Способ форсированного запирания транзисторов

СОЮЗ СОВЕТСКИХсаипювнвихРЕСПУБЛИК д(51) Н 02 М 1/08 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ к двторскомм свидетельст(21) 3440683/24-07 (22) 21.05.82 (6) 23,10.84. Бюл, В 39 (72) М.А. Житков, А.Ф, Петров и В.Н. Пичугин (71) Специальное конструкторско-технологическое бюро геофизической техники (53) 621.316.727(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР У 698104, кл. Н 02 М 1/08, 1978.2. Драбович Ю,И. и др. Способ управления транзисторами в высокочастотных инверторах. - В сб.: Проблемы преобразовательной техники. ч. 1, Киев, 1979.(54)(57) СПОСОБ ФОРСИРОВАННОГОЗАПИРАНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ, заключающийся в том, что подают запирающеенапряжение на переход эмиттер-база транзистора, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повьппенияКПД, одновременно с подачей запирающего напряжения формируют импультока, который суммируют с токомнагрузки транзистора, причем величину импульса тока выбирают такой,чтобы суммарный ток через переходэмиттер-коллектор превьппал 103 отвеличины максимального тока нагрузки данного транзистора.1120462 ЗО Таким образом, при сравнительно небольшой дополнительной подгрузке транзистора (порядка 103) удается в 1,5-2 раза уменьшить время его выключения.Изобретение относится к электро"технике и,может быть использованов источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом.Известен способ форсированногозапирания транзисторов, состоящийв том, что одновременно с подачейзапирающего напряжения на переходбаза-эмиттер формируют запирающеенапряжение на переходе база-,коллек- .1 Отор 1 .Однако такой способ позволяетснизить время выключения не болеечем на 10-202, так как действиеисточника в цепи база-коллектор снижает эффективность действия источника запирающего напряжения в цепибаза-эмиттер,Наиболее близким к изобретениюпо технической сущности является 20способ форсированного запираниятранзисторов, заключающийся в том,что подают запирающее напряжениена переход эмиттер-база транзистора 2. 2 ЗНедостатком способа являетсято, что при частотах в десятки килогерц, время, в течение котороготранзистор находится на границе активной области, составляет значительную часть рабочего периода. Нриэтом очень сильно возрастают статические потери в транзисторе.Целью изобретения является повышение КПЛ.Поставленная цель достигается тем,что согласно способу форсированно.го запирания транзисторов, заключающемуся в том, что подают запирающее напряжение на переход эмиттербаэа, одновременно с подачейзапирающего напряжения формиру-,ют импульс тока, который суммируют стоком нагрузки транзистора, причемвеличину импульса тока выбирают такой, чтобы суммарный ток через пе-.реход эмиттер-коллектор превышал 103от величины максимального тока нагрузки данного транзистора. 2На фиг, 1 приведена блок-схемаустройства, реализующего данный способ, на фиг. 2 - диаграмма таков инапряжений в различных точках схемы.Устройство реализации способафорсированного запирания транзисто"ра 1 содержит включенные в цепьколлектор"эмиттер транзистора 1 инагрузку 2, блок 3 управления, подключенный к базо-эмиттерному переходу транзистора 1, и формирователь4 тока, подключенный параллельнопереходу эмиттер-коллектор транзистора 1,Устройство реализации работаетследующим образом,В насыщенном состоянии к переходу база-эмиттер приложено отпирающее напряжение и через него течетток 1, определяемый сопротивлениемнагрузки 2 (фиг. 2 а, б). При сменеполярности управляющего напряженияв базовой области транзистора 1 начинается процесс рассасывания неосновных носителей, в течение которого транзистор 1 продолжает оставаться открытым (фиг. 2 г). Одновременно со сменой полярности управляющего напряжения формирователь 4тока формирует импульс тока 1, и(фиг. 2 в), величина которого независит .от тока нагрузки 1 и можетвыбираться в зависимости от типатранзистора 1. В результате этогоснижается коэффициент насыщениятока базы при выключении, происходитэффективное рассасывание неосновныхносителей и форсированное запираниетранзистора 1. При этом действиеформирователя и тока не оказываетотрицательного влияния на процессыв цепи база-эмиттер.ное Проектная,иал ППП "Патент", г. Ужгор Заказ 7757/43 Тираж 66 ВНИИПИ Государственного по делам изобретений 113035, Москва, Ж, РаушПодпикомитета СССРи открытийкая наб д. 4/5