Полупроводниковая светоизлучающая структура

Номер патента: 470244

Авторы: Алферов, Чармакадзе, Чиковани

ZIP архив

Текст

Оп ИКАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(22) Заявлено 31.05,73 (21) 1924913/26-2 Союз Советскин Соцмалмстическнх Республик(11 4 7 0244 Кл. 51 Н 05 В 33/22 исоединением заявкиовудвротвеннын квинтетОоввтв Мнннотров СССРно делам нзобретеннйн открытий 23) Приоритет43) Опубликован(54) ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СВЕТОИЗЛУЧАИЦАЯ СТРУК ТУРА оэлек тр онике,ым светонове тверанные однощие выращен рдого растволее широкозония. Внешняя ои злучаюших ревышает 0,3% и прибороввие комиенсаод излучения тд-х А РЛв-и-Са , Ах( (-кется подложка кз САЯ ая Хтт( И 3 100-200 см 7 В сек), оскости (100) с точорую канежкы методоми слои твердого раствос концент(связан 10 8 см з, ЗА 530-36%. ой, легиротолщин ой 5% (хх): Основаниемр -типа леги-6 10 смориентированнностью +ЗоСжидкостной эп ванн а к такси Изобретение относится к опв частности к полупроводниковизлучающим диодам.Известны структуры на осдых растворов СтдМАв, легироввремени о Х И и Т Е содержаный на активной облсати твера толщиной около 2 мкм боной слой для вывода излучекквантовая эффективность светдиодов такой структуры не ипри комнатной температуре.Недостатком этих структуна их основе является отсутсции р-области, что снижае т вы из-за самопоглощения материала и малойэффективности излучательной рекомбинации.Бель изобретения - увеличение эффективности излучательной рекомбинации. о Для этого в структуре создаются эпитаксиальные монокристаллические слои твердого раствора Ца АРАв, содержащие компенсированный р-слой и И -слой с концентрациями свободных носителей в пределах ми. но о порядка, затем матф -слой и прилегающий к нему матф -слой на поверхности.На чертеже схематично показана предложенная структура,15 Структура имеет вид Р -тт -(о АР"4 нл 1) р-слой, компенсированный рацией свободных носителей тока кых с примесью Етт ) (0,4-2)толщиной 16-38 мкм;состав по А 2) тт -кекомпексированный сл 18 -3 ааккый Те с ие (1-5)10 см 5 12-26,мкм; состав иоА 1 А 832-4. Папп Орловская едак Подписное ета Министр ткрытий , д, 4/5 Заказ 3324/4 ООЗ ЦНИИПИ омитета С тений и о 11303 аущская н4 тираж 1 Государственного к но делам изобре 5, Москва, Ж, Рфилиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная 33) т+-слой, легированный Те с и 6 1018 -Эе -4 10 см, толщиной 4-8 мкм; состав по АРАэпроизвольный (хзф х);4) и -слой,легированный Ге с п10 5 10 см толщиной 10 2мкм состав поА 1 Азнроизвольный (хд я х ).Увеличению излучательной рекомбинации способствует наличие компенсированного , Еи и Та р-слоя, твердого раствора, в котором благодаря наличию хвостов плотностей состояний вблизи обеих зон происходит рекомбинация носителей на них. Этов свою очередь, приводит, к уменьшению самопоглощения излучения в маериале, в результате чего внешняя квантовая еффективность 4полученной структуры достигает 1,5% прикомнатной температуре,ф ормула из обре те нияП олупр сводник овая све тоизлучающая структура, состоящая из подложки Р -(аАб и апитаксиальных многокристаллических слоев твердого раствора Сто АГАВ, легированного Хп и Те, типа р+-р-и-н+ со сравнимыми уровнями легирования обоих частей гетероперехода, о т л и ч а ю щ а яс я тем, что, с,целью увеличения выхода излучения, р-область содержит компенсирующую примесь.

Смотреть

Заявка

1924913, 31.05.1973

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1172

ЧАРМАКАДЗЕ Р. А, ЧИКОВАНИ Р. И, АЛФЕРОВ Ж. И

МПК / Метки

МПК: H05B 33/02

Метки: полупроводниковая, светоизлучающая, структура

Опубликовано: 05.09.1977

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-470244-poluprovodnikovaya-svetoizluchayushhaya-struktura.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковая светоизлучающая структура</a>

Похожие патенты