Русманис

Номер патента: 1370532

Опубликовано: 30.01.1988

Авторы: Григулис, Русманис, Силиньш

МПК: G01N 22/00

Метки: параметров

...емкостной штырь 13 фа -35зовращателем 6 - в максимуме стоячейволны. Определяется снимаемый от детектора 10 выходной сигнал,Далее емкостные штыри 13, 14 переводятся в верхнее положение - индицируется мощность в отрезок 3 волновода, нагруженный эталонным образцом 11, таким же как эталонный образец 12. Регулировками фазовращателей 6, 7 добиваются такого же разме 45щения штырей 13, 14, т,е. в минимумеи максимуме стоячей волны, а глубиной погружения штырей 13, 14 - тогоже самого выходного сигнала.На месте эталонного образца 12 по 50мещается исследуемый образец. Затемопределяется разница показаний припереключении штырей 13, 14 соответственно на отрезки 3, 4. На детекторе 1 О происходит синхронный вычет55 этих первичных сигналов, а по...

Номер патента: 873061

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Григулис, Дагилис, Пориньш, Русманис

МПК: G01N 22/00

Метки: волноводный, измерительный

...тракта,на конце которого установлена отражающая поверхность 3, на наружнойстороне которой симметрично относительно оси отрезка 2 волноводноготракта выполнен кольцевой паз 4и отверстия 5, соединяющие кольцевойпаз 4, например, через трубочки 6с вакуумной камерой 7, при этом диаметр отверстий 5 не превышает ширинукольцевого паза 4.Волноводный измерительный преобразователь работает следующим образом.Исследуемая плоская полупроводниковая структура 8 накладывается наотражающую поверхность 3 волноводного измерительного преобразователя,8306 Составитель А. Куздактор И, Каоарда Техред Т.Маточка вКорректор М. Демчик аказ 9019 66 Тираж 910ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва Ж, Раушская наб., д...

Номер патента: 589571

Опубликовано: 25.01.1978

Авторы: Григулис, Дагилис, Пориньш, Русманис

МПК: G01N 23/24

Метки: волноводный, измерительный

...полупроводниковых структур содержит переходный фланец 1, отрезок волноводного тракта 2, на конце которого установлена отражающая поверхность 3При наложении на отражающую повер ность 3 испытуемого образца возникае поперечное распространение сверхвысо кочастотной мощности в высокоомном поверхностномслое 4 вследствие мнс- гократного отражения потока междуо тражающей поверхнос гью 3 и низкоомной структурой 5.Кривые (см. фиг.2) характеризуют ,возможность достижения значительного прироста чувствительности измерений на примере контроля толщины Д диэлектрических слоев, нанесенных на ниэкоомных полупроводниковых пластинках сЯ0,001, 0,03, 0,1 и 0,5 Ом см по показан(ям разности тока измерительного устройства, например по разнице оказаний тока...