Домнин

Номер патента: 871164

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Беров, Гаршин, Домнин, Никишин

МПК: G06F 7/58

Метки: генератор, случайных, чисел

...0 (если напряжение шума было меньше порогового напряжения (см. Фиг. 2, Е ). 40 Двоичная информация с выхода ЗУ 3 через усилитель мощности 11 поступает на выход генератора случайных чисел. Одновременно двоичная инфор" мация с выхода ЗУ 3. поступает на 45 информационный вход элемента И 7. При этом на тактовый вход элемента И 7 с выхода генератора б поступают стробирующие импульсы. Ца выходе элемента И 7 стробирующий импульс 50 появляется в том случае, если в этот момент в ЗУ 3 записана логическая 1 (см. Фиг. 2, б ). С выхода элемента И 7 импульсы подаются на счетчик 8, содержимое которого увенчивается на 1 с приходом импульса с элемента И 7, изменяясь в пределах от 0 до И/2, (ам. Фиг. 2 г). Одновременно стробирующий импульс с...

Номер патента: 868982

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Беров, Гаршин, Домнин, Никишин

МПК: H03K 3/286

Метки: д-триггер

...9 переключателя тока подан логичес кий "0", триггер находится в режиме хранения информации. Ток источника 11, течет через открытый второй транзистор 7 переключателя тока, входной и выходной транзисторы 1 и 2 образуют триггер Шмидта, который может находиться в двух устойчивых состояниях. В нулевом состоянии открыт входной транзистор 2, его коллекторный ток понижает потенциал на базе выходного транзистора 1.Напряжение коллектор-эмиттер входного транзистора 2 в этом режиме выбирается путем подбора номинала резистора 3 равным 0,4 В. Это напряжение достаточно для надежного запира О ния транзистора 1 и не вызывает заметного насыщения входного транзистора 2, В этом режиме на выходах 4 и 5 присутствует уровень логического нуля. В...

Номер патента: 857403

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Аржанов, Домнин

МПК: E04G 21/12

Метки: арматурных, каркасов, предварительного, типа, ферм

...на поддоне в проектном положенни, механическое натяженне поперечной арматуры каркаса с передачей распорных усилий на продольную арматуру, бетонированне конструкции и отпуск натяжения арматуры на бетон, аматурный каркас нзготавлнвают изогнутойформы н устанавливают его на поддоне выгибом вверх, после чего производят напряжение поперечной н про. дольной арматуры путем приложения усилия, изгибающего каркас в направлении, противоположном его выгибу и до бетонирования в верхней зоне каркаса укладывают ненапряженную арматуру.На чертеже изображена схема прнложе. ния нагрузки для предварительного напряження арматурного каркаса типа фермы.857403 щий фиксацию каркаса на поддоне в проект ном положении, механическое натяжение поперечной арматуры...

Номер патента: 850833

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Аржанов, Домнин, Шабанов

МПК: E04C 3/26

Метки: строительный, элемент

...рабочих усилий.при ар.мировании каркасами внешние вершины ромбов или квадратов соединены по краям продольной предварительно напряженной арматурой 4.Для увеличения прочности элемента плос.кие каркасы 2 и 3 выполнены как одинарные, зотак и сдвоенные с относительным смещениемромбов или квадратов.Для увеличения жесткости элемента в продольном направлении по внешним стенкамэлемента установлены дополнительные плоские каркасы 5 из ромбов или квадратов.Стержням (до укладки их в форму) придают изогнутую форму так, чтобы их пересечение создало фигуры ромба или квадрата,в зависимости от соотношения усилий обжатия элемента в том или ином направленииили изготавливают каркасы из отдельныхзаранее изготовленных ромбов или квадратов,которые...

Номер патента: 787564

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Домнин, Крадинов, Назаров, Шемякин

МПК: E02F 3/40

Метки: ковш, экскаватора

...оператором возникает трудность в обеспечении точности ориентации одних линий прохода зубьев рыхлителей относительно других, что необходимо для достижения наиболее экономичных способой рыхления мерзлых грунтов.Цель изобретения - снижение энергоемкости процесса предварительного рыхления.Указанная цель достигается те зубья на днище установлены неск поперечными ковшу рядами, в каж которых продольные оси зубьев смещ носительно продольных осей других7875644ние разрыхленного грунта с зубьями режущей кромки. формула изобретения При этом расстояние между рядами определено расположением зубьев последующегоряда между поверхностью днища и касательной к ней плоскостью, проведенной через основания зубьев предыдущего ряда, кроме того, крайние зубья...

Номер патента: 779948

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Анашкин, Волобуев, Домнин, Заец, Сбоев

МПК: G01R 33/00

Метки: коэффициента, магнитоприемников, преобразования

...8 через сумматор 7,ЯВ магнитоприемнике 1 происходит преобразование магнитных полей в пропорциональные им напряжения. Сигнал свыхода задающего генератора 8 поступает также на вход фазоврашателя 9,устраняющего сдвиг фаз между этимнапряжением и вызванным им напряжением на выходе магнитоприемника 1.Вмоменты перехода через нуль напряже-,ние контрольного сигнала, йоступающе.го на вход нуль-органа 10 с фазовра- ЗОщателя 9, на выходе куль-органа вырабатываются короткие импульсы, которыепоступают на управляющий вход нормально разомкнутого ключа 3 и открываютего, На сигнальный вход ключа 3 подается напряжение с выхода магнитоприемника 1. Поскольку напряжение конт - -рольного сигнала и вызванное им напряжение на выходе...

Номер патента: 736119

Опубликовано: 25.05.1980

Авторы: Волобуев, Домнин, Заец, Сбоев

МПК: G06G 7/12

Метки: операционный, усилитель

...транзисторов-ин5 736 1 верторов 15 и 22 аналогична проводимости входных транзисторов 1 и 2. Коллекторы выходных транзисторов 3 и 4 соединены с нагрузочными термостабилизирующими диодами 7 и 8 и базами транзисторов 11 и 12 смешения уровня с противоположным типом проводимости. Вторые выводы диодов 7 и 8 подключены к отрицательному попюсу источника питания. Коллектор транзистора 11 сое О динен с базой транзистора-инвертора 21 второго каскада усилителя 27 мощности а коллектор транзистора 12 соединен с базой транзистора-инвертора 14 первого каскада усилителя 20 мощности, При этом 5 проводимость транзисторов-инверторов 14 и 21 аналогична проводимости выходных транзисторов 3 и 4 пары.Коплекторы транзисторов-инверторов 14, 15 и 21,...

Номер патента: 723222

Опубликовано: 25.03.1980

Авторы: Домнин, Станьков

МПК: F04D 3/00

Метки: герметичный, лабиринтный, электронасос

...герметичнымэлектронасосам и может быть использованопри проектировании средств для перекачивация жидкостей без их предварительногоразогрева,Известен насос, содержащий канал, идущий от всасывающего отверстия по винтовой канавке вращающегося винтового ротора к выпускномуотверстию 1 Недостаткомтакого насоса является малая герметичность.Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является лабиринтный герметичный электронасос, содержащий корпус со статором,отделенным магнитопроцицаемой гильзой отустановленного в нем на опорах ротора слабиринтной рабочей полостью, ограниченной многозаходными спиралями, выполненными на роторе и неподвижном элементе 2Целью изобретения является повышениенадежности...

Номер патента: 722900

Опубликовано: 25.03.1980

Авторы: Бекмухаметов, Домнин, Комендантов

МПК: C07C 69/74

Метки: 3-дифинилинден-1, алкиловых, карбоновой, кислоты, эфиров

...продукта и высокая температура процесса.Известен способ получения алкиловыхэфиров 2, З-,лифенилинден-кврбоновыхкислот этерификвцией 2,3-дифенилинден-карбсновой кислоты влквнолвми ЯВыход 80%,Недостатками этого способа являютсяболее низкий выход конечного продуктслжкность синтеза исходного реа В 2,3-ДИФЕНИЛИНДЕН722900 3лизатора используют трифторуксуснуюкислоту и процесс ведут при 35-40 С.11 р и м е р 1. Получение метилового эфира 2,3-дифенилинден-карбоновойкислоты,К раствору 0,5 г метилового эфира2, 3,3-дифенилциклопропен-карбоновойкислоты в 10 мл хлористого метиленаприбавляют 2-3 капли трифторуксуснойкислоты. Раствор нагревают при 35-40 С6в течение 15 мин, затем промывают водой, сушат, растворитель испаряют в вакууме, а остаток...

Номер патента: 631893

Опубликовано: 05.11.1978

Авторы: Домнин, Станьков

МПК: G05D 23/12

Метки: терморегулятор

...снабжено втулкой 5 с внутренним буртом, выполненной например, с толщиной стенки 0,05 0,15 мм из фторопласта Ф 40 С 15 М 1,5.Уплотнение с втулкой 5 закреплено на стержне 6 исполнительного элемента гайкой 7. Собранное уплотнение с втулкой 5 вводится во внутреннюю полость корпуса 1. После этого гайкой 7 создают натяг, получая требуемую герметичность. При повышении температу ры, термочувствительный элемент 2, расширяясь, перемещает стержень 6 вместе с уплотнением и втулкой 5.Тонкостенная втулка с внутренним буртом, выполненная из эластичного материала с низким коэффициентом трения, закрепленная на общем стержне, изолирует уплотнение от внутренней поверхности корпуса и позволяет уменьшить трение при перемещении исполнительного элемента и...

Номер патента: 601799

Опубликовано: 05.04.1978

Авторы: Домнин, Крюков, Федоров

МПК: H03F 3/45

Метки: операционный, усилитель

...плеч выходного каскада через дополнительно введенные усилительные каскады, каждый пз которых, выполнен на транзисторах 8, 9 и 10, 11, включенных по каскадной схеме ОЭ - ОБ. з 0 Устройство работает следующим образом,Усиленцый входным диффсрецциаль)нымкаскадом сигнал поступает на оазы транзисторов 3, 4 цепи смещения уровня. С коллектора транзистора 1 сигнал поступает ,на базутранзистора 3, а с коллектора транзистора 3поступает на базу транзистора б цнвертируюгцего каска)да. Инвертирова)нныЙ по фазе сигнал поступает на базу транзистора 8 усилителя мощности.Таким образом, на базах транзисторов 3, 1011 дифференциа)льный сигнал превращается в.Синфазный, затем усиливается каскаднымисхемамц ОЭ, - ОБ на транзисторах 8, 9 и 10,11 подается на базы...

Номер патента: 560879

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Домнин, Костиков

МПК: C07C 113/00

Метки: дейтерированных, диазокарбонильных, соединений

...которые нельзя было синтези- Оровать известными ранее способами вследствие разрушения либо большой склонностик гидролизу.П р и м е р 1. 1 - 2 -диазоацегофепОн. 51 г (0,0068 г-моль, диазоацетофенонарастворяют в 18 мл дейтерометанола(СНЗО .1 ), добавпяют 0,1 г (0,00086 гмоль свежеприготовленного триэтиламинаи полученный раствор оставляог в темнсте на 8 час при 20-25 оС. После удаления дейтерометалола и триэтиламина в ва.ууме и перекрисгаллизации дейтерированного диазэкетона из гексана был полученобразец, содержащий 91 % дейтерированного препарата. Выход 0,8 г (80%). Т.пл.46 - 48 оС ( гексан),П р и м е р 2. Метиловый эфир Д - диазоуксусной кислоты.Раствор 5 г (0,05 г-моль) метилового эфира дЪазоуксусной кислоты и...

Номер патента: 545007

Опубликовано: 30.01.1977

Авторы: Домнин, Петров, Тонких, Федоров

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...2, с базой транзистора б.Второе кольцо, симметричное первому, состоит из соединенных между собой коллектора транзистора 5 и второго эмиттера транзистора 2 с базой транзистора 1 и первого эмиттера транзистора 1 с базой транзистора 5 и катодом прямосмещенного диода 3,При повышении потенциала базы транзистора 2 потенциалы эмиттеров этого же трачзистора понижаются, в результате повышается ток через диод 4, и следовательно, ток базы и коллектора транзистора б. Повышение тока коллектора транзистора б ведет к увеличению тока базы транзистора 2, т. е. еще к большему повышению потенциала базы транзистора 2. Весь процесс происходит в активном режиме до значений коэффициента усиления,по кольцу обратной связи, равного единице, Потенциал первого...

Номер патента: 542151

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Голомедов, Домнин, Пиорунский, Удовик, Федоров

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: интегральных, качества, монолитных, схем

...крис ным условием является выполне нентов на кристалле такими, ч совершенно одинаковую конфигур зательным требованием является н542151 20 30 35 Составитель В. Немцев Тсхред М. Левицкая Редактор Г. Орловская КоРРектоР А Лакида Заказ 5968/29 Тираж 1032 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 лансирования транзисторов дифференциальной тестовой пары.Тестовые структуры могут содержать, кроме транзисторов дифференциальной пары, также другие компоненты - транзисторы, резисторы, диоды.Измерение относительных приращений тока через транзисторы и относительных приращений коэффициента усиления...

Номер патента: 531192

Опубликовано: 05.10.1976

Авторы: Домнин, Маковий, Савлук, Федоров

МПК: G11C 7/06

Метки: считывания, усилитель

...источники тока 3, 4, транзисторы 5, 6 противоположного типа проводимости, 531192резисторы 7 - 9, инверсно включенные транзисторы 10, 11, промежуточный усилительный каскад 12 и логический каскад 13,Усилитель считывания работает следующим образом.При подаче сигнала "О" с микромощной логической ячейки на вход Т усилителя считывания коллекторный ток транзистора 1 резко уменьшается. При этом на вход 1 усилителя считывания подается сигнал "1", Положительный импульс на. пряжения на коллекторе транзистора 1 отпирает инверсно включенный транзистор 10 и за счет источника тока 4 он вводится в режим насыщения. В результате потенциал эмиттера становится близок потенциалу его коллектора, потенциал базы трачзистора 10 - потенциалу его коллектора, и...

Номер патента: 521605

Опубликовано: 15.07.1976

Авторы: Домнин, Маковий, Петров, Савлук, Федоров

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ясейка

...базового тока транзистора 3, ВтоЗО рое кольцо, симметричное первому, состо-, ит иэ соединенных между собой коллек, тора транзистора 4 с базами транзисторов 1 и 7,:коллектора транзистора 7 и базы транзистора 4 с катодом диода 6. ;ЗбПри повышении потенциала беэ транзистдров 2 и 8 потенциал. коллектора транзис тора 8 и первого эмиттерв транзистора 2 понижвются,что приводит к увеличению тока 1 4 О через прямосмещеипый диод 5 а этов своЬ, ,очередь приводит к увеличению тока базы транзистора 3 и к повышению коллекториого тока этого транзистора, Повышение тока коллектора транзистора 3 ведет к увеличе ,р нию базовых токов трвнисторов 2 и 8, т. е, к еще большему повышению потенциала баз .транзисторов 2 и 8. Весь процесс происходит.:в...

Номер патента: 503294

Опубликовано: 15.02.1976

Авторы: Домнин, Петров, Тонких, Федоров

МПК: G11C 7/06, H03F 3/34

Метки: считывания, усилитель

...токоряс 11 ределительного транзистора 4 отпирается, а переход база - ,коллектор запирается.10 Б другом плече, поскольку потенциал набазе транзистора 2 мал, то транзистор 2 запирается, а потенциал коллектора повышается и становится близким потенциалу базы транзистора 7. Переход база - эмпттер транзистора 5 15 запирается, а коллекторный ток транзистора7 персраспрсдсляется между базой и коллектором транзистора 5.С коллектора транзистора 5 сигнал поступает на базу транзистора 12. Б этом случае 2 Э транзистор 12 находится в режпме насыщения, а следовательно, потенциал эмпттсра, соединенного с коллектором транзистора 14, становится равным потенциалу его коллектора. значит потенциал эмиттера транзистора 12 25 также стремится к потенциалу...

Номер патента: 499030

Опубликовано: 15.01.1976

Авторы: Григорьев, Домнин

МПК: B22D 7/06

Метки: изложница, разливки, расплава

...части 1 изложницы относительно нижней части 2. С целью транспортирования и кантования частей изложницы они снабжены проушинами 11 н цапфами 12. Закрепление верхней и нижней частей изложницы относительно друг друга перед разливкой производится замками 13.Перед разливкой расплава нижнюю часть 2 изложницы ошлаковывают, затем на нее устанавливают верхнюю часть 1, предварительно отрегулировав в зависимости от предполагаемой толщины слитка высоту подъема верхней части изложницы относительно нижней при помощи устройства 10. После этого части изложницы закрепляют замками 13. Расплав заливают в нижнюю часть изложницы через отверстие 5 в днище 4 верхней части. Направлению расплава в нижнюю часть, а также предотвращению циркуляции шлака,...

Номер патента: 482224

Опубликовано: 30.08.1975

Авторы: Бажанов, Домнин, Курбатов, Миронов, Сенин, Тихонов, Цыценко, Шилин

МПК: B21D 5/06

Метки: гибки, профилей

...для гпоки профсодержащее вводную проводку и фпльеочком, соответствуюцим сечению просс припуском по толщине степки.Однако такое устройство не обеспечивает 1получение профилей с качественно отформованными местами,Целью изобретения является повышениекачества профилей.Для этого в предлагаемом устройстве очко 1фильеры выполнено с закруглениями радиусом не менее одной толщины листа в местах,предназначенных для формирования местизгиба профиля.На чертехке показано предларойство для гибки профилей вциях.Устройство содержит разъемную профилироьанную вводную проводку 1 и фильеру 2.Очко фильеры соответствует форме гнутого 2профиля. В месте гиба очко утолщено, пагример при гибке профилей из титановыхсг.лавов опо составляет 1,5 - 2,0 толщиныполосы, с...

Номер патента: 470815

Опубликовано: 15.05.1975

Авторы: Домнин, Петров

МПК: G06G 7/12

Метки: операционный, усилитель

...нагрузок дополнительного каскада, которые вместе с основными транзисторами 8 и 9 этого каскада представляют собои для сигнала помехи каскадные усилители, построенные по схеме общий коллектор - общая база. На коллекторы основных транзисторов 8 и 9 сигнал помехи (или нестабильности) поступает в противофазе с сигналом на коллекторах основных транзисторов 1 и 2 входного каскада. В результате сложения сигнал помехи (или нестабильности) подавляется,С коллекторов транзисторов 10 и 11 динамических нагрузок сигнал помехи (или нестабильности) поступает на базы первого и второго дополнительных эмиттерных повторителей 28 и 29, с эмиттеров которых сигнал помехи подается на объединенные базы транзисторов 12 и 13 генераторов тока...

Номер патента: 468254

Опубликовано: 25.04.1975

Авторы: Домнин, Тонких, Федоров, Хорошков

МПК: G06G 7/12

Метки: операционный, усилитель

...температуры окружа ющей среды, проходит и подавляется по темже цепям, что и сигнал помехи,Таким образом, помехоустойчивость и25стайильность предлагаемого операционногоусилителя значительно выше известных. 3%Операционный усилитель содержит входной 1 и промежуточный 2 дифференциальные каскады, усилитель мощности 3, входной 4 и выходной 5 транзисторы повтори-теля на составном транзисторе дополнитеной цепи смещения уровня, резистор б,транзисторы первого источника тока 7 ивторогоисточника тока 8, диод 9, нагрузочный транзистор 10, резисторы 1 1 и12, эмиттерный повторитель 13 и дополнительный транзистор 14 основной цеписмешения уровня, резисторы 15-19, Коллекторы транзисторов 4, 5, 13 и 14 подключены к одной шине питания, резисторы,15, 16,...

Номер патента: 459780

Опубликовано: 05.02.1975

Автор: Домнин

МПК: G06G 7/12

Метки: импульсный, операционный, усилитель

...усилителя, усиливается парой транзисторов 6 и 7 и поступает на коллекторы нагрузочных транзисторов 8 и 9, являющихся динамической нагрузкой транзисторов 6 и 7.Одновременно дифференциальный сигнал поступает на базы транзисторов 1 и 2, усиливается ими, выделяется на нагрузочных диодах 10 и 11, поступает на базы транзисторов 6 и 7, являющихся динамической нагрузкой транзисторов 8 и 9.Дважды инвертированный по фазе синфазный сигнал складывается на коллекторах транзисторов 6 и 7 с первоначально усиленным ими сигналом, Так как дифференциальное сопротивление коллекторных цепей транзисторной динамической,нагрузки велико, то усиление входного и дополнительного дифференциальных каскадов достигает величины, равной 10000 - 50000,Далее...

Номер патента: 446905

Опубликовано: 15.10.1974

Авторы: Домнин, Мельников

МПК: G11B 15/43

Метки: лентопротяжный, механизм

...своем движении, проходя черезролики 9, в той илй иной степени 2 о разворачйвает рычаг 6 узла натяжения. Лдя того, чтобы в наиболее тяжелой ситуаций рычаг не перешел задопустимую отметку, в узле натяжения используются ойоры 10. Далеелента проходит мимо магнитных головок 11 и ведет ее ведущий вал 12метра рулона ленты 3, расположеннойна катушке 2ДРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯ б Лентопротяжный механизм аппарата магнитной записи, содержащий магнитные головки, ведчщий вал с прижимным роликом и боковой узел, подкатушечник которого связан через ис полнительный электродвигатель, усилитель и преобразователь с рычагомузла натяжения магнитной ленты, выполненным с обводными роликами,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, и с целью повышения точности натяжения...

Номер патента: 438019

Опубликовано: 30.07.1974

Автор: Домнин

МПК: G06G 7/12

Метки: операционнай, усилитель

...или изменеиия напряжений питания, изменяются потенциалы на выходах первого дифференциальиото каокада 1, то это изменение через цепь обратиой связи 13 переделается на выходы источников тока 2,4 и генераторов тока 9 - 12 н в противофазе передается в общие цени первого и второго дифференциальных каскадои 1 и 3 и в выходные цепи эмнттерных пбвторителей 5 - 8, компенсируя визманиое дестабидизирукщими причинами изменение потенциалов, Таким образом, повышается стабильность работы операционного усилителя. П р ед м е т я з о бр е т ен и я Операционный усилитель, содержащий первый и второй дифференциальные каскады, с общей цепью каждого из которых соединен первый вывод источника тоба, ко входам каждого из дифференциальных каскадов подключены...

Номер патента: 435873

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Агарков, Бажанов, Белов, Вавилин, Домнин, Журавлев, Квасов, Лузин, Манегин, Мусорина, Сидоров, Симонов, Шапиро

МПК: B21B 19/04, B21B 3/00

Метки: гильзы, горячей, прошивки, сплававптбфонд, титанового

...зерном, которой соответствует наилучшее сочетание свойств пластичности и прочности в гильзе,Способ горячей прошивки гильзы из тита оного сплава, включающий деформацию на ретой заготовки инструментом качения на я достижение х свойств за Изобретение относится к области обработки металлов давлением (прокаткой).Известен способ получения гильз из титановых сплавов, заключающийся в прошивке нагретой заготовки сплошного сечения двумя валками на оправке. При этом заготовку нагревают до температуры, превышающей температуру фазовых превращений. Нагретую заготовку задают в валки двухвалкового прошивного стана, в котором происходит ее 10 прошивка на оправке в полую гильзу. В качестве направляющего инструмента в стане используют вращающийся...

Номер патента: 425177

Опубликовано: 25.04.1974

Авторы: Домнин, Зкнкин, Изобретени, Шашков

МПК: C22F 1/14

Метки: 425177

...после исполнения каждого запроса.На вход 9 подается сигнал начальной установ ки регистров в нулевое состояние. Триггеры10 - 13 составляют регистр индикации запросов, на вход 14 поступают тактовые сигналы.На схеме показаны также логические элементы И 15 - 18, логические элементы ИЛИ 15 19 - 22, Выход 23 используется при построении устройства приоритета на большее число каналов. Триггеры 24 - 27 составляют вспомогательный регистр. На вход 28 поступает сигнал опроса. Показаны также логические эле менты И 29 - 32. На выходах 33 - 36 формируется сигнал прерывания.Рассмотрим работу устройства приоритетапри одновременном поступлении запросов по каналам, подключенным ко входам 2 и 4. При 25 этом триггеры 11 и 13 регистра индикации загросов...

Номер патента: 415450

Опубликовано: 15.02.1974

Авторы: Домнин, Запорожский, Кравчук, Фурманов, Хитрик, Шнеер, Шумейко

МПК: F16N 7/32

Метки: заготовкиперед, листовые, нанесения, технологическойсмазки, штамповкой

...на поверхность л заготовок распыляющими форсуцками загрязняют среду на рабочем месте повышенный расход смазочного мате трсбуют мойки перед последующими днями. Кроме того, нанесение технологической смазки необходимо только на определенные участки заготовки, подверженные значительным деформациям, а для мест с незначительными деформациями достаточно масляного покрытия, имеющего на листе после металлургического производства.Цель изобретения состоит в устранении указанных недостатков и достигается тем, что короб-поддон предлагаемого устройства выполнен составцым из двух частей - верхней ц нпжцсй, между которыми,расположен смазываемый лист, подаваемый посредством установленных вблизи зоны смазки валков, причем на внутренней поверхности...

Номер патента: 375754

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Домнин, Никишин, Тонких, Удовик

МПК: H03F 3/34

Метки: операционный, усилитель

...эмиттер-база транзисторов 1, 3 и 2,4.База транзисторов 13, 14 через дополнительный диод 17, включенный в прямом направлении и резистор 18, соединены с шиной источника питания. Диод 17 и резистор 18 являются нагрузкой для транзисторов 15, 1 б и одновременно термостабилизирующей цепочкой для транзисторов И, 14.База транзистора 15 соединена с коллекторной цепью транзисторов 11, 12. Базы транзисторов 3, 4, соединенные между собой, подключены к коллекторам транзисторов 9, 10.К коллектору транзистора б подключен вход усилителя мощности 19, а к базам транзисторов 10, 12, соединенным между собой, - стабилизатор тока 20. Эмиттеры транзисторов 13, 5, 7, б, 14, 10, 12 через резисторы 21 - 27 соответственно подключены к шине источника...

Номер патента: 369146

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Голубое, Домнин, Жилин, Поспелов, Сников, Способ

МПК: C21C 5/52

Метки: 369146

...сначала подогревается до температуры 550 - 600 С. При этом удаляется влага шихты и летучие, если в шихту был задан уголь, и диссоциирует МпОз. Затем подогретая шихта вводится в поток горячих колошниковых газов, которые отсасываются из печи и частично дожигаются на техническом кислороде. Здесь шихта подогревается до 800 - 900 С и благодаря восстановительной атмосфере высшие окислы марганца и железа восстанавливаются до закиси. Если в шихту задаются карбонатные марганцевые 5 концентраты, то благодаря восстановительной газовой среде карбонат марганца диссоциирует с образованием закиси марганца.Дальнейшее восстановление закиси металлов производится в циклонной печи, отапли ваемой горячим конверсированньвм природным газом, конверсия...

Номер патента: 364071

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Домнин, Петров, Тонких, Удовик

МПК: H03F 3/26

Метки: мощности, усилитель

...каскада, при этом база одного транзи стора дополнительного каскада соединена с коллектором транзистора каскада усиления по напряжению, а база другого транзистора - с базой транзистора каскада усиления по напряжению. 20На фиг. 1 изображена принципиальная схема усилителя мощности; на фиг. 2 приведены осцилограммы входного и выходного напряжений.Усилитель мощности содержит на входе 25 эмиттерный повторитель, выполненный на транзисторе 1, параллельно переходу база - эмиттер которого включен резистор 2. Коллектор транзистора 1 подключен к положительному полюсу источника питания через ре чь мощности работает следующимциент усиления его не превышает единицы. С эмиттера транзистора 1 сигнал снимается на базу транзистора б. Усиленный по...