G01N 21/21 — свойства, влияющие на поляризацию

Номер патента: 1509682

Опубликовано: 23.09.1989

Авторы: Дементьев, Калинин, Максимов

МПК: G01N 21/21

Метки: кристаллов, параметров, электрооптических

...поглощения(й = 380-420 нм).После установления "темнового фо-,на" поверхность кристалла заряжается в поле коронного разряда, На коро-.нирующие электроды от двуполярногоисточника подают высокое напряжение, возрастающее по линейному закону от 2 до 10 кВ,При достижении максимальногопросветления фиксируют соответствующее этому моменту коронирующеенапряжение У, которое затем отключаютМаксимальное просветление всейсистемы наблюдается при создании на .поверхности кристалла разности потенциалоЬ, равной величине полуволнового напряжения Б , которая можетбыть определена какЦ 1= 2 (и- Ц )Фоточувствительность кристалла оценивают по времени полуспада потенциала на кристалле при его экспонировании активным светом или, учитывая 50 (1), по времени...

Номер патента: 1518728

Опубликовано: 30.10.1989

Авторы: Иванов, Сташкевич, Цвирко

МПК: G01N 21/21

Метки: параметров, поляризации, элипса

...10. Сигналы фотоприемников первого канала 9 и 10 послеликового детектирования пиковыми де-текторами 11 и 12 оцифровывают аналого-цифровыми преобразователями 3и 4, Аналогичным образом регистрируют излучение во втором 1,элементы15, 16 и 17) и третьемэлементы 18,19 и 20) каналах. Значения амплитудинтенсивности излучения в первом,втором и третьем каналах в цифровомвиде поступают на вычислительное устройство 21, в котором вычисляютсяпараметры эллипса поляризации. Поих значениям определяют свойства материалов и их толщины, значения которых фиксируются устройством 22 регистрации,Поскольку на призму 7 попадаетизлучение без искажения поляризации,сумма интенсивности потоков излучения круговой поляризации с противоположно вращающимися векторами...

Номер патента: 1538106

Опубликовано: 23.01.1990

Авторы: Мельников, Ситников

МПК: G01N 21/21

Метки: оптических, характеристик

...суммарного токов измерительного сравнения образуется ризованная волна, уг кости поляризации ко нию к первоначальному плоскости поляризаци ванному в отсутствие материала в измерител несет информацию о в величине разности хо шения точности опр ны разности хода за канала и каналалинейно полял поворота плосорой по отношеположению еезафиксироследуемогоом каналеесенной има, Для повы-, деления величисчет устранения1538106 2. Способ по п.1, о т л и ч а ив щ и й с я тем, что, с целью повышения точности за счет устранения влияния оптической активности исследуемого материала, преобразование потока излучения измерительного канала в циркулярно поляризованный осуществляют после его прохождения через исследуемый материал. Составитель...

Номер патента: 1557490

Опубликовано: 15.04.1990

Авторы: Александров, Асиновский, Готтшалл, Кирш, Мельцин, Наумбургер

МПК: G01N 21/21

Метки: поляризационных, характеристик

...регистрируемого фотоприемником 4, Усиленный усилителем 5электрический сигнал, поступающий навход электронного блока 6, имеетсложный частотный спектр, содержащийгармоники с частотами пЕ +шЕ, гдеп и ш - любые целые числа. Верхняяграничная частота фильтра 11 нижнихчастот по меньшей мере вдвое большемаксимальной частоты модуляции светового потока Е, . Отношение частотФотоупругих модуляторов имеет постоянное значение, равное отношениюкоэффициентов деления делителей 8.1и 8.2 частоты, например Е,И - 1,37.Аналого-цифровой преобразователь 12отцифровывает ограниченный сверхупо спектру фильтром 11 нижних частотэлектрический сигнал в моменты времени, которые определяются поступлением синхронизирующих импульсов сцентрального тактового...

Номер патента: 1617325

Опубликовано: 30.12.1990

Авторы: Александров, Викулов, Жаботинский, Романовцев, Тузов, Фельд, Шушпанов

МПК: G01N 21/21

Метки: оптической, поляризационно-оптического, разности, хода

...полных углов поворота плоскости поляризации - отрезок прямой с наклоном 0,2 в пределах от 2,5 л до +2,5 л,Для определения рро с высокой точностью необходимо использовать многоэлементный фотоприемцик, содержащий порядка 10элементов, и усреднять значение р по всемэлементам фотоприемника, При этом используется тот факт, что значение рроо одинаково для всех элементов фотоприемника,Усреднение по 10 точек позволяет на порядок уменьшить среднеквадратическую случайную ошибку измерений (ро по сравнениюс одноэлементцым фотоприемником. Погрешность определения о при использовании промы(пленного многоэлементного фотоприемника (линейка из 1024 элементов протяжен.постыл 15 мм) составляет 1 ор" при малых1 О - - О ")1 л значениях сро и (0,1 -...

Номер патента: 1378565

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Гакамский, Немкович, Рубинов, Томин

МПК: G01N 21/21

Метки: дипольного, молекулы, момента, поворота, угла, электрического

...момента молекулы, можно определить из формулы (1), т.к. быстрый поворот молекулы на определенный угол тождественен той ситуации, когда дипольные моменты осцилляторов переходов образуют между собой такой же угол. Таким образом, угол поворота электрического дипольного момента молекулы равенМ. = агсоз где Ксопвй - значение АИ после того, как завершился вынужденный поворот молекулы, которое в твердом растворе сохраняется постоянным во времени,Для того, чтобы обнаружить вынужденные повороты молекул в растворе, измерения анизотропии испускания необходимо проводить с достаточно высоким временным разрешением, которое определяется длительностью возбуждающего импульса и полосой пропускания регистрирующей аппаратуры.45 50 Длительность...

Номер патента: 1679371

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Касаткина, Компанец, Кривогубченко, Лысогор, Севастьянов, Скидан

МПК: G01N 21/21, G01N 33/02

Метки: концентрации, многокомпонентных, растворов, сахарных

...магнитногорезонанса Р - О - (+) глюкозы.Устройство (фиг. 1) содержит источник 1излучения, выполненный в виде перестраиваемого лазера ИК-диапазона, кювету в виде двух сообщающихся (не показано) междусобой камер 2 и 3, источника магнитногополя, между полюсами 4 и 5 которого расположена первая (измерительная) камера 2кюветы, управляемый генератор 6, выходкоторого соединен с радиочастотным контуром 7, и детектор 8 излучения, Камера 2кюветы расположена внутри радиочастотного контура 7 и помещена в измерительный канал 9 двулучевого интерферометраМаха-Цандера, а камера 3 - в контрольный мая детектором 8 излучения и отображаемая на элементах индикации блока 15 регистрации. Управляемый генератор 6 создает переменный ток в радиочастотном...

Номер патента: 1695180

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Кучеров, Шутов

МПК: G01N 21/21

Метки: вращатель, высокоскоростной, плоскости, поляризации

...с произвольентацией опфазовои плакой оси 900. ения матрицариант В первом варианте матрица устройства представляет собой матрицу полуволновой фазовой пластинки с азимутом эквивалентной оптической оси д/4, во втором - матрицу вращателя с углом поворота д/2. В любом из этих случаев при изменении фазы активного элемента на величину д плоскость поляризации входящего линейно поляризованного света повернется на угол д/2 независимо от своей первоначальной ориентации,При использовании в качестве активного элемента устройства электрооптических и фотоупругих переменных фазосдвигателей может быть достигнута высокая скорость вращения плоскости поляризации. За счет высокого качества этих фазосдвигателей будет повышена степень линейной...

Номер патента: 1707510

Опубликовано: 23.01.1992

Автор: Ронис

МПК: G01N 21/21

Метки: поляриметр

...осно-вание 1, на которое посредствомкорпуса и специальных стоек крепятся узел поляризатора 2 и узел анализатора 3 с компенсатором у и т . Узелполяризатора шарниром 4 связан с подстазкой 5. Это дает воэможность нтклона прибора на 45 в вертикальнойплоскости. Анализатор может перемещаться относительно поляризатора поцилиндрическим направляющим 6.В конструкции поляризатора предусмотрена возможность регулировки светового потока осветителя при помощисветорегулятора 1. Узел поляризатора включает в себя осветитель 8,молочное стекло 9, работающее на рассеяние, матовое стекло 10, поляри,затор 11 и пять эталонов 1 цвета.Эталоны цвета закреплены в оправкахи расположены в нижней части поляризатора, оправы с эталонами цветапри юстировке прибора...

Номер патента: 1746263

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Влох, Кушнир, Шопа

МПК: G01N 21/21

Метки: качества, поляризационных, призм

...кристалл излучения (азимуты соответственно 0 и А), осей максимального пропускания ПП (поляризатора) р и анализатора А и главных направлений кристалла х и у; фиг,2 - график зависимости 20 показаний УОУанализатора Лот показанийУОУ ПП 0.Рассмотрим физические явления, происходящие в системе ПП-кристалл-анализатор. Пусть вследствие несовершенства ПП, 25 используемой в качестве поляризатора, накристалл падает эллиптически поляризованное излучение с азимутом большой оси эллипса поляризации 0 в окрестности главного направления в кристалле (например, З 0 кристаллофизической оси х) и с малой эллиптичностью р(фиг.1). Азимут большой оси эллипса поляризации А прошедшего кристалл излучения при таких условиях можно определить, используя общие...

Номер патента: 1749782

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Асалханов, Дарибазарон, Домбровский

МПК: G01N 21/21

Метки: адсорбированного, времени, молекул, поверхности, полупроводниковых, равновесного, слоя, состояния, установления

...близким по технической сущ- полируют, затем помещают в вакуумную каности к предлагаемому является способ оп- меру 9 и устанавливают на юстировочную ределения выхода на равновесное площадку, Череэвходноеокно 10 камеры на состояние методом нуль-эллипсометрии, 35 образец 8 направляют луч линейно полярио предусматривающий помещение исследу- зованного света под углом на 1 - 2 меньше емого полупроводникового материала в главногоуглападениядля поверхностиисвакуум, облучение его поверхности поляри- следуемого материала относительно нормаэовэнным излучением и определение рав- ли к его поверхности. Азимут поляризациио новесного состояния адсорбированного 40 луча может изменяться в пределах 0-360 слоя молекул методом гашения...

Номер патента: 1749783

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Аникин, Верещагин, Закиров, Пеньковский, Петрановский, Хамелин

МПК: G01N 21/21

Метки: концетрации, моче, поляриметр, сахара

...1 света.Поляриметр для измерения концентрации сахара в моче работает следующим образом,Светящее тело источника 1 света (фиг, 1) конденсором 2 переносится в плоскость диафрагмы 3, находящейся в фокусе коллиматора 4, Лучи света, прошедшие диафрагму 3, после коллиматора 4 становятся коллимированными, часть из них проходят ограничивающую диафрагму 5 и узкополосный фильтр 6. Далее коллимированный монохроматический пучок света проходит поля риэационный фильтр 7, становится линейной поляризованным с азимутом поляризации, например, 45 к горизонту. проходит, кювету 9 с исследуемой средой 11, двулучевую призму Волластона 8 и разделяется на два линейно поляризованных пучка р- и з-компоненты которых составляют углы + 45 по отношению к плоскости...

Номер патента: 1749784

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Гречушников, Константинова, Степанов, Улуханов

МПК: G01N 21/21

Метки: анизотропных, кристаллов, оптических, параметров

...с поляризационной приставкой, метод может быть реализован лишь нэ автоматизированном устройстве с использованием ЭВМ. Уста новкэ должна содержать держатели поляризаторов и кристалла с возможностью вращения вокруг оптической оси прибора, фотометрическую систему, мондхроматор и обеспечивать следующие функции; установ ку угла между образцом и системой первыйполяризатор - второй поляризатор зэ счет поворота образца либо за счет синхронного вращения поляризаторов; измерение интенсивности прошедшего света, а также 25 ввод данных в ЭВМ для определенияФурье-амплитуд.Определение Фурье-амплитуд численным.интегрированием по формулам Фурье экспериментальной зависимости= 1( а) ЗО либо методами линейно-регрессивного анализа оказывается в...

Номер патента: 1753375

Опубликовано: 07.08.1992

Авторы: Белый, Пашкевич, Ропот, Шепелевич

МПК: G01N 21/21

Метки: гиротропных, кристаллов, кубических, постоянных, фотоупругих

...основании измеренных ф,ф,ф) и 2)4 из системы линейных неоднородных уравненийапсМц - фд уп = АЛЬМф,= Е 10011р, - азимут падающего линейно поляризованного света; 5фЪ - азимут дифрагированного света;1 и - длина области акустооптическоговзаимодействия;г 41 - электрооптический коэффициент;114 - пьезоэлектрический коэффициент;я, - статическая диэлектрическая проницаемость кристалла;р- удельное вращение плоскости поляризации;Р 1 - компоненты тензора фотоупруго 15сти;п - 1,2,3,4 - индекс, соответствующийгеометрии взаимодействия,рассчитывают фотоупругие постоянные гиротропных кубических кристаллов,В предлагаемом способе проводятсяизмерения только азимута ф (угла) дифрагированного света и угла поворота плоскости поляризации р 1 при...

Номер патента: 1778637

Опубликовано: 30.11.1992

Автор: Коноплянко

МПК: G01N 21/21

Метки: сахариметр

...полное затемнение в крайнем правом положении ползуна 10.Для крайнего случая сахарного диабета верхний предел шкалы устройства составляет 10 грамм сахара на 100 мл раствора (мочи) и соответствует углу поворота пло 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 скости поляризации около 1". О данной конструкции устройства эти 11" поворота поляризатора соответствуют 32 угла междунаправляющей 9 и осью направляющей 11 на длине 140 мм смещения ползуна 10 между его крайними левым и правым положени. ями, Шкала нанесена вдоль корпуса кюветы 1,Пользуются устройством следующим образом.В исходном положении ползун 10 сдвинут в крайнее левое (переднее) положение на нулевую отметку шкалы, В вертикальном положении устройства и при снятой крышке 7 в кювету...

Номер патента: 1786402

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Бахрамов, Коххаров, Тихоненко

МПК: G01N 21/21

Метки: атома, изменения, линии, перехода, поле, полевого, резонансного, световом, сильном, уширения

...0,4 см длительность импульса на полувысоте 20 нс), частота которого перестраивалась в широкой окрестности исследуемого перехода 531 п - 5 Рзп,Измерение угла самовращения эллипса поляризации, прошедшего область взаимодействия излучения ЛК, производилось двумя взаимно скрещенными поляризационными призмами Франка-Риттера и установленным за ними ФПУ на базе фотодиода ФДГ. Коэффициент экстинкции измерительной схемы был не хуже 10 Степень эллиптичности излучения ЛК(отношение малой и большой полуосей эллипса поляризации) составляла величину 0=5 10 4,На чертеже приведены крив .е частотной зависимости угла самоиндуцированно 5 го вращения эллипса поляризации р(и) длятрех фиксированных значений интенсивности при перестройке частоты...

Номер патента: 1787266

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Александров, Жаботинский, Тузов, Фельд, Шушпанов

МПК: G01J 4/04, G01N 21/21

Метки: оптической, разности, хода

...является использование многоэлементного матричного ФП, так как только в этом случае можно исключить характерные для прототипа факторы, снижающие быстродействие и точность измерения, Быстродействие повышается за счет исключения операции калибровки и использования электронного сканирования (считывания) регистрируемой картины вместо длительного многостадийного процесса экспонирования химической обработки и фотометрирования фотопленки, Повышение быстродействия при замене фотопленки матричным ФП приводит к появлению возможности использования совершенно иных методом поиска координаты минимума сигнала, Фотометрирование является настолько длительнь,м и трудоемким процессом, что может быть выполнено за приемлемое время только в небольшой...

Номер патента: 1794246

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Кармадонов, Поздняков

МПК: G01N 21/21

Метки: дефектов, древесных, материалах, пиленых

...фиг.2 б - вторая стадия.му,еслй в образце ймеется дефект, характе-: На фиг.З изобракена система излучате-.ризующийся отклонением волокон от лей и приемников(многоканальный датчик),направления; параллельного кромке (на расположенных по ширине образца, котоклрн волокон; односторонний, двухсторон- рый движется по конвейеру,ний завитки), с наклоном от излучателя кНафиг.4 представлена Функциональнаяприемнику; то ослабление све 1 а наимень-: схема устройства сортировки образцов, гдешее." :. , ."" :;: .;.:. :-4 - ЭВМ, 5 - распределитель импульсовЕсли же волокхно.не отклоняетсяот на излучения, 6- коммутатор каналов, 7 - анаправления, параллельного кромке образца лого-цифровой преобразователь,8-устрой(прямослойный образец), то ослабление . ство...

Номер патента: 1805352

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Вардосанидзе, Какичашвили, Кобяков, Петрова

МПК: G01N 21/21

Метки: выявления, двойников, кристаллической, среде, электрических

...рипольному переходу линейной поляриза- исследуемого объекта, 7 - объектив, 8 - выции, то в картине их интерференции должен 5 пуклов отражательное зеркалонаблюдаться излом в месте границы разде- Луч лазера 1 проходит через делитель 2, лаучастковэлектричвскихдвойников. Вели- а часть пучка после коллиматора расшири- чина излома связана с коэффициентом теля 3 освещает исследуемый объект; фокуанйзотропного йреломления кристалла, его сирующая линза 5 формирует изображение толщиной, длиной волны,просвечивающего 10 обьекта. Вторая часть пучка, отразившись светаихарактеризуетвеличинуабсолютно- от выпуклого отражательного зеркала 9, го скачка комплексной амплитуд. пройдя обьектив 7, формирует параллельНв этой основе можно предложить спо- ный...

Номер патента: 1806343

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Калашникова, Коломина, Наумов, Пашков, Сидорюк

МПК: G01N 21/21

Метки: кварца, кристаллах, напряжений

...света в напряженном кристалле кварца отличается от соответствующего угла в ненапряженном кристалле.Получаемая в экспериментах точность установки угла поворота плоскости поляризации всего в 0,5 делает предлагаемый способ контроля напряжений в кристаллах кварца по чувствительности и точности контроля превосходящим известные способы,П р и м е р 1. Кристалл правого кварца в виде пластины, вырезанной перпендикулярно оптической оси, толщиной 40,5 мм помещался между скрещенными поляризаторами так, чтобы свет проходил вдоль оптической оси. В качестве источника светаиспользовалась 2-ая гармоника излучениятвердотельного лазера длиной волны Л =0,53 мкм, Для получения сходящегося луча5 света перед кристаллом помещалась положительная линза...

Номер патента: 1835504

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Аудзионис, Бальненис, Левитас, Липавичюс, Марцинкявичюс, Рубиш, Стасюкинас

МПК: G01N 21/21

Метки: активности, анизотропных, зависимости, кристаллов, оптической, температурной

...детектора 9, детектирующий сигнал второй гармоники соединен с выходом фотодетектора 7, Входы делителя 10 напряжений соединены с входом синхронного детектора 8 и с выходом синхронного детектора 9. Выходы задающего генератора 11 соединены с поляриэационным модулятором 3 и с входами опорных сигналов синхронных детекторов 8 и 9. Механизм 12 с блоком управления поворота поляризатора 2 и анализатора 6 механически соединен с поляризатором 2 и анализатором 6. Вход блока 13 выборки-хранения сигнала, пропорционального 4 с выходом делителя 10 напряжений и вход управления блока 13 соединен с одним из выходов блока 12 управления с механизмом поворота поляризатора и анализатора, Вход блока 14 выборки-х 2 оанения сигнала пропорционального(6 з 1 п С...

Номер патента: 1549310

Опубликовано: 27.02.2000

Авторы: Алексеев, Бугрова, Константинов, Пискун

МПК: G01N 21/21

Метки: водных, волнения, дистанционного, поверхностей, характеристик

Способ дистанционного измерения характеристик волнения водных поверхностей, включающий формирование и регистрацию изображения поверхности вне зоны блика и определение по полученному изображению характеристик волнения поверхности, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности и информативности измерения за счет определения пространственной ориентации каждого элемента контролируемой поверхности, формируют дополнительно по крайней мере два изображения одного и того же участка водной поверхности, при этом все изображения формируют при различных ориентациях плоскостей поляризации отраженного излучения, одновременно регистрируют сформированные изображения, по каждому зарегистрированному...

Номер патента: 704338

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: G01N 21/21

Метки: вырожденных, параметров, полупроводников, приповерхностных, слоях, электронов

Способ определения параметров электронов в приповерхностных слоях вырожденных полупроводников, включающий освещение исследуемого образца и эталона - невырожденного полупроводника - монохроматическим поляризованным светом, измерение эллипсометрических параметров образца л и эьалона o на крае полосы собственного поглощения, определение длины волны света m, соответствующей минимальному значению эллипсометрического параметра

Номер патента: 708792

Опубликовано: 10.11.2001

Авторы: Коршунов, Морозов, Тихонов

МПК: G01N 21/21

Метки: антимонида, вырожденного, индия, концентрации, п-типа, приповерхностном, слое, электронов

Способ определения концентрации электронов в приповерхностном слое вырожденного антимонида индия, n-типа, включающий освещение монохроматическим поляризованным светом образцов исследуемого и взятого в качестве эталона невырожденного полупроводника, многократное измерение эллипсометрического параметра и соответствующих ему длин волн, определение энергетического сдвига края полосы собственного поглощения, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа перенесением измерений в видимую область спектра, перед освещением поверхности исследуемого образца и эталона аморфизируют с сохранением исходной концентрации электронов, при...