G01N 22/00 — Исследование или анализ материалов с использованием сверхвысоких частот

Номер патента: 371490

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Щербов

МПК: G01N 22/00, H05H 1/00

Метки: диагностики, интерферометр, плазмы

...опорного напряжения и со смесителя поступают в блок фазометра 8 и далее на индикаторный осциллограф 9, горизонтальная развертка которого запуокается синхронного с началом плазменного разряда.Синхронизация плазменного разряда с вращением кулачка модулятора и запуском горизонтальной развертки осциллографа осущеспвляется с помощью синхронизатора 10. Синхронизатор вырабатывает импульсы для запуска плазменного разряда и горизонтальной развертки осциллографа только в моменты времени, соответствующие определенному по. ложению кулачка 11 модулятора (фиг. 2).Синхронизатор вырабатывает импульс только тогда, когда металлическая пластина 12 замьгкает контакты 18, 14 синхронизатора,Плазменный разряд должен проходить в отрезок времени,...

Номер патента: 414520

Опубликовано: 05.02.1974

МПК: G01N 22/00, G01N 33/06

Метки: 414520

...предлагаемогприведена на фиг. 1, где 12 - генератор СВЧ-колебаниатор, 4 - волноводный мосперемещения антенны, б - ан стрирующий ибор 8 - эталонная нагрузка, 9 - дст:; торО - молокопровод.СВЧ-колсоа:11 от генератора 2 через атгенюатор 3 и четырехплечпй волноводны хОСТ 4 напрдзляОтея 21 те 10 п 6 н 2 повсрхность неслед ез 10 ГО зО Ок 2 подаваемого а 0.10 копровод 10, и, отражаясь от нее снова принима ются антенной 6 и пропускаются на детектор 9. Продетектпровап 1 ый сигнал, характеризуюЩий кнРностд:,:О.Ока, РегистРТРз етсЯ НРибором 7. В качестге регистрируемой величины исг. л .зо:цз отношение максимума напряжения стоячей волны, возчикающей за счет сложен.;. Нада 0 цей и Отраженнойантецпоп и поверхностью исследуемого молока, к...

Номер патента: 434298

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Каменщиков, Макевккк, Николаев

МПК: G01N 22/00, H05H 1/00

Метки: диагностики, зондирующая, плазмы

...для изхарактсристи 1 бретсния Пр сдм ст 20 остики ичаюадеженны с прилеЗондируюп.плазмы ощаяся 1 ем5 кости, камерих внутреннгающим и этслоя радиоптериала сО 600 С, напри го ма менее Изобретение относится к радной технике и может быть примерения радиоф из ическихплазмы.Известна зондирующая система для диагностики плазмы по основному авт, св,252421, содержащая камеру, волноводы, передающую и приемную рупорно-линзовые антенны с поверхностью, совмещенной с внутренней поверхностью камеры, и с фокусом на оси последней.Одпако эта система недостаточно надежна из-за осаждения или конденсации на поверхности линз и камеры мелкодисперсных электропроводящих частиц, образующих отражающую радиоизлучение пленку.Цель изобретения - повышение...

Номер патента: 763810

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Паукште, Репшас

МПК: G01N 22/00

Метки: горячих, заряда, носителей, полупроводнике, термоэдс

...в м(- роких стенках отрезка 2 прямоугольНОГО ВОлнОВОДа и снабх(еы контактными злементами 5 б, пОдключеннымик одному из входов индикатора 1, аконец стержня 4 выведен через от7688 О ГПОТОТИП Раж 10 1 1 одписно ВНИИПИ Заказ 6274/3 илиал ППП Патент верстие в узкой стенке отрезка 2прямоугольного волновода и снабженконтактным элементом 7, ттодклюеннттмк другому входу индикатора 1.Устройство работает следуюшимобразом,1:ат( как по отрезку 2 прямоугольного волновода распространяется воя - на типа Н , то стержень 3 между контактными элементами 5,6 нахо - дится в сильном электрическом СВЧ поле. В стержне 4 поле ЯвляетсЯ сла - бым из-за большой диэлектрической проницаемости полупрОВОдникау а В контактных элементах 5,8 поле слабое из-за...

Номер патента: 767627

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Беспятых, Зубков, Котелянский, Тарасенко

МПК: G01N 22/00

Метки: качества, магнитных

...четыре одинаковых переключателя 4 и 5, магнитныйобразец 6, магнит 7, две.одинаковыеплаты 8, калиброванный аттенюатора 9,приемник 10 и осциллограф 11 (Фиг.1).Переключатели 4 служат для направления СВЧ волны либо через исследуемый материал, либо через калибро вайнцй аттенюатор 9. Переключатели 5служат для направления СВЧ волны наплаты 8.На общую плату 8 нанесены двапреобразователя 12,и 13 для преобразования СВЧ электромагнитной волны вповерхностную и обратно в виде структур типа меандр с разными пространственными периодами. Пространственныйпериод структуры задает волновое число К возбуждаемой поверхностной волны, В устройство для реализации пред.ложенного способа входят две одинако,вые платы 8, так как преобразователиСВЧ волны в...

Номер патента: 773480

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Дорогов, Швайко

МПК: G01N 22/00

Метки: отверждения, состава, уровня

...возникает в замкнутомконтуре, содержащем задатчик 1, реле 2,первый фильтр 3, исполнительный блок 4,датчик 6, первый блок 7, второй фильтр 8.Такой режим работы обеспечивает неизменность общего коэффициента передачиуказанного замкнутого контура в разомкнутом состоянии. Это, в свою очередь, приводит к независимости частоты автоколебаний в замкнутом контуре от изменениякоэффициента передачи термообрабатываемого материала 5.Следовательно, частота автоколебаний несет в себе информацию об изменении любогопараметра (или нескольких параметров) термообрабатываемого материала 5 кроме информации об изменении коэффициента передачи. Эта информация с помощью частотомера 9 фиксируется вторым индикатором 16.Ь, ок 15 выполняется в виде...

Номер патента: 777561

Опубликовано: 07.11.1980

Авторы: Водотовка, Присенко, Скрипник

МПК: G01N 22/00

Метки: бинарных, жидких, концентрации, растворов

...генератор 1, открывает клапан 15 и включает электронасос гидравлической системы 3, который откачивает растворитель из калориметрической нагрузки 2. Затем блок 4 управления выключает электронасос гидравлической системы 3, переводит клапан 16 в положение, соответствующее подаче в калориметрическую нагрузку 2 контролируемого раствора из накопительного сосуда 19, после заполнения калориметрической нагрузки 2 выключает клапан 16, включает сверхвысокочастотный генератор 1 и переключает управляемый переключатель 9. При одинаковом времени нагрева на выходе дифференциального усилителя 11 к моменту окончания нагрева раствора появляется напряжение, пропорциональное разности приращений температуры растворителя и раствора за время...

Номер патента: 785696

Опубликовано: 07.12.1980

Авторы: Крупнов, Мельников, Скворцов

МПК: G01N 22/00

Метки: спектрометр

...3 при периодическом включении электрнческо785696 Формула изобретения оставитель В.Мавринехред А.Ач Корректор С.Шекмар Титов едак Подпнсноого комитета СССРний и открытийушская наб.,д,4/5 илиал ППП "Патент"ф,г.ужгород,ул.Проектная,го поля (так как равнодействующая электрических сил, действующих на Штарк-электрод 3 при включении поля, равна нулю), что исключает акустические помехи при осуществлении молекулярной модуляции.При совпадении частоты излучения от источника 1 с частотой 1) спектральной линии газа мощность излучения, поглощаемая газом, изменяется с частотой, равной частоте Я модуляции. В первую половину периода модуляции, когда напряжение на Штаркэлектроде 3 равно нулю, поглощаемая газом мощность максимальна, поскольку...

Номер патента: 813210

Опубликовано: 15.03.1981

Авторы: Борзунов, Макаров, Медведев

МПК: G01N 22/00

Метки: временижизни, высокоомных, носителей, полупро-водниковых, свободных, удельногосопротивления

...и анализатора 13 импульсов (канал построения статистического распределения). С выхода импульсного детектора 12 выпрямленное напряжение, пропорциональное амплитуде входного импульса, поступает на вход У самописца 14, на вход Х которого подается напряжение, пропорциональное координате зондируемого участка полупроводника 6 с механизма 7 перемещения. Так происходит построение геометрического распределения удельного сопротивления. 10 20 25 Эо 35 40 45 50 55 Измерение статистического закона распределения у осуществляется анализатором 13 импульсов в режиме амплитудного анализа, который производит построение зависимости числа импульсов с данной амплитудой Л (с данным удельным сопротивлением) от величины амплитуды, т. е. построение...

Номер патента: 543290

Опубликовано: 15.03.1981

Авторы: Бензарь, Гончарик, Скобов

МПК: G01N 22/00

Метки: автоматический, сверхвысокочастотныйвлагомер

...стенкам 18 и 19 Радиусом не менее размера широкой стенки.Внутренние прямые стенки 20 и 21 имеют отверстия, образованные концамивнушних стенок 18 и 19 и вырезом навнутренних широких стенках 22 и 23,Отверстия закрыты радиопрозрачнымивставками 24 и 25 из миофобного диэлектрического материала,Антены расположены закругленнымиконцами 16 и 17 внутри бункера 7 сматериалом 8 в нижней ее части подуглом 45-90 О к оси. Находящаяся выше масса материала давит на нижнийслой, приводя к стабилизации плотности, а следовательно, к уменьшениювлияния степени уплотнения на точность измерений, По истечении материала из бункера 7 скорость движенияматериала максимальна в центральнойчасти по оси бункера, поэтому антенны расположены на глубине не менее1/3...

Номер патента: 823990

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Десятник, Мейстер

МПК: G01N 22/00

Метки: анализаторсостава, электронно-парамагнитный

...2 поступает в отражательный СВЧ модулятор 11. Отраженная от СВЧ модулятора 11 электромагнитная водна оказывается промодулированной по амплитуде сигналом, поступающим с ВЧ модулятора 4 через блок 12 с регудируе мым коэффициентом передачи.В результате на выходе. СВЧ детектора 3 выделяется компенсирующий сигнал имеющий структуру, чтои сигнал 5 ПР. 10 20 25 30 35 40 4 Ь Разностный сигнал, возникающий при отклонении компенсирующего сигнал от сигнала ЭПР анализируемого образца 10 и имеющий вид радиоимцульсов, поступает на один из входов ВЧ сумматора 9. На другой вход ВЧ сумматора 9 с выхода ВЧ модулятора 4 через ВЧ аттенюатор 8 приходит сигнал в виде немоцулированнык колебаний. Сумма этих сигналов усиливается ВЧ усилителем 13 и детектируется...

Номер патента: 823991

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Войтюк, Касяненко, Конев, Однолько

МПК: G01N 22/00

Метки: толщины

...перестройкичастоты. Далее спомощью первой приемо-передающей антенны, 7 принимается СВЧ сигнал, от-,раженный От верхней обшивки объекта 18контроля и через первый циркулятор 6поступает на фазоизмерительный блок 3для регистрации модуля фазы отраженного сигнала, что соответствует из мерению расстояния между верхней обшивкой объекта 18 контроля и первойприемо-передающей антенной 7. Опорный сигнал на первый фазоизмерительныйблок 6 подается с помощью первого"направленного ответвителя 2. С первого фазоизмерительного блока 3 сигнал подается на блок 4, где формируется сигнал, несущий информацию огеометрической толщине объекта 18 20 контроля, регистрируемый индикатором 5 толщины. При этом с помощью иникатора 17 происходит...

Номер патента: 823992

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Афраймович, Панченко, Полиматиди, Рапопорт

МПК: G01N 22/00

Метки: ионосферногопоглощения, радиоволн

...блок частотного стробирова ния и преобразователь спектра, при этом между выходом второго канала блока выделения спектров и входом второго канала блока частотного стробирования включен селектор,к второмувходу которого подключен введенный5блок формирования углового строба.На чертеже изображена структурнаяэлектрическая схема устройства дляизмерения.ионосферного пдглощения ра 1диоволн,Устройство содержит, излучатель 1,. двухканальный приемник 2, решающийблок 3, двухканапьный фильтр 4, двухканальный спектроанализатор 5, блок 6выделения спектров, блок 7 частотногостробирования, преобразователь 8спектра, селектор 9, блок 10 Формирователя углового строба.Устройство для измерения ионосферного поглощения радиоволн работает фследующим...

Номер патента: 842514

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Борисенко, Гвоздев, Михайлов, Саенко

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектрическойпроницаемости

...этому в кольцевом резонаторе 2 синфазно возбуждаются две бегущие волны противоположных направлений, формирующие в нем стоячую волну.Сигнал с кольцевого резонатораснимается с щели 4, При внесении на поверхность резонатора измеряемого 30 материала 6 электрическая длина ед842514 5 щелевыми линиями), локализованов диэлектрической подложке 1 и независит от величины диэлектрическойпроницаемости исследуемого материала.Погрешность измерений диэлектри "ческой проницаемости предлагаемымустройством не превышает 0,5. Крометвердых материалов., им измеряют диэлектрическую проницаемость жидкойи газообразной среды. 0 Устройство для измерениядиэлектрической проницаемости материалов,содержащее диэлектрическую подложку,на одной стороне которой...

Номер патента: 853501

Опубликовано: 07.08.1981

Авторы: Искин, Кучин, Черепнев

МПК: G01N 22/00

Метки: pactbopob, диэлектрическойпроницаемости

...раствор помещаютв кюветы 16 и 10, а растворитель сизвестной- в кюветы 15 и 17, Подвижные волноводы 23,24 устанавливаютв среднее положение с помощью микрометрического) винта 25,Определение диэлектрической проницаемости растворов состоит иэ трехэтапов.На первом этапе достигается баланс 30Т-мостов 2,3 с помощью аттенюаторов10 и 11, Равенство сигналов в плечахустройствах контролируется индикатором 5 с помощью детектора 4 и аттенюаторов 8 и 9 путем их поочередного 35полного выведения. После достижениябаланса производится измерение сигнала в одном из плеч устройства и суммарного сигнала на детекторе 4При этом с помощью фазовращателя 4012 создается такой начальный сдвигфаз, чтобы общий сигнал в детекторе4 был достаточно чувствителен к...

Номер патента: 855454

Опубликовано: 15.08.1981

Автор: Оказов

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектриков, характеристик

...сосуд Дьюара 9, вакуумный насос10 ющий из сосуда Дьюараное пространство жидкино вытекает с другогопровода в дополнительный.резервуар 8 установленный на крышке .2, где постепенно испаряясь, дополнительно охлаждает крышку 2 и цилиндрический вакуумируемый корпус 1. Независимо от уровня жидкого азота в дополнительном резервуаре 8 хладо провод всегда заполнен жидким хлад-. агентом, что обеспечивает получение более низких температур в рабочем объеме и одновременно эффективное вымораживание паров масла вакуумного насоса 10 в дополнительном трубопроводе 7, более чистые условия в рабочем объеме и повышает эффективность надежность, экономичность жидкого азота и установленного криогенного оборудования.В рабочем объеме измерительной ячейки 3...

Номер патента: 873061

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Григулис, Дагилис, Пориньш, Русманис

МПК: G01N 22/00

Метки: волноводный, измерительный

...тракта,на конце которого установлена отражающая поверхность 3, на наружнойстороне которой симметрично относительно оси отрезка 2 волноводноготракта выполнен кольцевой паз 4и отверстия 5, соединяющие кольцевойпаз 4, например, через трубочки 6с вакуумной камерой 7, при этом диаметр отверстий 5 не превышает ширинукольцевого паза 4.Волноводный измерительный преобразователь работает следующим образом.Исследуемая плоская полупроводниковая структура 8 накладывается наотражающую поверхность 3 волноводного измерительного преобразователя,8306 Составитель А. Куздактор И, Каоарда Техред Т.Маточка вКорректор М. Демчик аказ 9019 66 Тираж 910ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва Ж, Раушская наб., д...

Номер патента: 873062

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Взятышев, Геппе, Долгов, Костромин, Романов

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектриков, параметров

...разом.Частотно-модулированный сигнал с выхода сверхвысокочастотного генератора 1 через волноводный тройник 2, измерительный тракт 4 поступает в диэлектрический волновод 11. Произ. водится плавная перестройка частоты сверхвысокочастотного генератора 1. В момент совпадения частоты генератора 1 с одной из резонансных частот резонатора 7 в последнем возникают колебания и на выходе детектора 5 появляется импульс, длительность которого зависит от добротности исследуемого резонатора, Импульс с выхода детектора 5 поступает на вход индикатора 6,синхронизация которого производится стробимпульсами. Строб- импульс с индикатора поступает на вход генератора 1, в момент поступления стробимпульса происходит срыв генерации. Экспоненциальная огибающая...

Номер патента: 782486

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Намазов, Орлов

МПК: G01N 22/00

Метки: ионосферной, критической, плазмы, слоя, частоты

...от параметров сйгэнала1 О 2 О М(Ъ) имеет немонотонный вид, и наибольшие искажения наблюдаются вблизи максимума слоя , т.е когда Фо= 2 ар глерэреЭЙ ( Кэ энанение электронной концентрации в максимуме слоя)Если несущая частота Г(1 р, то все спектральные составляющие сигнала отражаются от ионосферы приблизительно одинаково, и сигнал, практически, не претерпевает дисперсионных искажений. На Фиг. 1 для иллюстрации показана форма прямоугольного импульса длительности Т , отраженного от ионосферного слоя полутолщиной Н, в зависимости от отношенияЯрЕсли несущая частота Г приближается к ,(р , то появляются сильные искажения Фазового спектра и, кроме тога, часть спектральных составляющих,для которых выполняется условие оИкр проходит через...

Номер патента: 877413

Опубликовано: 30.10.1981

Авторы: Волошин, Кузьмин, Низаметдинов, Помощников

МПК: G01N 22/00

Метки: влагомер, сверхвысокочастотный

...передающую антенну и приемную антенну,соединенную с первым детектором, адругое плечо соединено с опорнымканалом, содержащим уравновешивающийаттенюатор, соединенный со вторымдетектором, причем оба детектора соединены со входом блока сравнения, индикатор, введены генератор линейноизменяющегОся напряжения, генератортактовых импульсов, генератор счетных импульсов и блок управления, причем один иэ входов блока управлениясоединен с выходом блока сравненияа два других входа соединены с выходами генератора тактовых импульсови генератора счетных импульсов, одинвыход блока управления соединен сИндикатором, а другой - с генерато,ром линейно-изменяющегося напряжения, соединенного с другим входомуравновешивающего аттенюатора.На чертеже...

Номер патента: 881589

Опубликовано: 15.11.1981

Авторы: Кочергин, Маколкин, Робинов, Шиншинова

МПК: G01N 22/00

Метки: газа, ионизованного, параметров

...учатками 2 и радиопрозрачным материалом 3, генератор 4 высокой час лектростатический датчик 5 и имник 6.Устройство работает следующим обазом. ухпроводной линии 1, помещен сследуемый объем газаподт генератора 4 сверхвысоко) сигнал одной или тот. Поскольку прово соединены радиопроалом 3, то излучение ся вдоль своей двухи 1, переходя от одноучастка 2 к другому частотныи СВЧ нескольких час дящие участки зрачным матери распространяет проводной лини го проводящего9961/ Тираж 910ПИ Государственногоделам изобретений35, Москва, Ж, Р Подпикомитета СССРоткрытий а ская наб., д. лиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 за счет емкостной связи. Приемник 6 принимает СВЧ"сигнал на выходе двухпроводной линии 1. По параметрам измерительного...

Номер патента: 885867

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Крупнов, Мельников, Скворцов

МПК: G01N 22/00

Метки: спектрометр

...8 отраженном излучении направление поля ризации зависит от ориентации отражателя 7, поэтому при вращении отражателя 7 синхронным мотором 8 с частотой Я./4 направление линейной поляризации в отраженном излучении вращается с частотой Я/2, Поскольку рабочий частотный диапазон модулятора 6определяется лишь отражательной спо"собностью зеркал отражателя 7, в ячейке 4 обеспечивается модуляция излучения во всем диапазоне частот широкополосного источника 1.За один оборот направления поляриэации. направление электрического век. тора отраженного излучения в ячейке 4дважды оказывается параллельным ( илиперпендикулярным) направлению электростатического поля электродов 5. 8 ре" 5зультате при совпадении частоты излу",чения с частотой компоненты...

Номер патента: 885868

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Арсентьев, Бибишева, Второв, Полупанов, Черныш

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектриков, листовых, параметров

...не требуется предварительного согласования высокочастотного тракта для компенсации волны . отраженной от подложки, при изменении толщины последней и величины поверхностного сопротивления контролируемой резистивной пленки. В результате повышается точность и производительность контроля, что позволяет испольэовать устройство в технологическом цикле изготовления микросхем, производя 100-ный контроль сопротивления тонких резистивных пленок, нанесенных на диэлектрические подложки. Формула изобретения Устройство для измерения параметров листовых диэлектриков, содержащее сверхвысокочастотный генератор, подключенный к нему облучатель исследуемого листового диэлектрика и отражатель, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения точности...

Номер патента: 885869

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Мецнер, Потапов

МПК: G01N 22/00

Метки: газов, параметров

...частоты врежиме подстройки на точку резонанса,Коэффициент рефракции п и рефракцияЙ на частоте низшей моды рассчитываются по формулам(Для измерения дисперсии вторым индикатором 9 измеряют разность частот, поступающих на смеситель 11: -се, (1) где т - резонансная частота низшеймоды заполненного газом резонатора 2, на которую настраивается первый генератор 1с помощью первого блока 1автоподстройки частоты;т - резонансная частота высшеймоды того же резонатора 2,на которую настраиваетсявторой генератор 10 с помощью второго блока 8 автоподстройки частоты;К . - кратность умножения умножителя 6 частоты, причем отношение рвзонансных частотвысшей и низшей мод резонатора 2.без газа (соответственно Г. и К ) также равя (но К.Дисперсия Д й...

Номер патента: 896524

Опубликовано: 07.01.1982

Авторы: Ахманаев, Медведев, Хлестунов

МПК: G01N 22/00

Метки: датчик, параметров, полупроводниковых

...пружиной 9 и перемещается микрометрическим винтом 10. Фиксация индуктивной петли 4 связи осуществляется цанговым зажимом 11.При подаче на сверхвысокочастотный транзистор 5 постоянного напряжения в нем возникают колебания, Амплитуда и частота колебаний определяются добротностью цилиндрического резонатора 1 с полупроводниковым материалом 8 и коэффициентом связи цилиндрического резонатора 1 с сверхвысокочастотным транзистором 5.Для обеспечения режима затягивания частоты СВЧ генератора, выполненного на сверхвысокочастотном транзисторе 5, цилиндрическим резонатором 1 в процессе измерения параметров полупроводникового материала 8 должно выполняться условие Гн . ГГ 15, где Г - собственная частота СВЧ генератора; Г - частота цилиндрического...

Номер патента: 901890

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Водотовка, Глазков, Скрипник

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектрических, толщины

...измеренной величине приращения частоты электромагнитных колебаний, обеспечивающей равенство разности фаз электрромигНитных волн, распределяюшихся по 5различным каналам во времени и в пространстве, при известных и постоянных/значениях Со, 1, Сиопределяется толщина контролируемого материала 7. 1 ОУстройство работает следующим образом.Сигнал СВЧ генератора 1, стабилизированного по частоте, через управляемыйдвухпозиционный переключатель 2 поступа ет на вход трехканального разветвителя3, На один вход фазового детектора 4поступает сигнал, прошедший через измерительную ячейку, образованную излучающей и приемной антеннами 5 и 6, например, логопериодического типа, между которыми помещен контролируемый диэлектрический материал 7, а на второй...

Номер патента: 907423

Опубликовано: 23.02.1982

Авторы: Баранов, Беляев, Гржехник-Жуковский, Никитин, Потапов

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектриков, неразрушающего

...характеризует положение главных осей анизотропии контролируемого образца 32, При совпадении вектора напряженности поля Е излученной волны с одним из главных направлений анизотропии в блоке 31 регистрации амплитуды наблюдается прямая (горизонтальная или вертикальная) линия, так как в этом случае отраженная волна представляет собой линейнополяризованную волну и положение вектора отраженной волны будет совпадать с вектором Е падающей волны. Такил образом, угол наклона прямой линии в блоке 31 регистрации амплитуды характеризует положение главных осей анизотропии относительно ориентации вектора Ео падающей волны, Помимо амплитудных изменений составляющих отраженной волны между ними и составляющей падающей волны существует разность фаз, с...

Номер патента: 932378

Опубликовано: 30.05.1982

Авторы: Крупнов, Третьяков

МПК: G01N 22/00

Метки: микроволновый, спектрометр

...продольная относительно оси ячейки 2 составляющая скорости. За счет теплового движения возбужденные молекулы через перегородку 5 поступают в камеру 4 ячейки 2, при этом в камере 4 формируется пространственная периодическая структура из слоев возбужденных молекул, Сформированные,перегородкой 5 слои из этих возбужденных молекул имеют ширину Я/4 и располагаются параллельно друг другу на расстоянии /4, Такая струк. тура приводит к тому, что суммарное излучение молекул в камере 4 распрост раняется как в направлении распространения излучения источника 1, так и в противоположном ему направлении - в сторону приемника 6 Слои возбужден ных молекул расположены строго перпен дикулярно продольной оси ячейки 2, при этом все молекулы каждого слоя...

Номер патента: 934327

Опубликовано: 07.06.1982

Авторы: Вайнберг, Дегтерев, Демидов, Клюев, Козлов, Мельников

МПК: G01N 22/00

Метки: дефектоскоп, сверхвысокочастотный

...четвертому плечу которого подключен ре 7. сверхвысокочастотный детектор б. 5 . Протяженность 1 зависит от радиуСверхвыаокочастотный дефектоскопса В кривизны отрезка 4 диэлектричесработает следующиМ образом кого волновода и от величины Ь зазораЭнергия, генерируемая сверхвысо- и определяется выражением кочастотным генератором 2, поступает, в плечо двоййого воановодиого тройни- ка 1, где делится пополам и нацрав"20 Расчеты и лабораторные испытания ляется в пелчо, к которому через уп макета сверхвысокочастотного дефектоРавЛЯемый аттенюатоР 5 подключен ко- скопа пРи длине волны 1,р=8 мм на РОткозамкнутый на одном конце отрЕ- плоском Образце со средним значезок 9 волновода, и одновременно в нием Е =3, толщиной Ь=б мм и дефекплечо, к...

Номер патента: 934328

Опубликовано: 07.06.1982

Авторы: Абрамов, Белов

МПК: G01N 22/00

Метки: датчик, радиоизлучения, теплового

...Гц. Перемещение вдоль прорезей боковой стенки резонатора 1, дополнительно введенного. Короткоэамыкающего металлического кольца 7 обеспечивает оперативную перестройку рабочей :частоты датчика, необходимую для согласования с входным импедансом различных участков тела. Эначение теплового радиоизлучения внутренних органов важно для бескровного определения температуры внутренних орга Внов, что используется для диагностики ряда заболеваний Датчик теплового радиоизлучения,содержащий разомкнутый на одном конце цилиндрический резонатор, внутри которого размещены петля связи идва металлических лепестка, при этомодни из концов металлических лепест".ков закреплены диаметрально противоложно иа внутренней поверхности цилиндрического резонатора у его...