Способ изготовления дифракционных решеток-матриц для копирования реплик
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 943625
Авторы: Стрежнев, Файзрахманов, Функ, Хайбуллин
Текст
ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик и 943625(51) М. Кл. с присоединением заявки М С 02 В 5/18 ЯжударетаеааыЯ юиитет ОЕСР в дави изобретенЯ и открытаЯ(72) Авторы изобретения С.А.Стрежнев, Л.А.функ, И.Б.Хайбуллин и И.А.Файзрахманов физико-технический институт Казанского Филиала АН СССР(71) Заявитель 54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИФРАКЦИОННЫХ РЕШЕТОК-МАТРИЦ ДЛЯ КОПИРОВАНИЯ РЕПЛИКИзобретение относится к технологии изготовления оптических элементов, в частности дифракционных решеток.По основному авт,св. 11561923 из вестен способ изготовления дифракционных решеток-матриц для копирования реплик путем нанесения на копированную подложку из стекла подслоя металла, например хрома, слоя алюми о ния, Формирования штрихов решеток и упрочнения поверхности сформированной решетки, причем упрочнение производят путем бомбардировки поверхности решетки ионами кислорода 15 с энергией, превышающей, 1 кэВ. При этом для получения упрочненной поверхности дифракционных решеток слой алюминия бомбардируют дозами. обеспечивающими стехиометрическую 2 о концентрацию вводимых атомов, т.е. дозами, превышающими 1016 ион/см.Однако бомбардировка слоя алюминия такими большими дозами приводит к увеличению светорассеяния в решетках, обусловленному с одной стороны оптической неоднородностью пленкиокиси алюминия, образующейся в приповерхностном слое покрытия в результате бомбардировки, а с другой происходящим при этом неравномерным распылением алюминиевого слоя,Цель изобретения - уменьшение . светорассеяния.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовления дифракционных решеток-матриц для копирования реплик путем нанесения на полированную подложку из стекла подслоя металла, например хрома, слой алюминия, формирования штрихов решеток и упрочнения поверхности сформированной решетки, причем упрочнение производят путем бомбардировки поверхности решетки ионами кислорода с энергией, превышающей 1 кэВ, перед упрочнением на поверхность решетки наносят слойФормула изобретения Составитель В.КравченкоРедактор Л.Авраменко Техред М, Тепер Корректор Ю.Макаренко Заказ 5101/51 Тираж 5 18 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений иоткрытий 113035, Москва,.Ж, Раушская наб., д. 4/5щФилиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная,94362 родия,абомбардировку проводят при до эе, не превышающей 6 У ион/смйДифракционные решетки-матрицы изготавливают следующим образом.На полированную поверхность подложки решетки из стекла наносят термическим испарением в вакууме любым из известных методов слой алюминия с подслоем хрома толщиной, необходимой для нанесения штрихов 16 дифракционных решеток.В слое алюминия формируют штрихи решеток при помощи прецизионных алмазных резцов на специальных дели- тельных машинах. На поверхностный 5 слой алюминия, в котором сформированы штрихи решеток, наносят родий катодным методом, а затем бомбардируют быстрыми ионами кислорода до зой не более 6 10 ион/см на ионном 2 в5ускорителе, например ИЛУ. При этом между слоями алюминия и родия образуется переходный слой алюминий-ро" дий, прочно связанный со слоем алюминия.П р и м е р. Слой алюминия толщиной 1 мкм наносят с подслоем хрома на подложку из стекла термическим испарением в вакууме. Затем в слое алюминия формируют на специальных 30 делительных машинах с помощью алмазных резцов штрихи решеток, После Формирования штрихов на решетку наноО сят слой родия толщиной 300 А катод ным способом, а затем решетку бом 5 4бардируют быстрыми ионами (100 кэВ) кислорода на ионном ускорителе ИЛУДоза облучения 6 10 ион/см, плотЯ. ность тока порядка 1 мкА/смфДоза бомбардируемых ионов, не превышающая 6 1 О"ион/см , позволяет упрочить поверхностный слой решетки путем увеличения прочности сцепления родня со слоем алюминия за счет образования переходного слоя родийалюминий, В то же время бомбардировка ионами кислорода предлагаемой дозой позволяет уменьшить в 2-5 раз по сравнению с известным способом рас- сеяние света поверхностным слоем дифракционных решеток эа счет улучшения ее поверхностной структуры,Таким образом, использование изобретения позволяет существенно уменьшить рассеяние света в дифракционных решетках. Способ изготовления дифракционных решеток-матриц для копирования реплик по авт.св. 561923, о т л и -. ч а ю щ и й с я тем, что, с целью уменьшения светорассеяния, перед упрочнением на поверхность решетки наносят слой родия, а бомбардировку проводят при дозе, не превышающей 6 10 ион/см
СмотретьЗаявка
3214879, 05.12.1980
ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ КАЗАНСКОГО ФИЛИАЛА АН СССР
СТРЕЖНЕВ СТЕПАН АЛЕКСАНДРОВИЧ, ФУНК ЛИДИЯ АНТОНОВНА, ХАЙБУЛЛИН ИЛЬДУС БАРИЕВИЧ, ФАЙЗРАХМАНОВ ИЛЬДАР АБДУЛКАБИРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G02B 5/18
Метки: дифракционных, копирования, реплик, решеток-матриц
Опубликовано: 15.07.1982
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-943625-sposob-izgotovleniya-difrakcionnykh-reshetok-matric-dlya-kopirovaniya-replik.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления дифракционных решеток-матриц для копирования реплик</a>
Предыдущий патент: Измеритель высоты нижней границы облаков
Следующий патент: Устройство для крепления оптического зеркала в оправе
Случайный патент: Устройство для настройки резцов сборных фрез