G01N 22/00 — Исследование или анализ материалов с использованием сверхвысоких частот

Номер патента: 1264051

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Григас, Демин, Калесинскас, Суслов

МПК: G01N 22/00

Метки: датчик, параметров

...наб., д.4/5 3/43ИИПИ Государствпо делам изобр3035, Москва, Ж аказ 5 Производственно-полиграфическое предприятие,г.Ужгород, ул.Проектная,Изобретение относится к технике радиоизмерений и может быть использовано для измерения погонного сопротивления микропровода,На фиг.1 приведена конструкция датчика для измерения параметров магнитных материалов; на фиг.2 разрез А-А на фиг.1,Датчик для измерения параметров материалов содержит отрезок 1 прямо О угольного волновода, согласованную нагрузку 2, разделенную сквозной прорезью 3, продольные щели 4 исследуемый материал 5 (микропровод).Датчик для измерения параметров материалов работает следующим образом.В продольную щель 4 вводят исследуемый материал 5 и через свободный конец отрезка 1...

Номер патента: 1275274

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Ермилов, Михайлов, Ожигин

МПК: G01N 22/00

Метки: движущейся, концентрации, локального, плазмы, столкновения, частоты, электронов, эффективной

...образом.Сигналы обеих частот, принятые приемной антенной 8, через фильтры 11 и 12 разводятся на смесители 13 и 14, на котор е подаются также 35 опорные сигналы с генераторов б и 7. Выделенные в смесителях 13 и 14 сигналы разностных частот ЬЙ и дй поступают на регистратор 15. По измеренным значениям д Г и 6 Г с момента 40 прихода фронта ударной волны к приемной антенне 8 определяют зависимости С,Г(е) и С, й(е) и по номограммам находят профили 11 =Й е), Ч =Е;е) . Если измерения проводятся на таких 45 частотах, когда длина волны в волноводе существенно отличается от длины волны в свободном просТранстве, расчет номограмм проводится по иным формулам с учетом изменившейся для ны волны.3В результате сложения излучаемого радиосигнала и...

Номер патента: 1275328

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Литвинов, Лозяной, Пика, Прудкий, Сафонов, Юров

МПК: G01N 22/00, G01R 27/06

Метки: магнитоэлектриков, параметров

...и может быть использовано для измерения комплексной диэлектрической и компонентов тензора магнитной проницаемости вещества, 5Цель изобретения - повышение точности измерений.На чертеже представлена структурная электрическая схема устройства для измерения параметров магнитоди 1 О электриков.Устройство для измерения параметров магнитодиэлектриков содержит усилитель 1 СВЧ, первый направленный ответвитель 2, резонатор 3, образован" ный из исследуемого материала в виде правильного цилиндра из магнитозлектрика, размещенный в магнитном поле, фазовращатель 4, второй направленный ответвитель 5, частотомер 6, измеритель 7 добротности, подключенные к резонатору 3, нанример, через третий направленный ответвитель 8, электромагнит 9 и источник 10...

Номер патента: 1276965

Опубликовано: 15.12.1986

Авторы: Вацеба, Клим, Романюк, Федорив

МПК: G01N 22/00

Метки: кристаллов, сегнетоэлектрических, униполярности

...в следующем.11 рикладывают вдоль сегнетоэлектрического направления сегнетоэлектрических кристаллов квазистационарное электрическое поле одного направления, регистрируют интенсивность собственного электромагнитного излучения, воэникакяцего при переполяриэации всех доменов, ориентированных противоположно приложенному квази- стационарному электрическому полю, затем изменяют направление квазистационарного электрического поля, регистрируют интенсивность собственного электромагнитного излучения, возникающего при переполяризации всех доменов и по величине отношения первого сигнала к второму определяют степень униполярности и знак преимущественного направления поляризации, который соответствует направлению первого из приложенных...

Номер патента: 1276966

Опубликовано: 15.12.1986

Авторы: Балан, Ванкевич, Кучин, Пиротти, Черенков, Черепнев, Щербаков

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектрических, параметров

...- обеспечениеисследования параметров биологических объектов при воздействии на нихэлектромагнитных полей.На чертеже представлена конструкция устройства для измерения параметров диэлектрических материалов.Устройство для измерения параметров диэлектрических материалов содержит резонатор 1, выполненный открытым и образованный двумя сйерическими зеркалами, расстояние между краями которых является запредельным,камеру 2 для размещения исследуемого материала, связанную с резонатором 1 посредством запредельного волновода 3, который расположен на оси,перпендикулярной оси резонатора 1,первый элемент ввода 4 и элемент вывода 5 СВЧ-энергии, выполненные соответственно на сйерических зеркапахрезонатора 1 на его оси, второй элемент ввода 6...

Номер патента: 1281986

Опубликовано: 07.01.1987

Авторы: Водотовка, Скрипник, Таран

МПК: G01N 22/00

Метки: волны, излучения, коэффициента, пропускания, средой, электромагнитного

...4 фиксирования им мощности Р, который аналитически описывают кваэилинейной за 5 висимостью видаУ = А+ К,Р = А 4+ К(Р, + дР ) (17)где А - начальный уровень выходно 4го сигнала У измерительФного преобразователя 5 вмомент измерения мощности Р 1 .Далее вводят в запоминающее устройство вычислительно-управляющегоблока 6 кодовое значение выходногосигнала У, апгоритм аналитическогоописания (17) выходного сигнала У 4 .Как показали экспериментальныерезультаты применения предлагаемогоспособа измерения, суммарное времяпроведения четырех измерительных 20 тактов (8), (10), (15) и (17), учитывая и время вычисления значения Твычислительно-управляющим блоком 6,находится в пределах 0,6 - 0,8.с.Это позволяет принять в пределах 25 квазилинейиого участка...

Номер патента: 1285361

Опубликовано: 23.01.1987

Авторы: Косякин, Пчельников

МПК: G01N 22/00

Метки: датчик, магнитных, параметров

...канавки.Датчик для измерения параметров магнитных материалов работает следующимобразом.Поскольку в отрезке 1 коаксиальной линии возбуждается волна типа Т, то еслиисследуемый микропровод намотан по спирали относительно оси отрезка 1 коаксиальной линии между ее внешним и внутренимпроводниками 2 и 3 по спиральному желобку 6, электрическая составляющая поляне взаимодействует с исследуемым микропроводоми, следовательно, его проводимость не влияет на измерение. При этомпроисходит взаимодействие магнитной составляющей поля, силовые линии которого 40имеют форму окружностей с центрами по оси отрезка 1 коаксиальной линии,с исследуемым микропроводом 7 и, следовательно, магнитные свойства исследуемого микропровода 7 оказывают влияние на...

Номер патента: 1298621

Опубликовано: 23.03.1987

Авторы: Артемьев, Кирякин, Конюхов, Русаков, Рыжанина, Юраскин

МПК: G01N 22/00, G01N 27/90

Метки: неразрушающего, ферромагнитных

...сигнал с измерительной обмотки 11 второго индукционного преобразователя 9 поступает на первый вход Фазокомпенсатора 12, на второй :вход которого поступает сигнал с по,песоэдающей обмотки 1 О. Фазокомпенсатором 12 производится подстройка фазы и уровня сигнала так, что образцовой (годной) детали напряжение на выходе Фазокомпенсатора 2 равняется нулю, При наличии испытуемого изделия .16, отличающегося от образцовой детали, разностное напряжение с выхода Фазокомпенсатора 12 поступает на вход второго детектора 13 с выхода которого сигнал поступает на вход масштабирующего усилителя 15, Масштабированный по амплитуде сигнал поступает на вход второго компаратора 4.Таким образом, в процессе контроля на вход первого компаратора 6 поступает...

Номер патента: 1305583

Опубликовано: 23.04.1987

Авторы: Куликовских, Лившиц, Ромбак, Рудой, Яновский

МПК: G01N 22/00

Метки: импульсного, методом, парамагнитного, резонанса, фотолиза, электронного

...изобретения - повышение чувствительности и упрощение конструкции устройства.На чертеже показано предлагаемоеустройство, разрез.Устройство для импульсного фотолиза методом электронного парамагнитного резонанса содержит прямоугольный одноволновый СВЧ-резонатор 1,элемент 2 модуляции, включающий двеметаллические трубки 3 и 4 с продольными окнами 5 и б, источник световыхимпульсов, выполненный в виде газоразрядных приборов 7 и 8, исследуемый образец, заключенный в пробирку9, вводы 10 и 11 питания газоразрядных приборов и окно 12 связи,Устройство работает следующимобразом,Магнитное поле устанавливают таким, при котором ожидают появлениекомпоненты сигнала электронного парамагнитного резонанса (ЭПР), затем периодически повторяют вспышку света...

Номер патента: 1305584

Опубликовано: 23.04.1987

Авторы: Барабохин, Безбородов, Гура, Лавриненко

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектрических, параметров, свч-датчик, сред

...параметров диэлектрических 10сред; на Фиг. 2 - распределенияэлектромагнитного поля в диэлектрическом резонаторе и электромагнитного поля основной волны в прямоугольном волноводе со щелью в широкойстенке.СВЧ-датчик для измерения параметров диэлектрических сред содержитпрямоугольный волновод 1 с продольной щелью 2, ячейки 3 и 4 для эталонной и исследуемой сред соответственно, отрезок 5 прямоугольного волновода с детектором, первый 6 и второй 7 идентичные диэлектрическиерезонаторы, а также первый 8 и второй 9 регулировочные винты,СВЧ-датчик для измерения параметров диэлектрических сред работаетследующим образом,30При одинаковых параметрах сред в,ячейках 3 и 4, расположенных в непосредственной близости от продольнойщели 2 прямоугольного...

Номер патента: 1307315

Опубликовано: 30.04.1987

Авторы: Беляков, Храпко

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектриков, жидких, параметров, ячейка

...волны от диэлектрических свойств раствора в кипилляре 20 обеспечивает высокую чувствительность параметров резонанса к малымизменениям свойства раствора,д =71/6,где 3 - длина рабочей волны;- действительная часть диэлектрической проницаемости водыв данном диапазоне рабочихчастот,Ячейка для измерения параметров жидких диэлектриков работает следующим образом, 30При распространении СВЧ-сигнала в отрезке прямоугольного волновода 1 тонкостенный капилляр, незаполненный исследуемым диэлектриком, вносит незначительные потери и возмушение в 35 СВЧ-поле. При заполнении тонкостенного капилляра водой или водным раствором, имеющим высокое значение диэлектрической проницаемости в данном диапазоне (Е" " 20-30 ), структу ра СВЧ-поля в отрезке...

Номер патента: 1317339

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Аносов, Трухан

МПК: G01N 22/00

Метки: полупроводниковых, сопротивления, удельного

...14 видеодетектора б и источника 12 опорногонапряжения, Управляемый источник 10света (светодиод), включенный последовательно между выходом дифференциального усилителя 8 и регистратором11, освещает дополнительный полупровоцниковый образец 5, причем его световой поток пропорционален току дифференциального усилителя 8. Добротность измерительного резонатора 1 определяется при этом проводимостью исследуемого образца, дополнительногополупроводникового образца 5 и неравновесной проводимостью, возникающейпри освещении дополнительного полупровоцникового образца 5 при .освещении его от управляемого источника 10света, Величина добротности задаетсяисточником 12 опорного напряжения засчет, регулирования величины фотопотерь СВЧ-мощности в...

Номер патента: 1320722

Опубликовано: 30.06.1987

Авторы: Васильев, Зеленков

МПК: G01N 22/00

Метки: многослойных, неметаллических, слоев, толщин

...слоя ИИ используют для расчета толщин каждого из слоев и решения соответствующей системы уравнений. 1 ил.+ь, )+ Периферийное устройство 13 содержит блок регистрации обработанной информации и пульт управления режимами работы отдельных устройств. Исследуемое изделие 14 в общем случае содержит Я слоев, Перемещение изделия осуществляется с помощью привода, который связан с синхронизатором 15, задающим работу генератора тактовых импульсов ЭВМ. 10 Формула изобретенияСпособ определения толщин слоев многослойных неметаллических изделий, включающий многократное зондирование исследуемого изделия электромагнитным излучением, измерения коэффициентов отражения от исследуемого изделия и расчет толщины каждого из слоев, о т л и ч а ю щ и й с я...

Номер патента: 1320723

Опубликовано: 30.06.1987

Авторы: Белов, Третьяков

МПК: G01N 22/00

Метки: микроволновый, спектрометр

...Микроволновый спектрометр работает следующим образом.Частотно модулированное излучение генератора 2 источника 1 расщепляется 35 делителем 4 излучения на два луча, один из которых направляется в первую 5 и вторую 6 ячейки, а другой в резонатор 9 фабри-Перо, настроенный на частоту излучения. При отклонении 40 частоты излучения от собственной частоты резонатора 9 на детекторе 10 возникает сигнал с частотой, равной частоте модуляции, который после усилителя 14, синхронного детектора 17 45 поступает на управляемый блок 3 питания источника 1 и изменяет его выходное напряжение так, чтобы устранить это отклонение. Таким образом, частота излучения перестраиваемого 50 генератора 2 автоматически настраивается на собственную частоту резонатора 9...

Номер патента: 1322131

Опубликовано: 07.07.1987

Авторы: Колесниченко, Прудкий, Сафонов, Усенко

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектрических, параметров

...также согласованные нагрузки 10,смеситель 11, индикатор 12Устройство для измерения параметров диэлектрических материалов работает следующим образом.Две пары элементов 8 и 9 связи,отрезок первичной линии 5 передачи 30образуют два направленных ответвителя. На резонансных частотах осесимметричных диэлектрических резонаторов 6 при оптимальных связах черезэлементы 8 и 9 связи сигналы в установившемся режиме с выходов СВЧусилителей 3 возбуждают осесимметричные диэлектрические резонаторы 6,При расположении элементов 8 и 9 связи под углом 90 по азимуту в осесимметричных диэлектрических резонаторах 6 возникают автоколебания насобственной частоте, на типе колебаний НЕ, в режиме бегущей волны,т.е, с круговой вращающейся поляризацией, которые...

Номер патента: 1332205

Опубликовано: 23.08.1987

Автор: Сидорин

МПК: G01N 22/00

Метки: датчик, параметров, полупроводниковых

...2, а на другой в . два взаимно перпендикулярных полосковых проводника 3 и 4, выполненные с зазором 5 в области их пересечения, магнитную систему, состоящую из источника 6 питания и электромагнита, на одном из полюсов 7 которого размещено заземляющее основание 2.Датчик для измерения параметров полупроводниковых материалов работает следующим образом.На поверхность полосковых проводников 3 и 4, образующих две полосковые линии, перекрывая область их пересечения, накладывают исследуемый полупроводниковый материал 8. В отсутствии магнитного поля В электрогмагнитная волна от генератора распространяется только в передающем тракте и не проходит в приемный. В области исследуемого материала 8 над зазором 5 в полосковом проводнике 3...

Номер патента: 1337744

Опубликовано: 15.09.1987

Авторы: Мамонов, Мисник, Рябец, Стручков, Хоминский

МПК: G01N 22/00

Метки: мерзлых, нагрева, пород, разупрочнения, свч, энергией

...друг с другом, причем излучатель4 устанонлен так, чтобы ось 5 егосовпадала с плоскостью соприкосновения образцов или была смещена на величину Ь , равную расстоянию от неедо исследуемого сечения эоны раэупрочнения. Затем произнодится облучениеобразцаСВЧ-электромагнитным полем. После облучения образцы 1 отделяются друг от друга и на обеих поверхностях соприкосновения производится измерение прочностных характеристик и температуры известными способами, например динамическим плотномером по ГОСТУ 9693-67. олученные значения прочностных характеристик и температуры усредняются, строятся изолинии, в результате получается картина распределения прочностных харак теристик и температурного поля в исследуемом сечении зоны разупрочнения.Для...

Номер патента: 1341559

Опубликовано: 30.09.1987

Авторы: Искин, Руденко

МПК: G01N 22/00

Метки: биологической, исследования, свойств, среды

...и второй7 ячеек соответственно, расположеныот короткозамкнутой металлическойпластины 3 на расстояниях, равныхсоответственно п/2 и (2 Е) /4,где и и 1 - целые числа, Я - длина волны,Устройство для исследованиясвойств биологической среды работаетследующим образом,СВЧ-генератор 1 возбуждает в диэлектрическом стержне 2 стоячие волны СВЧ-излучения на частоте Г причем, будучи погружен в высокопровс .дящий на СВЧ физиологический раствор 10203045 595, диэлектрический стержень 2 представляет собой линию связи, близкую к обычному металлическому волноводу, Липидные мембраны 12 расположены в зонах максимальногс воздействия СВЧ- поля, т,е. в пучностях стоячей волны, а липидные мембраны 13 - в узлах стоячей волны СВЧ-из:гучения. Поэтому наличие...

Номер патента: 1345100

Опубликовано: 15.10.1987

Автор: Лауринавичюс

МПК: G01N 22/00

Метки: бесконтактного, параметров, полупроводниковых

...волны.Напряжение Ч=й/й, индуцируемое в катушке 8, определяется через потокосцепленияэтой катушки. По аналогии с трансформатором можно записатьЧ= д К (1) где С - геометрический фактор (число витков, конфигурация обмоток, объем и т.д,);т - ток через катушку связи; м - круговая частота;1 х - магнитная прсницаемость,определяющая связь между переменным полем Ь, возбуж,ценным н исследуемом образце, и возбуждающим полем Ь . Если ось катушки 8 связи параллельна направлению возбуждающего поля Ь , имеем 8 с - ГУхх (Рхх+ Ря ) + л.д(О/иь)и = 1 - (2)ь ;2 -. +або(м/ы)-(ы,/ыИ,= + 1"Полное сопротивление катушки связи с исследуемым образцом равно Поворачивая контейнер 10 с исследуемым анизотропным образцом 11 внутри катушки 8 связи, меняем поток...

Номер патента: 1346985

Опубликовано: 23.10.1987

Автор: Шуров

МПК: G01N 22/00

Метки: бесконтактного, механических, резонансных, частот

...ддной погрешностипри изменении частоты а автогенератора от факторовкомплексных воздействий и угловых характеристик(,9диаграммы направленности рупорногоизлучателя 6, атакже расстоянияЬ до исследуемогообъекта 13;Ь,(0) - изменения фазовогонабега сигнала засчет эффекта динамического затягивания частоты;Й - круговая частотавибрации; Ьу,(0), 6 О - соответственно диапазоны динамического и статическо 40 В силу нелинейного характера проводимости автогенератора СВЧ 1 возникает спектр сложного колебания сме" шанной амплитудно-частотной модуляции. При этом на выходе детекторной 45 секции 3 выделяется сигнал частотыР с амплитудой Ц,(О) = А(0),посредством измерения величины которой может быть определена амплитудавибросмещения непосредственного через...

Номер патента: 1350570

Опубликовано: 07.11.1987

Авторы: Кондратьев, Михальцевич, Сокулин, Федотов

МПК: G01N 22/00

Метки: датчик, пленки, полимерной, толщины

...8 и 13 и Формирователь11 в нулевом состояниях, выходы дешифратора 14 - в высокоимпедансномсостоянии, все прп-диоды - в режимезапирания и СВЧ-резонатор 2 невзаимодействует с полимерной пленкой 22; счетчик 8, тактируемыйкварцевым генератором 6, работает врежиме суммирования и управляетЦАП 9, Формирующим нарастающее пилообразное напряжение (фиг. За), модулирующее по частоте СВЧ-генератор 1.В момент, когда частота СВЧ-генератора 1 совпадает с резонансной частотой СВЧ-резонатора 2, не взаимодействующего с пленкой 22, сигнал навыходе детектора 23 принимает экстремальные значения (фиг. Зв) и срабатывает регистратор 10 (Фиг. Зс).Триггер 7 перебрасывается в нулевоесостояние (Фиг. Зд), переключая реверссчетчика 8 в режим вычитания,...

Номер патента: 1355914

Опубликовано: 30.11.1987

Авторы: Авгуцевич, Григулис, Силиньш

МПК: G01N 22/00

Метки: измеритель, параметров, слоистых, электро-физических

...материала 6, индикатор 7 соединен с короткозамкнутым отрезком 3 посредством элемента связи, расположенногомежду входом излучателя и отверстиемсвязи,Измеритель электрофизических пара 50метров слоистых материалов работаетследующим образом,СВЧ-энергия от СВЧ-генератора 1распространяется по короткозамкнутомуотрезку 3 и возбуждает конец внут 55реннего проводника 4 отрезка 2 коаксиальной линии, Таким образом, поступая на выход излучателя и взаимодей 142ствуя с контролируемым образцом, часть СВЧ-энергии. проходит мимо конца внутреннего проводника 4 и отражается от короткозамкнутого конца 5, При нагружении выходы излучателя проводящим контролируемым материалом 6 без слоя диэлектрика при выполнении условий(0,2-0,24) Ъ 1 = (026-03)...

Номер патента: 1355915

Опубликовано: 30.11.1987

Авторы: Думеш, Костромин, Русин

МПК: G01N 22/00

Метки: автодинный, диапазонов, миллиметрового, радиоспектрометр, субмиллиметрового

...измерений,Целью изобретения является расширение полосы рабочих частот и повышение быстродействия. 10На чертеже приведена структурнаяблок-схема автодинного радиоспектрометра миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов,Автодинный радиоспектрометр содержит аротрон 1 с герметизирующей радиопрозрачной перегородкой 2, зеркало 3, периодическую структуру 4, катод 5, патрубок 6, волновод 7, СВЧгенератор 8, частотомер 9, источник10 питания анода оротрона, регистратор 11, первый блок 12 управленияпитанием анода оротрона, второй блок13 управления механизмом 14 перемещения зеркала 3. 25Автодинный спектрометр миллиметрового и субмиллиметрового диапазоновработает следующим образом. После заполнения через патрубок З 0 6 поглощающей ячейки...

Номер патента: 1355916

Опубликовано: 30.11.1987

Авторы: Гуревич, Козлов, Куров, Перельман, Потапов, Путилов, Путилова, Циферблат

МПК: G01N 22/00

Метки: внутренних, датчик, металлических, размеров, труб

...внутренним 1 и наружным 2 проводниками, крышку 3 и втулку 4.Устройство для контроля внутреннихразмеров металлических труб содержитгенератор 5, двойной Т-мост 6 с плечами 7-10, аттенюаторы 11, поршень12, осциллограф 13, коаксиал 14, датчик 15 поршень 16, детектор 17.Устройство для контроля внутреннихразмеров металлических труб работаетследующим образом,В плечо 7 двойного Т-моста 6 подаются прямоугольные импульсы волн СВЧ,которые через плечи 9 и 10 и аттенюаторы 11 поступают на поршень 12 и навнутреннюю поверхность контролируемойметаллической трубы 18. Отраженные отпоршня 16 и трубы 18 волны поступаютна детектор 17 в плече 8 нот него наосциллограф 13.Напряженность электрического поляСВЧ-волны, поступающей от поршня 16на детектор 17, может...

Номер патента: 1357808

Опубликовано: 07.12.1987

Авторы: Водотовка, Глазков, Скрипник, Таран

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектрического, толщины

...4 Изобретение относится к техникеСВЧ и может быть использовано дляконтроля тошгины диэлектрическогоматериала,Цель изобретения - повышение точ.ности измерений,На чертеже приведена структурнаяэлектрическая схема устройства дляреализации способа определения тол щины диэлектрического материала.Устройство содержит управляемыйгенератор 1, делитель 2 мощности,частотомер 3, линию 4 задержки сраспределенными параметрами, времязадержки которой равно 3 С, переключатель 5, имеющий два входа а, б идва выхода в, г, рупорные антенны бс защитными пластинами 7, опорную линию 8 передачи, переключатель 9,имеющий два входа д, 1 и один выход,опорную линию передачи 1 О, фазо "метр 11,Устройство для реализации спосо"ба определения толщины диэлектрического...

Номер патента: 1357809

Опубликовано: 07.12.1987

Авторы: Искин, Лазаренко

МПК: G01N 22/00

Метки: активных, биологически, поиска, радиочастот

...второй11 блоки регулирования давления в капилляре 7,согласованную полноводнуюнагрузку 12 и капиллярную емкость 13Устройство для поиска биологичсски активных радиочастот работает сле"дующим образом,СВЧ-генератор 1 возбу 11 гдает в вол"новоде 6 волну типа Н на часто 1 Сте г, При этом участки аиологическонг среды 8, расположенные в волноводе б, подвергаются воздействиюСВЧ-поля, а участки, расположенныеснаружи волновода б, экранированы отэтого поля корпусом волновода 6, Через некоторое время после облученияблоком 11 регулирования давления увеличивают давление в одном конце капилляра 7, а блоком О регулирования уменьшают давление в противопо" ложном конце капилляра 7, При этом биологическая среда перемещается по капилляру 7 в емкость 13,...

Номер патента: 1363036

Опубликовано: 30.12.1987

Авторы: Коршунов, Сурин

МПК: G01N 22/00

Метки: величин, неэлектрических

...сопротивлением СВЧ-генератор 1, фазовращатель2, направленный ответвитель 3, детектор 4, преобразователь 5 автодетекторного сигнала, сумматор 6, индикатор 7,20Устройство для измерения неэлектрических величин работает следующимобразом.Электромагнитная волна, вырабатываемая СВЧ-генератором 1, распространяется через фазовращатель 2, направленный ответвитель 3 и, излучаясь,взаимодействует с измеряемым объектом.Отраженная от измеряемого объектаэлектромагнитная волна, несущая информацию о состоянии измеряемого объекта, поступает на детектор 4 и через фазовращатель 2 - на выход СВЧгенератора 1,Поступившая на выход СВЧ-генера 3 Цтора 1 электромагнитная волна вызывает изменение режимов работы (например, по постоянному току)...

Номер патента: 1366925

Опубликовано: 15.01.1988

Автор: Искин

МПК: G01N 22/00

Метки: активных, биологически, поиска, радиочастот

...среды, Биологически актив радиочастоту определяют из выраж где ч - скорость распространения СВЧ-излучения в пространстве между слоями биологической среды.Между слоями 1 и 2 БС, расположенными под углом А друг к другу, возбуждают волны типов Н Н , Н соответственно на частотах Гр ГрСВЧ-поле возбуждают так, что вектор напряженности Е электрического поля всегда параллелен слоям (т.е. перпендикулярен плоскости листа). В этом случае каждому типу волны и, следовательно, каждой иэ частот К , Е, соответствует свое вполне определенное расстояние между слоями а, а , , а, дальше которого волна соответствующего типа распространяться не будет в силу запредельности этого расстояния для конкретного типа волны.Если частоту изменяют с известным...

Номер патента: 1366926

Опубликовано: 15.01.1988

Автор: Искин

МПК: G01N 22/00

Метки: активных, биологически, поиска, радиочастот

...клиновидной Формы пог-. лощается в прилегающих к боковым поверхностям первого и второго диэлектрических стержней 5 и 6 слоях питательной среды 4, проникая на глубину 2скин-слоя в питательную среду 4, в том числе и в слой микроорганизмов 12. Достигнутое таким образом двустороннее облучение слоя микроорганизмов 12 приводит .к суперпозиции полей в слое микроорганизмов 12, возбуждаемых первым и вторым диэлектрическими стержнями 5 и 6, причем встречное распространение указанных полей (равных по мощности и частоте) создает в центре слоя микроорганизмов 12 (в плоскости 00 ) стоячую волну СВЧ-излучения, т.е. периодическое вдоль оси 00 распределение напряженности СВЧ-поля. Указанная стоячая волна является близкой к идеальной, если мощность...

Номер патента: 1370532

Опубликовано: 30.01.1988

Авторы: Григулис, Русманис, Силиньш

МПК: G01N 22/00

Метки: параметров

...емкостной штырь 13 фа -35зовращателем 6 - в максимуме стоячейволны. Определяется снимаемый от детектора 10 выходной сигнал,Далее емкостные штыри 13, 14 переводятся в верхнее положение - индицируется мощность в отрезок 3 волновода, нагруженный эталонным образцом 11, таким же как эталонный образец 12. Регулировками фазовращателей 6, 7 добиваются такого же разме 45щения штырей 13, 14, т,е. в минимумеи максимуме стоячей волны, а глубиной погружения штырей 13, 14 - тогоже самого выходного сигнала.На месте эталонного образца 12 по 50мещается исследуемый образец. Затемопределяется разница показаний припереключении штырей 13, 14 соответственно на отрезки 3, 4. На детекторе 1 О происходит синхронный вычет55 этих первичных сигналов, а по...