G01N 22/00 — Исследование или анализ материалов с использованием сверхвысоких частот

Номер патента: 1762202

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Пасичный, Трефилов, Фридрик

МПК: G01N 22/00, G01R 27/26

Метки: диэлектриков, зависимости, параметров, температурной

...антенны 6 и со входом фазометра 9 низкой частоты, выход которого соединен со входом регистратора 10, ходовой винт 11 с двумя резьбами, на которых закреплены держатель 12 образца 13 и приемные рупорные антенны 4 и 6, фотоэлектрический пирометр 14, ряд термопар. заделанных на различной глубине от нагреваемой поверх 17 б 220210 15 20 25 30 35 40 45 50 55 ности, последняя из которых расположена на теневой границе образца,Термопары ориентированы перпендикулярно вектору электрического поля и на чертеже не показаны.Устройство для измерения температурной зависимости параметров диэлектриков в условиях высокотемпературного динамического нагрева работает следующим образом,Двухпрофильное зеркало 1, периферическая часть которого имеет...

Номер патента: 1762265

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Литовченко, Пасичный, Фридрик

МПК: G01N 22/00, G01R 27/26

Метки: диэлектриков, зависимости, параметров, температурной

...ходовой винт .0 на котором закреплены держатель 11 образца 12, являющийся одновременно держателем вакуумной камеры, образованной углеродным диском 2 и кварцевым колпаком 13, вакуумный насос 14, фотоэлектрический пирометр15. затвор 16,Устройство для измерения температурной зависимости параметров диэлектриков работает следующим образом. Источник 5СВЧ - сигнала, представляющий собой свип-генератор, вырабатывает переменный по частоте и постоянный по мощности СВЧ- сигнала, причем частота сигнала меняетсяпо пилообразному закону. Указанный сигнал с выхода источника 5 подается на вход открытого отражательного резонатора 4. Образец 12 исследуемого диэлектрика помещается вплотную на зеркало 2 отражательного резонатора 4 и при одновременном...

Номер патента: 1763955

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Мордоус, Потапов, Скрипник

МПК: G01N 22/00

Метки: вещества, количества

...Е и Н двойного тройника 10, к выходу которого подключены последовательно соединенные датчики 12 поглощения, смеситель 14, избирательный усилитель 15, амплитудный детектор 16, логарифмический преобразователь 17, усилитель 18, синхронный детектор 19 и измерительный прибор 20, Вторые выходы блоков 6, 7 выделения отраженного сигнала соединены с выходами Е и Н двойного тройника 11, выход которого через датчик 13 поглощения соединен с вторым входом смесителя 14, Управляющие входы плеч 8, 9 СВЧ-переключателя соединены с управляющими входами синхронного детектора 19 и противофазными выходами низкочастотного генератора 5,Устройство работает следующим образом: сверхвысокочастотные генераторы 1 и 2 генерируют колебания близких частот, которые...

Номер патента: 1763956

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Гранков, Либерман, Шутько

МПК: G01N 22/00

Метки: геофизических, дистанционного, параметров, почв

...к 1 измеряют коэффициент спектральной яркости 5 (КСЯ) г 1 в ближнем инфракрасном диапазоне волн (0,76 - 0.96 мкм) того же участка земной поверхности; измеряют коэффициент спектральной яркости близлежащего участка почвы без растительности го при тех же 10 условиях освещенности; по измереннымзначениям Ю, г 1, го определяют коэффициент собственного СВЧ-излучения почвы под растительностью ко из соотношения10 ют, что биомасса растительности вдоль поля не меняется, поэтому по тарировочной зависимости определяют у, а по ней для всего поля рассчитываюттекущее значение КИ собственно почвы под растительностью ко: ко =1 - е 1 - к 1 ). (4) С другой стороны, коэффициент спектральной яркости г 1 системы почва-растительность в ближнем ИК-диапазоне...

Номер патента: 1770830

Опубликовано: 23.10.1992

Автор: Потапов

МПК: G01N 15/02, G01N 22/00

Метки: активации, метод, молекул, энергии

...групп, которая повышаетжесткость каркаса молекулы, что, в свою очередь, увеличивает эффективную поверхность взаимоцействия диполл с растворителем и тем самым увеличивает Оср, Т.е, растворитель проявляется не только в энер 1770830гии активации Оср, но в увеличении Овр.Поэтому величину Овр более корректно определять на основании (1) и (3), т.е. Овр=ВТ 1 п( ) - 1 и( р )1 . (6)Процедура измерений сводится к следующей последовательности операций,1. В заданном недипольном растворителе изменяют времена релаксации тсо ряда дипольных молекул из гомологическогоряда в предельно разбавленном растворе.2,Определяют зависимость тоо(п) (где и- номер варьируемой группы в гомологическом ряду) и экстраполируют зависимостьтос(п) в область и-фО на...

Номер патента: 1770861

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Иванюк, Широтов

МПК: G01N 22/00

Метки: отрезка, параметров, провода

...частоты 1 р для конкретных параметров полосковой линии и исследуемого проводника,При внесении в электромагнитное поле полосковой линии измеряемого отрезка провода он переизлучает часть энергии падающего на него поля. Максимальное пере- излучение (эффект резонанса) происходитЛпри выполнении условия Е =, где 1 -Еэ длина отрезка калиброванного провода, Л - длина облучающей электромагнитной волны в свободном пространстве, еэ - эквивалентная относительная диэлектрическая проницаемость пластины, определяемая параметрами диэлектрика и конструктивными особенностями полосковой линии,Предварительно перед проведением измерений длин отрезков провода снимают зависимость (. = р(р) для конкретных параметров калиброванного провода (геометрических...

Номер патента: 1775653

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Улеников, Хмельницкий

МПК: G01N 22/00

Метки: микроволновый, спектрометр

...ячейку длл исследуемого газа 15 и вторую ячейку длл газа с известными спектральными характеристиками 17, снабженные первым 16 и вторым 18 микрофонами, соответственно, регистратор сигналов 21,Подвижный элемент установлен на расстоянии от генератора микроволнового излучения, определяемом формулой:.=ос/2 югде с - скорость света; и - частота излучения генератора,т - число палуволн, укладывающихсямежду отракающим элементом и концомрезонатора или замедляющей системы ге 5 нератора микроволнового излучения.При изменениибудет меняться и резонансная частота системы генератор-отражающий элемент, что при наличии системыавтоподстрайки частоты генератора на мак 10 симум резонансной кривой резонансной системы позволяет осуществлять плавную...

Номер патента: 1781594

Опубликовано: 15.12.1992

Автор: Крутов

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектрической, проницаемости

...частот сигналов, отраженных от неоднородностй и короткоэамкнутого конца, измеря:.ют частоту модуляции, по которой вычйсляют искомую диэлектрическую проницаемость. неоднородность являются источниками отражений, причем в силу того, что происходит перестройка частоты СВЧ сигнала, частоты сигналов, отраженных от введенной неоднородйости и от короткозамкнутого конца отрезка волновода, различны. Разность этих частот зависит от расстояния 1 скорости распространения СВЧ сигнала в исследуемом образце. Из-зэ разницы частоты сигналов, отраженных от введенной неоднородности и короткозамкнутого конца отрезка вол новода, суммарный отраженный сигнал оказывается промодулированным по амплитуде с частотой Й, равной разнице частот сигналов, отраженных от...

Номер патента: 1797025

Опубликовано: 23.02.1993

Автор: Тиханович

МПК: G01N 22/00

Метки: количества, композиционных, материалах, нитей, основе, связующего, углеродных

...тем, что в известном способе включающем облучения под углом контролируемого материала линейно поляризованный под углом 45 к на 50 5 10 15 20 25 30 правлению углеродных нитей СВЧ-волной,одновременный прием прошедшей иотраженной волн, изменение плоскости поляризации на 90 и направления распространения на 180 отраженной волны, согласно изобретению изменяют плоскость поляризации на 90 и направление распространения на 180 отраженной волны после повторного взаимодействия с контролируемым материалом, дополнительно облучают контролируемый материал отраженной волной, смешивают прошедшую и многократно провзаимодействовавшую волны в одном канале, а о количестве связующего судят по величине эллиптичности суммарной волны. Сопоставительный...

Номер патента: 1800333

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Буданов, Евич, Суслов

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектрической, проницаемости

...в свободном пространстве;Л ь - длина волны в волноводе;е - диэлектрическая проницаемость, Сигнал, наблюдаемый под углом О, может быть представлен в виде произведения двух функций, одна из которых нормированная диаграмма направленности излучателя, а другая - функция, пропорциональная мощности, излучаемой в диэлектрик, Изменяя б от 0 до величины в несколько длин волн, получим квазипериодическую функцию по б, положения нулей которой Лп при условии 35 ( -у -- 1 )-- Й Яп О( - +1 ) 40 где бк - предельный размер плеча излучателя, определяется выражением Лп =Л 0( - + и )( - + Й Ягп О) 1 Л 0 2 ь 45где и = О, 1, 2 откуда легко получается выражение для е, приводимое в формуле изобретения,Условие, налагаемое на диапазон углов О,50 при которых...

Номер патента: 1800334

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Литовченко, Шатунов

МПК: G01N 22/00, G01R 27/26

Метки: диэлектриков, нагреве, открытый, параметров, резонатор

...5, состоящий из рефлектора 6 и нагревательного элемента 7, Плоское1800334 40 45 50 55 зеркало 2 соединено с узлом настройки 8. Кольцевой нагреватель 5 расположен между сферическим 1 и плоским 2 зеркалами таким образом, что его излучение, отраженное от сферического зеркала 1, практически полностью попадает на поверхность образца 4 (ход лучей показан на чертеже стрелками), а внутренний диаметр кольцевого нагревателя на 20-40 С превышает диаметр каустической поверхности 9 в месте расположения нагревателя, Расстояние между раскрывом рефлектора 6 и сферическим зеркалом 1 составляет 20 - 45радиуса кривизны зеркала 1. Термопары 10 и 11 установлены с двух сторон образца в контакте с его нижней и верхней поверхностями.Работает резонатор...

Номер патента: 1800335

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Беляев, Тюрнев

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектрической, подложки, проницаемости

...Соответствие между частотой полюса ГР и величиной диэлектрической проницаемости е рассчитывают теоретически или устанавливают эмпирически с помощью набора подложек с известной диэлектрической проницдемостью.Положительный эффект при осуществлении изобретения достигается благодаря тому, что вместо измерения резонансной частоты одиночного резонатора, то есть нахождения координаты плоской вершины достаточно широкого пика прохождения СВЧ мощности, измеряется частота ГР чрезвычайно узкого полюса затухания СВЧ мощности, проходящей от одного металлического проводника к другому.1800335 Составитель В.ТюрневТехред М.Моргентал Корректор С.Шекмар РедакторЗаказ 1160 Тираж ПодписноеВНИИПИ Г(нудзрсвенного комитега по изобретениям и открытиям при...

Номер патента: 1800522

Опубликовано: 07.03.1993

Автор: Буртовой

МПК: G01N 22/00, H01P 7/06

Метки: открытый, резонатор

...1 регулярного волновода кольцевой резонатор, Через элемент направленной связи 7 линия передачи 6 связана с линией переда , чи 8, подключенной к внешнему источнику СВЧ-мощности Р 1(на чертеже не показан). Элементы направленной связи 9 и 10, выполненные, как и элементы 4 и 5, на концах отрезка 1 регулярного волновода, подклю чены к концам второй линии передачи (на чертеже не показана), образующей с ним второй кольцевой резонатор и связанной, в свою очередь, с вторым внешним источником СВЧ-мощности Р 2 (на чертеже не пока зан),Открытый резонатор работает следующим образом.Электромагнитная волна от источника мощности Р 1 по линии передачи 8 через 40 элемент направленной связи 7 поступает в линию передачи 6, распространяется по ней . к...

Номер патента: 1829006

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Болознев, Законов, Чабдаров

МПК: G01N 22/00

Метки: датчик, камере, параметров, пламени, установки, энергетической

...устанавливается, на(57) Использование: в системах контроля и управления режимом энергетических установок. Сущность изобретения: датчик параметров пламени в камере энергетической установки содержит автогенератор СВЧ с коаксиальным резонатором, торец которого установлен в отверстии, выполненном в стенке камеры заподлицо с ее внутренней поверхностью, и металлическую диафрагму, закрывающую выходной конец коаксиального резонатора. В металлической диафрагме выполнена дугообразная нерезонансная щель, радиус, длина и ширина которой выбраны из определенных соотношений, 2 ил. пример, в стандартном штуцере на стенке камеры 9.Генератор, образованный коаксиальным резонатором и диодом 6, работает на частоте выше плазменной и возбуждает р щель 5,...

Номер патента: 1830479

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Анищенко, Караваев, Пунько, Смоляков

МПК: G01N 22/00

Метки: радиоволновый, эллипсометр

...бытьучастках в зависимосхеме не указаны, псометр работает(12) 35 Ь 11+ Ьзз = ОК 21 Ьгг+ Ьзз = О Величина этих изменений определяется матрицей преобразования. Для прошедшей волны 1 Ь 1- 1 М 11 а 1, (8) где 1 а - матрица коэффициентов исходного эллипса,Ь 1- матрица коэффициентов прошедшей волны;1 М 1 - матрица известных коэффициентов преобразования.Для отраженной волны 1 С 1 1 М 1 1 Э 1 ., (9) где 1 С 1 - матрица. коэффициентов поляризационного эллипса отраженной волны;.1 М 1 - матрица известных коэффициентов преобразования,Если совместить ось Х прямоугольной системы координат с осью пропускания поляриэационного делителя и ввести обозна- чения- сигналы на выходе измерителя отношений 9, то математически задача сводится к нахождению эллипса...

Номер патента: 1835506

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Егоров, Костромин, Масалов

МПК: G01N 22/00

Метки: поверхностного, сопротивления

...потерями, таких как монокристаллический кварц,лейкосапфир(тд д = 1010 б), При этом собственная добротность ДР ограничена только диэлектрическими потерями изначительно превышает добротность металлических объемных резонаторов (при 20300 к в 5-10 раз, а при охлаждении до криогенных температур 100-1000 раз).Образец для исследуемого проводящего материала прижимается к плоской торцевой поверхности ДР. Измерение Йз 25проводится по изменению собственной добротности ДР с прижатым образцом относительно собственной добротности ДР,удаленного от проводящей поверхности нарасстояние не менее половины рабочей 30длины волны.Сопоставительный анализ заявляемогорешения с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от...

Номер патента: 2001391

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Архаров, Главатских, Гречко, Жердев

МПК: G01N 22/00

Метки: криопродуктов, потоков, сплошности

...емкость, т.е, уменьшает чувствительность датчика.Были проведены эксперименты по изучению влияния перекрытия ребер на добротность резонатора. Так, например, с числом ребер на трубах 3 и 4 и размерами (мм) бтр - 20, О = 80. б = 22, Ь, и = 2, На = 75, Ь 2 = 6, а "0.5 нагруженная добротность составила при величине перекрытия ребер = 00500, а при= 6 0 =50. Видно, что с увеличением перекрытия добротность уменьшалась, причем случай при- 6 мм соответствует крайнему случаю соотношения о ) 1/3. Поскольку погрешность измерения резонансной частоты обратно пропорциональна добротности, то при этом крайнем случае погрешность измерения резонансной частоты и, соответственно, сплошности, увеличилась в 10 раз,Были также проведены эксперименты по...

Номер патента: 2003079

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Будтов, Мухутдинова, Ревизский, Фазлутдинов, Фахретдинов

МПК: G01N 22/00

Метки: агрегативной, воды, воздействия, изменения, коллоидных, него, нефтевытесняющими, нефтеносного, нефти, остаточной, пласта, после, реагентами, связанной, степени, устойчивости, частиц

...частиц Остаточной нефти и связанной воды, если-9, 1Кз т-2,0, (6) уменьшение степени агрегативной устойчивости данных частиц, если2,0 Кзг 17,0; (7)в интевале частот ат(3,16 - 4) 10 до(1,26- 5)10 Гц:повышение степени агрегативной устойчивости коллоидных частиц остаточной нефти и связанной воды, если-6,1К 5-2,0. (8) уменьшение степени агрегативной устойчивости данных частиц, если2,0К 5 т4,7. (9) После сопоставления величин К г, оп ределенных для испытуемого нефтевытесняющего реагента, .с численными критериями, представленными неравенствами (2)-.(9), делают заключение - изменяются или не изменяются физика- механические свойства остаточной нефти и связанной воды после воздействия на пласт укаэанным реагентом по сравнению с...

Номер патента: 1699251

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Лапидус, Малышев, Скворцов, Тэгай

МПК: G01N 22/00

Метки: градуировки, датчика, параметров, полупроводниковых, резонансного

СПОСОБ ГРАДУИРОВКИ РЕЗОНАНСНОГО ДАТЧИКА ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, заключающийся в расположении образцов, аттестованных по удельному сопротивлению на измерительное отверстие резонансного датчика, и снятии зависимости выходного сигнала резонансного датчика от электрофизического параметра образцов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности при измерении эпитаксиальных слоев на проводящих изотипных подложках, в качестве образцов, аттестованных по удельному сопротивлению, используют полупроводниковые образцы толщиной, не превышающей максимальную толщину измеряемых эпитаксиальных слоев, на тыльную поверхность которых нанесен металлический слой, измеряют толщину полупроводникового образца, а в качестве электрофизического...

Номер патента: 1212156

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Ахманаев, Данилов, Медведев, Петров

МПК: G01N 22/00

Метки: датчик, параметров, полупроводниковых, электрофизических

ДАТЧИК ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, содержащий цилиндрический СВЧ-резонатор квазистатического типа, на одной из торцевых стенок которого закреплен один конец индуктивного штыря, другой конец которого размещен в соосном с ним отверстии, выполненном в другой торцевой стенке, а также элементы связи цилиндрического резонатора с источником СВЧ-энергии и индикатором и механизм осевого перемещения индуктивного штыря, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и производительности измерений, торцевая стенка, на которой закреплен индуктивный штырь, выполнена в виде концентрически гофрированной металлической диафрагмы, а механизм осевого перемещения индуктивного штыря - в виде катушки индуктивности с соосно...

Номер патента: 1405481

Опубликовано: 10.02.2000

Авторы: Артемьев, Лебедев

МПК: G01N 22/00

Метки: неразрушающего, ферромагнитных

Устройство для неразрушающего контроля ферромагнитных изделий, содержащее индукционный преобразователь, полесоздающая обмотка которого соединена с выходом задающего генератора, первый полосовой фильтр, пороговый блок, первый вход которого подсоединен к выходу задатчика порогов разбраковки, а выход - к входу индикатора, отличающееся тем, что, с целью повышения точности контроля, в него введены последовательно соединенные управляемый фазовращатель, управляемый усилитель и первый смеситель, выход которого подсоединен к входу первого полосового фильтра, последовательно соединенные усилитель-ограничитель, второй полосовой фильтр, первый фазовый детектор и сумматор, выход которого соединен с...

Номер патента: 1301118

Опубликовано: 27.08.2000

Авторы: Маречек, Поляков, Тищенко

МПК: G01N 22/00

Метки: параметров, плазмы

Способ определения параметров плазмы, включающий измерение интенсивности собственного радиоизлучения исследуемой стационарной плазмы на двух частотах i, по которым определяют концентрацию электронов и частоту их столкновения, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей путем определения параметров распадающейся плазмы и их температурной зависимости, значения частот i выбирают из условия i

Номер патента: 1507030

Опубликовано: 27.05.2003

Авторы: Амельянец, Дымшиц, Пчельников, Яворский

МПК: G01N 22/00

Метки: концентрации, пульпы

Способ определения концентрации пульпы, заключающийся в воздействии на исследуемую пульпу высокочастотным электромагнитным полем и измерении его параметров, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей путем измерения распределения концентрации пульпы в поперечном сечении круглого металлического трубопровода, высокочастотное электромагнитное поле возбуждают в круглом металлическом трубопроводе в виде линейно поляризованной волны типа Н11 с вращающейся плоскостью поляризации, в качестве измеряемого параметра выбирают коэффициент затухания линейно поляризованной волны, измеряют зависимость коэффициента затухания линейно поляризованной волны от положения...

Номер патента: 1840247

Опубликовано: 10.08.2006

Авторы: Ковалев, Станкевич, Табакова

МПК: G01N 22/00

Метки: свч-дефектоскоп

1. СВЧ-дефектоскоп, содержащий СВЧ-генератор, выход которого соединен с первым входом блока обработки отраженного сигнала, первый выход которого соединен с входом разветвителя, СВЧ-антенну и индикатор, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и оперативности контроля, введены последовательно соединенные первый переключатель и фазовращатель, а также второй переключатель и синхронизатор, первый и второй выходы которого подключены к управляющим входам первого и второго переключателей соответственно, а третий выход - к второму входу блока обработки отраженного сигнала, первый и второй выходы выходных плеч разветвителя соединены с входами первого и второго переключателей соответственно, выход фазовращателя подключен к...

Номер патента: 1840261

Опубликовано: 10.09.2006

Авторы: Залесский, Лепорский, Сорокин, Станкевич

МПК: G01B 15/00, G01N 22/00

Метки: свч-толщиномер

СВЧ-толщиномер, содержащий приемо-передатчик эхо-сигналов и связанный с его выходом индикатор сигнала биений, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения диэлектриков, он снабжен связанным с приемо-передающей антенной, выполненным в виде детекторной секции и соединенного с ней одним входом непосредственно, а другим - через емкость операционного усилителя, корректором результата измерений по диэлектрической проницаемости, выход которого подключен к корректирующему входу индикатора сигнала биений.