры: О. Силуянова и О. ТюринаРедактор И. Квачадзе Заказ 519/17 Изд. Хо 246 Тираж 553 Подписное НПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж.35,...

Номер патента: 834654

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Стрежнев, Файзрахманов, Функ, Хайбуллин, Штырков

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционнойрешетки

...А. Бойкас Корректор Ю. МакаренкоТираж 539 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Редактор Е. ДичинскаяЗаказ 4050/73 зпературе Т, лежащей в пределах 535 С Т - 1500 С.Дифракционную решетку изготавливают в следующей последовательности.Полированную поверхность подложки из стекла бомбардируют на ионном ускорителе ионами металла с температурой ионизации Ти, лежащей в пределах 535 С С Ти С 500 С, например сурьмы с энергией превышающей 1 кэВ, повышаюшего адгезию последующего слоя металла, например алю.миния, к подложке из стекла. При этом в приповерхностном слое подложки из стекла образуется переходной...

Номер патента: 859984

Опубликовано: 30.08.1981

Автор: Стрежнев

МПК: G02B 5/18

Метки: асферическая, вогнутая, дифракционная, решетка

...приборов с исправленным астигматизмом в широкой области длин волнЦель изобретения - расширение области исправленного астигматизма вогнутых асферических дифракционных решеток в установках на окружности Роуленда.859984 Формула изобретения Составитель Д,ЖуравлевРедактор М.Лысогорова Техред А, Ач Корректор С,Корниенко акаэ 7542/70 ВНИИПИ Гос по делам 113035, Моираж 539 Подписноарственного комитета СССРэобретений и открытийва, Ж -35, Раушская наб., д.4/5 филиал ППП фПатентф, г,ужгород, ул.Проектная,Цель достигается тем, что в вогнутой асферической дифракционной решетке, содержащей структуру нелинейных штрихов в проекции на плоскость, перпендикулярную нормали к ее поверхности, имеющей радиус кривизны меридионального сечения больше радиуса...

Номер патента: 864223

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Саамова, Стрежнев

МПК: G02B 5/18

Метки: асферических, вакуумной, дифракционных, области, разрешающей, решеток, спектора, способности, ультрафиолетовой

...решетки,50М Л 2. ЛИтеор Атеор 31 теор ЬОтсюда разрешаннцая способность В )дпя длины волны 1, может быть пред 55 ставлена в видегде к лС 1)теор А 2 Из (5) и (6)следует, что разрешающуюспособность решетки В , для длиныволны К можно определить, не измеряя непосредственно при Д , ее разрешающую способность.Таким образом, зная величину разрешающей способности В для однойдлины волны Х в заданном порядке,например, в видимой области спектраможно определить разрешающую способность К 7, для любой другой длины волны , в этом же порядке, например, ввакуумной ультрафиолетовой областиспектра.Измерение разрешающей способностиасферических решеток можно произво"дить только в стигматической областицлин волн, поскольку эти решетки, вособенности...

Номер патента: 909648

Опубликовано: 28.02.1982

Автор: Сазанов

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционная, решетка, составная

...2, в свою очередь, также состоитиз двух одинаковых дифракционных решеток, решетка 1 - из решеток 4 и 5,а решетка 2 - из решеток 6 и 7. Величина сдвига Ьд между решетками 4и 5, 6 и 7 составляет 1/4 д, т,е. вэтом случае, л= О = и и К= 2 Ф К.Для всех решеток 4-7 шаг штрихов равен д, а их длина - 1/4 1Поток излучения, прошедший черезсоставную дифракционную решетку, разлагается в спектр. Прицем, при сдвиге между решетками 1 и 2, равном1/6 д, порядки спектра с номерамиК3,9, будут суммироваться впротивофазе и, следовательно, взаимно уничтожаться. При сдвиге между решетками 4 и 5, 6 и 7, равном 1/4 с 1,формула изобретения 3 909Цель изобретения - расширение области свободной дисперсии составной дифракционной решетки.Указанная цель достигается...

Номер патента: 705986

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Волков, Лысогоров, Мизеров, Портной, Смирницкий

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционной, монокристалла, поверхности, решетки

...шагом и различными углами блеска. Решение этой проблемы позволяет существенно расширить спектральный интервал таких приборов, что ведет к расширению круга задач, решаемых,ими. Кроме того, при создании целого ряда интегрально-оптических и оптоэлектронных приборов возможность получать решетки с различными углами блеска позволяет направленно изменять их основные характеристики.Предлагаемый технологический процесс изготовления решетки заключается в следующем.Изготавливают монокристалл (подложка будущей решетки) с исходной кристаллографической плоскостью, наиболее устойчивой к какому-либо химическому травителю (аналогично устойчивой к фотохимическому травителю или устойчивой при ионно-плазменном распылении).705986 Рабочую поверхность...

Номер патента: 924650

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Куинджи, Петров, Стрежнев, Функ

МПК: G02B 5/18

Метки: амплитудных, дифракционных, прозрачных, решеток

...граней штрихов к поверхности подложки. При этом толщина слоя алюминия выбирается равной глубине штрихов и составляет, например, 2,5 мкм. Нагрузку на алмазный резец подбирают так, чтобы глубина погружения резца при формировании штрихов ограничивалась поверхностью подложки. Затем по вышеуказанной формуле определяют напряжение и осуществляют электрохимическое оксидирование в 0;53-ном (ИБ)НРО. 650 1ности решетки создается прозрачныйокисный слой. При этом на дне штрихов образуются прозрачные участкишириной Я, Заданное соотношение между прозрачными и непрозрачными участками штрихов по ширине решетки достигается за счет равномерного окисления слоя алюминия при оксидировании.Наиболее широко используются проз.10 рачные амплитудные дифракционные...

Номер патента: 943625

Опубликовано: 15.07.1982

Авторы: Стрежнев, Файзрахманов, Функ, Хайбуллин

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционных, копирования, реплик, решеток-матриц

...производят путем бомбардировки поверхности решетки ионами кислорода с энергией, превышающей 1 кэВ, перед упрочнением на поверхность решетки наносят слойФормула изобретения Составитель В.КравченкоРедактор Л.Авраменко Техред М, Тепер Корректор Ю.Макаренко Заказ 5101/51 Тираж 5 18 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений иоткрытий 113035, Москва,.Ж, Раушская наб., д. 4/5щФилиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная,94362 родия,абомбардировку проводят при до эе, не превышающей 6 У ион/смйДифракционные решетки-матрицы изготавливают следующим образом.На полированную поверхность подложки решетки из стекла наносят термическим испарением в вакууме любым из известных методов слой алюминия с подслоем хрома толщиной,...

Номер патента: 957145

Опубликовано: 07.09.1982

Автор: Козлов

МПК: G02B 5/18

Метки: дифрационная, решетка

...регистрируемого сигнала.Целью изобретения является повышение эффективности решетки.Эта цель достигается тем, что подложка решетки выполняется из термочувствительного материала, причем сформированные на ней штрихи имеют угол блеска 90.Известно, что если угол дифракции, определяемый по формуле, становится равным или больше 90, то энергия этого порядка дифракции идет на образование поверхностной волны. Хорошо отражающие материалы обладают большим коэффициентом поглощения. Поэтому, образовавшаяся поверхностная волна быстро поглощается, т.е. нагревает подложку. Таким образом, решетка совмещает в себе функции диспергирующего элемента и,фотоприемника. Следует особо отметить, что энергия полностью поглощается независимо от длины...

Номер патента: 978093

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Иванова, Рудяк, Шувалов

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционная, оптическая, решетка, сегнетоэлектрическая

...снабженной электродами, связанными с источником питания, указанная пластина выполнена из кристалла с двумя сегнетоэлектрическими осями, а электроды ориентированы перпендикулярно к биссектрисе угла между этими осями.Предлагаемая решетка выполнена в виде плоскопараллельной пластины из сегнетоэлектрического сегнетоэластичного, те. имеющего две сег-" нетоэлектрические оси, кристалла, например из ИаН 3(ЯеЩ. Этот кристалл в, сегнетофазе имеет слоистую доменную структуру. Электроды, связанные с источником питания, ориентированы перпендикулярно к биссектрисе угла между сегнетоэлектри978093 Составитель В,КравченкоРедактор Н.Безродная Техред А,БабинецКорректор Н.Буряк Заказ 9211/62 Тираж 518 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам...

Номер патента: 995050

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Кремер, Темирбулатов

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционный, излучения, ответвитель, отражательный

...разрез,995050 ИПИ Заказ 638/32 Тираж 509 Подписи ППП "Патент", г, Ужгород, улЛроектная,4 3Предлагаемое устройство образовано набором чередующихся отражающих полос 1 и 2, выполненных из металлов с размещенными но близкими коэффициентами отражения, Полосы 1 и 2 могут быль, например, напылены на подложку 3 при условии равенства их толщин, При этом рабочая поверхность полос и ответвителя в целом является гладкой, коэффициенты отражения металлов, из которых выполнены соседние полосы, выбираются из диана-. 0 зона 0,8 - 0,99, а соотношение между ними - иэ диапазона 0,8 - 0,95.Диффракционный ответвитель работает следующим образом.Основная часть монохроматического иэлу чения, падающего иа ответвитель под углом б, отражается от него под...

Номер патента: 1027503

Опубликовано: 07.07.1983

Автор: Корешев

МПК: G02B 5/18

Метки: лучей, монохроматического, ортогональных, поверхности, пучка, расширения, цилиндрической

...рабочая дпииа волны9 - угол при вершине двугран ного угла.На фиг. 1 представлено сечение ЬОпредлагаемого устройства плоскостью,Фперпендикулярной штрихам решеток,на фиг. 2 - сечение плоскостью, царал"лельной этим штрихам, на Фиг. 3график зависимости коэфФициента рас шйрения пучка М от величины двугранйого угла Ч , образованного решетками.Устройство для расширения моно- хроматического пучка лучей, ортогональных цилиндрической поверхности, состоит нз двух плоских пропускающих или отражательных дифракционных решеток 1 и 2, образующих двугранный, угол Ч 1 (на фиг. 1 и 2 показана конструкция с пропускающими решетками). Штрихи решеток 1 и 2 ориентиро вавы параллельно ребру 3 двугранногоугла, а их пространственные периоды определяются из...

Номер патента: 1045201

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Балясников, Куинджи, Стрежнев, Стрельников

МПК: G02B 5/18

Метки: диффракционной, измерительной, пропускающей, решетки, фазовой

...вторую половинусистемы штрихов и наносят слой такой же толщины на открытую половинудругой грани штриховНа чертеже показано последовательнае видоизменение структуры рсшеткиматрицы в процессе ее изготовления.Предлагаемый способ реализустсяследующим образом,В слое 1 металла, напри;лер, алюминия, который был предварительнананесен на стеклянную подложку 2,алмазным резцом нарезают единую систему штрихов силметричкого двуграннога профиляПри этом грани 3 и 4нарсэанных штрихов составляют с поверхностью решетки угол сг, . Затеиэкранируют участок 5, поверхностиЛГРИЫ ПРЛМЕРНО Напи.ОвинУ ДЛИНЫштрихов и путем вакуумного испарения наносят на открытую половинуграни 3, саатветствуюшую незаэкранированному участку б поверхности,слой 7 материала,...

Номер патента: 1051481

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Стрежнев, Файзрахманов, Функ, Хайбуллин

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционных, копий, решеток, упрочнения

...упругих столкновений передают большую часть своей энергии атомам с.оя мегалла, в результате чего пост.едкие в большом количестве вбиваются в подложку, Благодаря этому слой метал.- ла прочно " пришивается" к полиэфирной смоле. Экспериментальным и теоретическим путем установлено что процесс "пришивания" слоя металла к полиэфирной смоле происходит при бомбардировке ионами любых элементов. Однако наибольшая эффективность процесса наблюдается при бомбардировке ионами элементов массой, равной или большей массы атомов бомбардируемого металла.Кроме того, экспериментальным и расчетным путем установлено, что наибольшая прочность сцепления слоя металла с подложкой достигает"я при выполнении определенного соотношения между величиной среднего...

Номер патента: 1094007

Опубликовано: 23.05.1984

Авторы: Журавлев, Куинджи, Саамова, Стрежнев

МПК: G02B 5/18

Метки: вогнутая, дифракционная, решетка

...к крутой грани штрихов.На фиг.1 представлена конструкция предлагаемой решетки в разрезе по ширине заштрихованной поверхности; на фиг,2 - схема отражения падающего на решетку излучения при угле "блеска" решетки.Вогнутая дифракционная решетка содержит слой 1 металлизации, на котором сформированы штрихи 2 двугранного ступенчатого профиля и который жестко скреплен с подложкой 3. Пологая 4 и крутая 5 грани всех штрихов 2 снабжены зеркальным покрытием, Угол 6 между этими гранями выполнен прямым, а угол А наклона пологих граней 4 штрихов решетки к касательной 6 ее образующей 7 определяется соотношением (1), При этом угол "блеска" решетки - о( отсчитывается от нормали 8 к ее образующей 7 в направлении нормали 9 к крутой грани 5 штрихов 2 и...

Номер патента: 1144074

Опубликовано: 07.03.1985

Авторы: Гримблатов, Калиниченко, Салистра

МПК: G02B 5/18

Метки: динамической, дифракционной, объемной, решетки

...а облучение осуществляют одним пучком при температуре жидкого азота.Способ осуществляется следующим образом.Излучение, падающее на входную грань подложки из компенсированного полупроводника, дифрагирует на плоской амплитудной решетке, в результате чего в объеме подложки образуется периодическое распределение интенсивности 1(х). При этом в области геометрической тени плоской амплитудной решетки величина 1(х) меньше; чем под ее щелями. Чтобы не допустить размытия дифракционных порядков в объеме полупроводника из-за многократных отражений от граней, их просветляют на рабочую длину волны. Просветление входной грани, кроме того, увеличивает контрастность плоской амплитудной решетки как отражающего, так и поглощающего типа. Таким образом,...

Номер патента: 1151904

Опубликовано: 23.04.1985

Авторы: Березин, Зорин

МПК: G02B 5/18

Метки: периодических, решеток, эквидистантных

...экспонирования на расстояние 300 мм. При ширине канавок, равной а=3 мм и соответствующей выражению (1), наблюдают удвоение пространственной частоты решетки (фиг. 3 и 4). 55 светочувствительного слоя относительно штрихов фотошаблона; на фиг. 3 - микрофотография фрагмента тестового фотошаблона с увеличением 500 х; на фиг. 4 - микрофотография соответствующего изображения в слое фоторезиста с тем же увеличением.Устройство включает источник 1 актиничного излучения, фотошаблон 2, выполненный в виде прозрачной для актиничного излучения пластины со ступенчатым прямоугольным профилем, и заготовку 3 со светочувствительным слоем 4. При этом фотошаблон 2 удален от слоя 4 заготовок 3 на расстояние Ь, определяемое соотношением 15 (1), высота ступенек...

Номер патента: 1164640

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Вильхельм, Рейнхард, Эрнст

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционных, механизм, поворота, приводной, решеток, смены

...Диапазонами блеска. Линейный относительно волнового числа привод решеток с косекансным механизмом для дифракционных решеток с последовательными диапазонами блеска используется без дополнительного механизма смены решеток. Один рычаг для каждой решетки неподвижно соединен с деркателем, 1(аждая решетка применяется в двух порядках спектра, для этой решетки на держателе установлены два. рычага, т,е. каждому рабочему подциапазону этой решетки соответствует один рычаг.Форма держателя и установленные на держателе юстируемые рычаги представляют собой линейный относительно волнового числа излучения косекансный привод решеток. Параллельная по отношению к линии решетки ось поворота неподвижно соединена с держателем,При этом рычаг,...

Номер патента: 1171744

Опубликовано: 07.08.1985

Авторы: Саамова, Стрежнев

МПК: G02B 27/44, G02B 5/18

Метки: диспергирующее

...соответствующих решеток 1 и 2. Кроме того, решетка 2 имеет возможность перемещения(2) 3),%=4,4 д,з 1 п ус соз 6 где (6 - угол блеска первой решетки 1;%- коротковолновая граница 25области пропускания устройства.Другая часть падающего излчения с Ъ с % ), будет дифрагировать в спектральные порядки 10 решетки 1. Для того, чтобы на вторую решетку 2 пада ло излучение только нулевого порядка 9 спектра решетки 1, решетку 2 смещают вдоль прямой 5 до тех пор, пока расстояние между центральными35 штрихами решеток не окажется равным величине г, соответствующей выражению (1), и поворачивают по дуге 6 окружности с радиусом г вокруг оси 3 на угол 6, = 29 . Угол др образо, ван входной ветвью 7 оптической оси устройства и прямой 5, Затем решетку 2...

Номер патента: 1185291

Опубликовано: 15.10.1985

Авторы: Алексеев, Гинзберг, Донцова, Злоказов, Проклов, Тихомирова, Шувалов

МПК: G02B 5/18

Метки: доменов, регулярной, сегнетоэлектрических, структуры, формирования

...границы 5 локальной неоднородности электрического поля, Этот до" мен под действием электрического поля начинает расти за счет бокового движения доменных стенок 10 и 11, Причем сначала передвигается доменная стенка 10, которая находится в области ступени 3 поля Е" а па достижении ею края пластины 1 - доменная стенка 11, расположенная в области пьедестала 4 поля. В процессе этого движения доменная стенка 11, не изменяя сваей конфигурации, последовательно проходит положения б, 7, 8 и т,д. и может быть зафиксирова - на в любом из них, например, в положении 8 снятием воздействия электрического поля. В связи с тем, что скорость бокового движения доменной стенки в сегнетоэлектриках однозначно связана с величиной приложенного...

Номер патента: 1195316

Опубликовано: 30.11.1985

Автор: Стожарова

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционных, отражательных, решеток, светорассеяния

...кривая 1) и голографической отражательной дифракционной решетке с частотой 1800 лин/мм (экспериментальная кривая 2), а также расчетные кривые 3 (распределение интенсивности в плоскости измерительной щели) и 4 (распределение интенсивности в плоскости фотоприемника), которые характеризуют интенсивность света, дифрагированного на краях решетки.Устройство включает лазер 1, коллиматор 2, держатель 3 испытуемой решетки, первый объектив 4, измерительную щель 5, второй объектив 6, диафрагму 7 и фотоприемник 8. Держатель 3 установлен в передней фокальной плоскости обьектива 4 с возможностью вращения вокруг оси 9, перпендикулярной оптической оси 10 устройства. Измерительная щель 5 установлена в задней фокальной плоскости объектива...

Номер патента: 1211607

Опубликовано: 15.02.1986

Автор: Пимшин

МПК: G01C 15/02, G02B 5/18

Метки: дифракционного, марка, спектральная, створофиксатора

...винтами 3, и экрана 4, Экран 4 выполнениэ четырех центральносимметричныхчастей с Г-образными щелямн 5. Каждая из частей экрана 4 снабжена независимыми механизмами перемещения.С одной из сторон прямоугольногокорпуса 1 марки микрометренные винты 6, навинченные на стержни 7, снаб 0жены установочными магнитами 8 иарретирами 9.Устройство работает следующимобразом.При выверке элементов конструкций марку устанавливают в районе нхсопряжения. При этом механизмы вертикального перемещения, расположенные над базовым элементом, закреплены в направляющих 2 корпуса 1 30винтами 3, а установочный магнит 8закреплен арретиром 9. Механизмывертикального перемещения, расположенные над исследуемым элементом,откреплены, и раэарретирован соответствукицим...

Номер патента: 1267334

Опубликовано: 30.10.1986

Авторы: Власенко, Назаренков, Стерлигов

МПК: G02B 5/18

Метки: голографической, дифракционной, процесса, решетки

...интенсивность 50 в том первом порядке дифракции одного из пучков, который совмещен со вторым порядком дифракции второго пучка. Данный способ позволяет использовать для контроля решетки тот , 55 же лазерный источник, который используется для ее изготовления, однако по указанным причинам, интервал пространственных частот ограничен ив этом случае.Цель изобретения - расширение области пространственных частот решетки до предельно возможных для даннойдлины волны записи .Поставленная цель достигается тем,что в способе контроля процесса изготовления голографической дифракционной решетки, включающем измерение интенсивности в первом порядкедифракции одного из пары пучков, которые интерферируют и дифрагируют наповерхности изготавливаемой...