Устройство для равномерного токораспределения при параллельном включении транзисторов, работающих в импульсном режиме с насыщением

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТ ИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК. С,с)у14 дЦ Ю 31 Я нцев Параллел Электронн Иэд-во 2, 1981, 1 ар- гапРцпйашепСа в оГ рочег С с 1 гсц 5.С. Рц,) ч.51, 9 6,и),ДЛЯ РАВНОМЕ Я ПРИ ПАРЗЛЛНО- ЛЬГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТСССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИИ ОПИСАНИЕ ИЗН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛ"Радио и связь", вып. 1с. 204-222.2. Кцп 1 ЬЖо Бамар 11 саСоп СесЬпЧцев 1 вСог Со вч 1 СсЬпЕ 1 есСгдс. 1, 1978,,ГО ТОКОРАСПРЕДЕЛЕНИ ЯО 1083306 А Й Н 02 1 00 Н 02 Р 1 НОМ ВКЛЮЧЕНИИ ТРАНЗИСТОРОВ, РАБОТАЮЩИУ. В ИМПУЛЬСНОМ РЕЖИМЕ С НАСЫЩЕНИЕМ, содержащее резисторы и конденсаторы по количеству транзисторов и вывод управления, прйчем базы транзисторов подключены через соответствующие резисторы к выводу. управления,а каждый из конденсаторов подсоединеодним из выйодов к базе соответствующего транзистора, о т л и ч а щ ее с я тем, что, с целью сниженияимпульсной рассеиваемой мощности эасчет обеспечения равномерного распределения токов между транзисторами наэтапе рассасывания избыточных носителей в момент выключения, в нем другивыводы конденсаторов объединены внезависимую общую точку.Изобретение относится к электротехнике и может быть использованопреимущественно в устройствах с пар ллельным включением транзисторов,работающих в импульсном режиме с насыщением.На процесс выключения параллельно включенных транзисторов большоевлияние оказывает время рассасывания(р ) избыточных носителей иэ области их баз. Технологический разброс 10параметров силовых транзисторов приводит к различию Гр, т.е, к запаздыванию выключения транзистора с максимальным временем рассасывания, Приэтом весь коммутируемый ток перераспределяется в запаздывающий транзистор, на нем выделяется максимальнаяэнергия переключения, что может привести к выходу транзистора из строя,Известно устройство для равномерного токораспределения при параллельном включении транзисторов, содержащее резисторы по количеству транзисторов, каждый из которых подключенодним выводом к базе соответствующего транзистора и другим выводом -;к выводу управления, а также включаемые в цепь эмиттера каждого иэ транзисторов дополнительные источникинапряжения в виде дросселей, зашунтированных двумя встречно-параллельными диодами 13.Недостатком данного устройстваявляется сложность схемы, снижающаяего надежность,Наиболее близким техническим решением к,предлагаемому по средствами достигаемому результату являетсяустройство для равномерного токораспределения при параллельном включении транзисторов, содержащее резисторы и конденсаторы по количествутранзисторов и вывод управления, причем базы транзисторов подключенычерез соответствующие резисторы к вы"вбду управления, а каждый из конденсаторов подсоединен одним из выводовк базе соответствующего транзистора Г 23,Недостатком известного устройства является значительная импульснаярассеиваемая мощность, обусловленнаязатягиванием времени переключения отдельных транзисторов.Цель изобретения - снижение импульсной рассеиваемой мощности засчет обеспечения равномерного распределения токов между транзисторамина этапе рассасывания избыточных носителей в момент выключения..Поставленная цель достигается тем,60что в устройстве для равномерноготокораспределенияпри параллельномвключении транзисторов,работающих вимпульсном режиме с насыщением,содержащем Резисторы и конденсаторы 65 по количеству транзисторов и выводуправления, причем базы транзисторов подключены через соответствующие резисторы к выводу управления,а каждый из конденсаторов подсоединен одним из выводов к базе соответствующего транзистора, другие выводы конденсаторов объединены в независимую общую точку.На фиг. 1 показана электрическаясхема устройства; на фиг, 2 - егоэквивалентная схема.Устройство фиг. 1 для равномерного токораспределения при параллельном включении транзисторов 1 1 в цепьколлекторов которых могут включаться предохранители, а в цепь эммитеров - дополнительные резисторы) содержит резисторов 2, и конденсато-,ров 3.Сущность предлагаемого устройства заключается в том, что конденсаторы 3 позволяют транзисторам 1 свободно обмениваться зарядами в базах.Это приводит к тому, что за счет обмена зарядами процесс рассасыванияизбыточных носителей во всех транзисторах 1 заканчивается одновременно. Для эффективной работы устройства необходимо, чтобы постояннаявремени переэаряда конденсаторов 3фиг. 2) была равна или несколькопревышала время рассасывания избыточных носителей в транзисторах,т. е. яс,.ьр.ф ИГВходное сопротивление одноготранзистора равноЙ 8=0,/:и, рк,где Б , 1 - падение напряжения иток цепи эмиттер-база транзистора;р К - коэффициент усилениятранзистора по току и его степеньнасыщения;1 - ток коллектора транзистора.кЭквивалентное сопротивление цепипереэаряда (Фиг. 21й= р,ж(и-)Эквивалентная емкость цепи пере.зарядаПостоянная времени цепи переэаря 1 а= ), С/ЗкПРи максимальном токе Э цкс, ком-мутируемом группой параллельно включенных транзисторов, ток коллектора одного транзистора равенк = макс /Требуемая величина емкости доно)мнительного конденсатора равнаФ 1083306 г,Г Составитель В,КостюхинРедактор М;Ткач Техред Л.Мартяшова Корректор В,Бутяг Тираж 667 ПодписноеГосударственного комитета СССРелам изобретений и открытийМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Заказ 1771/49 ВНИИП по 11303илиад ППП фПатентф, г.ужгород, ул.Проектна Так, например, при максимальном токе коммутации 25 ц десятью параллельными транзисторами и времени рассасывания 4 мкс требуемая величина емкости по расчету составляет 1 мкф. При введении в схему выравнивающих конденсаторов с указанной емкостью наибольший разброс токов коллекторов различных по быстродейст вию транзисторов на этапе выключения составил Н 1,5 раза, в то время как 10 без этих емкостей токи коллекторов . транзисторов отличались на порядок,т.е. весь ток коммутировали практически один-два транзистора. Таким образом, использование изобретения обеспечивает снижение импульсной рассеиваемой мощности за счет равномерного распределения токов между транзисторами наэтапе рассасывания избыточных носителей в момент выключения, что повышает надежность и упрощает схему устройства.