Высокочастотная дифракционная решетка

. Союз СоветсиикСфциаиистичесюеРеспубпик 678442уф М 02 В 5/18 вки-с присоединением (23) Приоритет -Аарстввнныв вв СССР Авлам вэварете и открутив(71) Заявитель ННАЯ РЕ 111 ЕТКА 4) ВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ДИФРА изготов нно юго Известны дифракционные решетки, получаемые накаткой полиэтиленовой пленки 11.Известны также низкочастотные дифракцион.нь 1 е решетки с расширенной областью концентрации дифрагированного решеткой излученияи способы ихизготовления 2. Способы изготовления решеток сводятся к нанесению настеклянную подложку путем напыления в ва.кууме слоя пластичного материала, например. алюминия, В алюьяниевом слое алмазным рез-1 Еэм путем пластической деформации формируется штрих, причем резец перемещается в направле.нии рабочей грани штриха, вследствие чего рабочая грань штриха деформируется и профиль ее, представляет ломаную линию,Недостаток стособа заключается в том, чтоон практически не обеспечивает изготовлениярешетки с требуемым профилем штриха, так.как в результате деформации кромка и при.легающая к ней часть рабочей грани штриха,Изобретение относится к техноло ения дифракционных решеток с ра областью концентрации дифрагирова лучения. получаются шероховатыми (с зазубринами, заусенцами), что приводит к значительному увеличению рассеяния света решеткой, вследствиечего невозможно получать решетку удовлетво-рительного качества. Кроме того, решетки, изготовленные данным способом, имеют незначительное расширение области концентрацииизлучения. Известен способ, при котором настеклянную подложку наносится также слойпластичного материала 3. Путем пластической деформации материала алмазным резцомформируется штрих, При обратном ходе рез.цовой кареьки резец деформирует гребеньпприха (вершину), в результате чего рабочаягрань имеет две отражающие плоскости. Этотспособ трудно реализовать для нарезания высокочастотных решеток (600-2400 штр/мм),так как трудно ориентировать резец на гре.бень, вследствие чего отражающие плоскости,образованные при обратном ходе резца, не вфазе как между собой, так и с отражаюшимиплоскостями, образованными при прямом ходерезца, поэтому решетка не пригоднадля спек-троскопических целей,3Целью изобретения является изготовлениевысокочастотных решеток с расширенной об.пастью концентрации дифрагированного решеткой излучения,Укаэанная цель достигаетя тем, что надслоем пластичного материала размещено не менее двух дополнительных слоев из пластичныхматериалов, причем модули упругости всехслоев от слоя к слою изменяются монотонно,На фиг. 1 представлена решетка, выполненная на пластичных слоях с увеличивающимсямодулем упругости; на фиг. 2 - то же, с уменьшающимся модулем упругости.На стеклянную подложку 1 вакуумным напылением наносят подслой 2 хрома, которыййеобходим для увеличения адгезии "к стеклупоследующего слоя. Затем вакуумным напылением наносят слой пластичного материала 3,например алюминия. После этого наносят вакуумюым 1 напылением последующие дополнитель.- ейные слби пластичных материалов с увеличйвающиь+ся модулем упругости, например слой 4. меди, а затем слой 5 никеля. Устанавливаютзаготовку на делительную машину и производят нарезание штрихов решетки алмазным рез.цом мЕтодом пластической деформации матери.=ала всех- слоев за исключением подслоя хрома.Поскольку модули упругостй слоев-возрастают,начиная от подложки, то они пластически де.формируются на разную величину, а именно:поис меныпим модулем упругости деформируются больше, вследсгвие чего часть грани штриха, образованная слоем с меньшим модулемупрутости, будет иметь меньший угол наклонакповерхности подложки, чем часть грани по.следующего слоя, имеющего больший модульупрутости, и т,д. В этом случае профиль рабо.чей грани штриха будет иметь ломаную вогнутую кривую линию и решетка будет иметьрасширенную область концентрации дифрагированного излучения в длинноволновую областьспектра. Для увеличения дифрагированного 4решеткой излучения решетку, после нарезанияштрихов, покрывают слоем, повышающим от.ражение в заданной области спектра,С целью получения решетки с расширенной;областью концентрации дифрагированного иэлу.чения в коротковолновую область спектрапластичные слои наносят на стеклянную подлож.ку 1 с уменьшающимся модулем упругости,начй.ная от подложки, например, никель, медь, алю.1 о миний, Затем нарезают штрихи решетки алмазным резцом путем пластической деформациивсех сйоев, В этом случае из.за различной величины деформации слоев профиль рабочей грани 6 штриха будет иметь ломаную выпуклую 15 кривую линию и решетка будет дифрагироватьизлучение с расширением области концентрациив коротковолновую область спектра,На чертеже поэ, 7 - вогнутая рабочая граньштриха.гоФормула изобретенияВысокочастотная дифракционная решетка,25 содержащая подложку с нанесенными на неездгезионным подслоем и слоем пластичногоматериала, в котором выполнены параллельныедруг другу штрихи о т л и ч а ю щ а я с ятем, что, с целью расширения области концентра.30 ции дифрагируемого излучения, над слоем пластичного материала размещено не менее двухдополнительных слоев из пластичных материалов,причем модули упругости материалов всех слоевот слоя к слою изменяются монотонно.зБ Источники информации, принятые во внима.ние при экспертизе1. Борисевич Н, А, и др. Инфракрасныефильтры. Минск, 1971, с. 62 - 64,2, ИатввнтСША Иф 3045532, кл. 88 - 14,40 1964.3. "Оптико. механическая промышленность",957, Мо 4, с. 56 - 60,678442 г.Я оставитель В. Ванторин ехред;СМигай,орректо дактор Л, Тюр ласен каэ 4554/36 и П одписноССР по 3035, ППП "Патент", г, Ужгород, ул ектная, 4 аж 588 ПИ Государственного комитета Селам изобретений и открытийМосква, Ж - 35, Раушская набд. 4/