Чиковани

Номер патента: 804602

Опубликовано: 15.02.1981

Авторы: Саркисов, Чемоданов, Чиковани

МПК: C04B 29/02

Метки: вяжущее

...ингредиентов берут в следующем соотношении,вес.В: Оксид цинка 65-80 Хлорид аммония 5-15 Нитрат аммония 5-15 Вода Остальное Оптимальный состав смеси содержит вес,%; оксид цинка 77, хлорид аммония 5,5, нитрат аммония 8, вода остальное. П р и м е р. Для получения вяжущего приготовляют четыре смеси ингредиентов, из которых формуют образцы- цилиндры диаметром и высотой 15 мм, при удельном давлении прессования 45,0 МПа. Все образцы твердеют при обычнЫх условиях. Затем их испытывают на прочность при сжатии. Результаты испытаний и составы смесей указаны в таблице. Из табл. следует, что прочностные характеристики вяжущего по предлагаемому способу превышают прочностные характеристики вяжущего по известному на 73,3.804602 Содержание...

Номер патента: 791689

Опубликовано: 30.12.1980

Авторы: Саркисов, Сосновская, Чемоданов, Чиковани

МПК: C04B 29/02

Метки: вяжущее

...84, 86, 88, а также содержанием воды в качестве жидкости затворения, составляющим дополнительную до 100% часть в каждой смеси. Каждая смесь перемешивалась, из нее прессовались образцы-цилиндры диаметром и высотой 15 мм при удельном давлении прессования 450 кгс/см, которые подвергались автоклавной обработке при давлении водяных паров 8 атм в течение 6 ч. Полученные составы имели характери.стики прочности, приведенные в таблице,791689 4 сти, так как обладает гадьваномагнитными и каталитическими свойствами. 84 3.200 88 1 О Составитель ф. СоринаТехред М. ПеткоКорректор С, Шомак Редактор Л. Павлова Заказ 9379121 Тираж. 67 1 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д,...

Номер патента: 773795

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Чармакадзе, Чиковани

МПК: H01L 33/00

Метки: прибор, светоизлучающий

...естественные, неконтролируемые примеси из источников окиси бора, цинка, азота,аргона, кобальта, меди и др.Первый контакт 4, например из алюминия, наносится на слой ЯЧИ, второйконтакт 5 образуется нанесением индияна слой бай.При подаче прямого смещения происходит инжекция носителей заряда вбай, имеющая односторонний характер,что обусловливается наличием инжектирующего гетероперехода б между эпитаксиальными слоями Сай 2 и Я РМ 3 ирекомбинацией.в слое Сай.Излучение выводится через сапфировую подложку, а также из слоя А 2 Й,являющегося оптическим окном,Полупроводниковое светоизлучающееустройство характеризуется эффективной инжекцией, малой напряженностьюполя Е1,5 10 В/см весьма высокойравномерностью излучения по всей поверхности...

Номер патента: 767064

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Саркисов, Чемоданов, Чиковани

МПК: C04B 29/02

Метки: вяжущее

...затем полученную смесь затворяют водой.Из смеси готовят образцы-цилиндры диаметром и высотой 15 мм при удельном давлении прессования 45,0 ИПа, которые твердеют при обычным условиях, После чего образцы испытывают на предел прочности при сжатии. Для получения вяжущего готовят четыре смеси ингредиентов, Пер-. вая смесь содержит, вес,Ъ: оксида цинка 73,0; хлорида цинка 7,0;хлорида аммония 10,0; воды 10. Вторая оксида цинка 63,0; хлорида цинка 7,0; хлорида аммония 20,0 воды 10,767064 Третья - оксида цинка 60; хлоридацинка 15,0, хлорида аммония 15,0,воды 10. Четвертая смесь содержит,вес.%:оксида цинка 80;хлорида цинка5,0;хлорида аммония 5,0;воды 10. Затем из смесей готовят образцы-цилиндры указанным способом, Послечего образцы испытывают на...

Номер патента: 767063

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Саркисов, Чемоданов, Чиковани

МПК: C04B 29/02

Метки: вяжущее

...9,0 МПа, что является максимумом для всех известных вяжущих веществ на основе оксида ртути (21 .Недостатком известного вяжущего является его пониженная прочнОсть.Целью изобретения является повышение прочности вяжущего на сжатие. Поставленная цель достигается тем, что вяжущее, включающее оксид ртути и воду, дополнительно содержит хлорид аммония при следующем соотношении компонентов, вес.%:Формула изобретения 60"7615-30Остальное Оксид ртутиХлорид аммонВода 15,10 0 реадейуче1973,.2. Черняк Мщих веществ хрФвтореф. дис.пени канд. химс. 4. 24 6 9 5,2 8 Щ. Иссл матного а соиск ование вяжу вердения. учен. стемск, 1971. ицы, величиныистик превышают тного вяжущего. Как видно из тапрогйостных характ эту величину у изв Щффгм.й:ч,.у Составитель...

Номер патента: 767060

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Саркисов, Чемоданов, Чиковани

МПК: C04B 29/02

Метки: вяжущее

...соль металла и воду 11 .Известно также вяжущее, включающее, вес.: оксид цинка 58-65, хлорид циника 7-13, вода остальное. 10Вяжущее такого состава готовят растиранием оксида цинка и затворение порошка раствором хлорида цинка заданной концентрации, Количество раствора подбйрают с учетом получе ния цементного теста нбрмальной густоты. Затем из теста формуют образцы - кубики или цилиндры), после чего они твердеют при обычных условиях и набирают прочность, Затем образцы 20 испытывают на предел прочности при сжатии.Механическая прочность этого вяжущего составляет через 28 сут твердение 9 МПа (30-ный раствор хлорида 1 25 цинка) (21 .Недостатком известных вяжущих является их невысокая прочность,Целью изобретения является повышение прочности. 30...

Номер патента: 746050

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Бадаев, Кременецкий, Магалашвили, Прохоров, Тихов, Торбунов, Чиковани

МПК: E02F 3/92

Метки: землесосной, каналов, облицованных, орган, рабочий, установки

...такой небольшой толщине слоя наносов отсутствует эффект обрушения забоя, поэтому тяги 6 открывают вентиль 12, таким образом, чтобы он пропускал максимальный расходИ воды на размыв наносов.В случае разработки больших слоев наносов копирная лыжа 13 по откосу забоя подымает насадки гидрорыхлителя вверх и они уже будут располагаться не йа поверхности слоя наносов, а на откосе забоя, при этом 40 тяги 6 перестанут свободно передвигаться в телескопическом устройстве 9 и благодаря кинематике 4-х шарнирного антипараллелограмма повернут насадки 5 в сторону, противоположную всасывающему наконечнику 1 при этом неповоротные насадки 4 остаются направленными во всасывающий наконечник. Это позволяет принудительно обрушать нависший над рабочим органом...

Номер патента: 678634

Опубликовано: 05.08.1979

Авторы: Долидзе, Сургуладзе, Чиковани

МПК: H03C 1/38

Метки: амплитудный, модулятор

...и эмиттеров 4 и 5 и 6 и 7,цепь из двух встречно- последовательновключенных диодов 8 и 9, источник модулируемого сигнала 10, а также токозадаюший каскад 1 1 на тран зисторах 12 и13, резисторах 14 - 18,Амплитудный модулятор работает следуюшим обрезом.Когда на базу транзистора 2 подан мо 15дулируемый сигнал от источника 10, амодулирующий сигнал от источника 1 отсутствует, транзистор 13 заперт, транзистор 12 открыт и обеспечивает исход 20ный ток через транзисторы 2 и 3, Диоды8 и 9 при этом обесточены. Коэффициентусиления дифференциального усилителя натранзисторах 2 и 3, обусловленный подбором номиналов резисторов 9 и 10 мал,и сигнал на выходе амплитудного модулятора отсутствует. С появлением на входемодулятора модулируюшего сигнала от...

Номер патента: 652415

Опубликовано: 15.03.1979

Авторы: Дзитоев, Цихисели, Чиковани

МПК: F25B 9/00

Метки: криогенная

...батареи 12, спаи одного типа которой размещены в.генераторе А, а другого30 типа - в генераторе Б. Генераторы А и Б давления размещены в общем контейнере 13 с теплоизоляционной проставкой 14. Установка содержиттакже термоэлектрическую батарею 15 с Радиатором 16,холодные спаи кото- . рой имеют тепловой контакт с линией 1 Вйсокого давления охладителя.На установившемся режиме установка работает следующим образом.При включении реверсивйой полу-проводниковой термоэлектрической батареи 12 таким образом, что горячиеспаи ее находятся в генераторе А,а холодные - в генераторе Б в фгоУрячем ф генераторе А происходит десорбция раиее адоорбированного водорода. По трубопроводу 9 водород,высокого давления поступает в четырехходовой клапан 11...

Номер патента: 546240

Опубликовано: 25.09.1978

Авторы: Васильев, Смолько, Чиковани

МПК: H01L 23/54

Метки: микросхема

...остнои свя еньше ой оведущи еталлическои и ми окис. чтобы в душих ктными площадк жками и конт пленку можно вать так, к и токов ла толще,формиролощадо нка бь ную мест ем онтактных окисная пл ист 1 полируют и поиз его поверхностейстным способом окисне менее 12 мкм с з миниевын на одной бым изв олщиной рой. доро шей ме мируют лпленку 2 ои текстуНа Ми 25 ча олняют копленочных микросхем,Известна микросхема по авт,св. Иф 470249,содержащая металлическую подложку, актиэлементы, резисторы и конденсаторы, причем все элементы сформированы непосредственно на анодной окисной пленке, а в качестве одной из обкладок конденсаторов использована металлическая подложка (11.Однако известная микросхема недостаточнонадежна и долговечна,Цель изобретения -...

Номер патента: 579257

Опубликовано: 05.11.1977

Авторы: Чемоданов, Чиковани

МПК: C04B 29/02

Метки: вяжущее

...пониженной прочностью.Целью изобретения является повышение прочности.указанная цель достигается тем,что вяжущее содержит в качестве алю минийсодержащего компонента гидратокиси алюминия при следующем соотншенин между компонентами, вес%:579257 26-5634-64Остальное Формула изобретения Составитель Г.СредневаТехред Н.Бабурка Корректор С.Патрушева Редактор С.Головенко Заказ 4329/25 Тираж 764 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-ЗБ, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППППатент , г. Ужгород, ул . Проектная, 4 ОптиМдльное соотношение окиси кад мия составляет 40 вес.% и гидрата окиси алюминия - 50 вес.%, вода - остальное. При дальнейшем увеличении ели уменьшении их...

Номер патента: 576299

Опубликовано: 15.10.1977

Авторы: Миллер, Сосновская, Чемоданов, Чиковани, Южакова

МПК: C04B 29/02

Метки: вяжущее

...ве0 21 ть.предлагае- компоненс. %: ор мула из етен оксид кадмия, диичающееся тем, рочности, оно содеры при следующем ксид кадмияиоксид свинцаода 21 - 44 Остальное70 20 21 - тальь Смесь диоксида свинц ы перемешивают; из н илиндры высотой и д влении прессования 450 их автоклавной обраб тмосфер в течение 8 ч. приведены составы 1 и Пример. кадмия и вод ют образцы-ц 15 мм при да подвергают давлении 8 а В таблицеВя ьыущего,Прочность ськатия Вяжущего соссостава 2 - 930 кг/см 2. а 1 - -9 Изоб кущих дукта т Изве мия иа, оксида ее прессуиаметром кгс/см и отке при Вяжущее, включающее 15 оксид свинца и воду, отл что, с целью повышения п жит указанные компонент соотношении, вес. %: Оксид кадмия Диоксьлд свинца ВодаИсточники информации,принятые во...

Номер патента: 470244

Опубликовано: 05.09.1977

Авторы: Алферов, Чармакадзе, Чиковани

МПК: H05B 33/02

Метки: полупроводниковая, светоизлучающая, структура

...и малойэффективности излучательной рекомбинации.Бель изобретения - увеличение эффективности излучательной рекомбинации. о Для этого в структуре создаются эпитаксиальные монокристаллические слои твердого раствора Ца АРАв, содержащие компенсированный р-слой и И -слой с концентрациями свободных носителей в пределах ми. но о порядка, затем матф -слой и прилегающий к нему матф -слой на поверхности.На чертеже схематично показана предложенная структура,15 Структура имеет вид Р -тт -(о АР"4 нл 1) р-слой, компенсированный рацией свободных носителей тока кых с примесью Етт ) (0,4-2)толщиной 16-38 мкм;состав по А 2) тт -кекомпексированный сл 18 -3 ааккый Те с ие (1-5)10 см 5 12-26,мкм; состав иоА 1 А 832-4. Папп Орловская едак Подписное ета...

Номер патента: 511794

Опубликовано: 05.10.1976

Авторы: Чармакадзе, Чиковани

МПК: H05B 33/10

Метки: полупроводниковой, светоизлучающей, структуры

...1 ошего выокуюэфф,к,ь изчельней рекомбинацииЭто достигается тем что процесс выращивания производится при последовательНОЙ смене тга подложке из арсенида галлиядвух растворов-расп:тавов, причем второйраствор-расплав., содержащий примесь доадвигается так, что на под слой толщиной 200-600 м1794 16+РЦД М. ПЕЕЫХМ КОРРИ:ТОР В, Е прияыы Редактор Н. Лвнипавнч Заказ 5361/163 Тираж 1029 ПодписноеПНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открь 1 тий113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Филиал ППП фПатент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 51кальным градиентом, После достижения темопературы 960 + 5 С и выдержки при этойтемпературе в течение 30 мин первыйраствор - расплав подвигается на подложку и при снижении...

Номер патента: 470249

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Смолько, Чиковани

МПК: H05K 3/00

Метки: микросхема

...что позволяет производить ГИС для устройств, работающих в условиях сильных вибрационных и ударных нагрузок, значительно упрощает технологии и обеспечивает высокую мощность рассеивания тепла,Микросхема приведена на чергеже.Подложка 1 может быгь выполнена, например, из листового алюминия толщинойпорядка 0,5-3,0 мм, оптимально 0,5-1,5 мм,с зеркальной поверхностью (12-14 классчистоты), верхняя поверхность которогопокрыта вакуумплотиой диэлектрической анодО ной окисиой пленкой 2 толщиной не менее10 мкм. На планке сформирована известным путемпассивная микросхема, содержащая ковденса гор, состоящий из нижнего электрода 3, диэлектрика 4 и верхнего электрода 5, резисторы 6, конденсатор 7, транзистор 8, контактные площадки 9 и токоведущие...

Номер патента: 92827

Опубликовано: 01.01.1951

Автор: Чиковани

МПК: C12J 1/00

Метки: ароматического, брожением, уксуса

...к ги)лучаотея отходы, (ото;- пПо из м 5 коти-сердце)ипы 2(итрусо 3)эх н;)О;Ов и цедрэ - коткуры, От)с)- оотаннон после двухкратного настаивания на спирто-водном раствор(.Из:)тггх отходов нлодонерерабатываннг(и( ирн(риятия в настоя Ц(Ч В 2) ЕХ 15 Н С) ОГГЬЗуЮТ ТОЛЬКО МЯКОТЬ-рд (си1 Ъ ДЛ 51 И ЗГОТОВ;1И С 0- КОВ ГЛН ДЛЯ ИОСГУс(ЛГИ 51 )И 1 Ц(ВЫХ И)ОДУКТ 023 К(1 К ДЖРМ, ПОВИД 10 Н ВЧ- ренье. Однако и виду наличия и спиртовом соке горечи, свойств( ниой цитрусовым плодам, он не находит нримсн иия для ну)кд б(залкогольной и)Омыш:2(пгостн. Отработанная педра н( п(пользу(тся и )ос;ге выкурки нз цедры остатков алкоголя Выбрасыва(тся.Известно нолуч(ние уксуса сораживанием а;когосод(1 кан(их жидкостей уксусн о-кис; ыми бакте 1)35 м г.Го...

Номер патента: 92677

Опубликовано: 01.01.1951

Автор: Чиковани

МПК: A23F 3/00, A23L 1/06

Метки: начинки, приготовления, цитрусовой

...одним из известных способов.Дгя извлечения алкоголя, сохранения остатков эфирнь 1 х массл и осгобожления от горечи отработанную цедру 2 - 3 раза выщелачивают холодпогй водой. Вы 1 целоченнмо водой цедру подверге 1 ют блапшировке до тех пор, пока она не станет мягкой (но не разварен о) и,сгко под Яющейся растиранию. Продолжител 1 и 1 ость бланширозки устанавливают опьтным путем, в зависимости от вида цедоы и конструкции аппаратуры. Затем цедру пропускают через протиро - :у 10 хЯшиу. Протертую массу (без крупиОк) варят В аппарате е добавлением сахара и патоки при постоянном перемешивании до получения массы необходимой копсистенции. Унареиную начинку-подварк. рясфасовываО: при 50 - 6 Г 1 в соответствующуО тару.Полученная цитрусовая...