Материал для терморезисторов

Номер патента: 1253358

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Авакян, Мкртчян, Осипян, Савченко

МПК: H01C 7/02

Метки: коэффициентом, материал, положительным, сопротивления, температурным, терморезисторов

МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ С ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ СОПРОТИВЛЕНИЯ, содержащий синтезированную смесь оксидов висмута (III) и ванадия (V), отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона удельных сопротивлений в низкоомной области в интервале температур 295-330oС, он дополнительно содержит оксид титана (IV) и отвечает общей химической формуле синтезированного ванадата-титаната висмутаBi21/6 V5/6 Ti1/6 O52/3.

Номер патента: 1512105

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Майзлиш, Смирнов, Сорокина, Федоров, Шапошников, Шорин

МПК: C09B 47/04, H01L 51/30

Метки: 4-тетрахлор)-фталоцианин, качестве, полупроводникового, терморезисторов, хлоргаллий-(4

Хлоргаллий-(4', 4'', 4''', 4''''-тетрахлор)-фталоцианин формулыв качестве полупроводникового материала для изготовления терморезисторов.

Номер патента: 1512392

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Красненко, Фотиев

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, терморезисторов

Материал для изготовления терморезисторов на основе оксидного соединения ванадия и двуоксидной системы щелочного и щелочноземельного металлов, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих температур за счет повышения термочувствительности и стабильности в интервале температур 600 - 1000oC, в качестве оксидного соединения ванадия и двухоксидной системы щелочного и щелочноземельного металла он содержит двойной ортованадат, отвечающий общей химической формуле Na1+0,66хCa1-0,33хVО4, где 0,01 x 0,05.

Номер патента: 1725807

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Вербицкий, Грачев

МПК: A23K 3/03

Метки: растительного, реагентами, химическими

...концентрично расположенными с об разованием кольцевого зазора между ними соплами 10 и 11. Внутренняя камера 9 сообщена через канал 4 с емкостью 12 для химического реагента, а наружная камера 8 через канал 5 - с баком 13 для воды, Катки 25 2 имеют диаметр 0,35-0,40 м.Установка работает следующим образом.В процессе перемещения по растительной массе, например силосуемым зеленым 30 кормам, катки 2 перекатываются и копируют рельеф поверхности, Одновременно с началом движения включают подачу химреагента и воды из емкостей 12 и 13 в камеры . 9 и 8 форсунок 7. При этом сопло 11 создает 35 мелкокапельный факел химреагента, а сопло 10 распыляет воду вокруг факела химреагента. Вода создает защитный экран, уменьшающий потери реагента на испаре 40...

Номер патента: 1761824

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Егоров, Копьев, Леденцов, Максимов, Мамутин

МПК: C30B 23/08, C30B 29/22

Метки: выращивания, оксидных, слоев, сложных, соединений

...по толщине слоев, Для калибровки потоков атомов металлов слои металлов напылялись на холодную подложку, часть поверхности подложки маскировалась, После выращивания измерялась толщина слоев в электронном или интерференционном микроскопе, Интенсивности потоков молекул ВаО и ВаР 2 калибровались по толщине эпитаксиальных монокристаллических слоев ВаО и ВаЕ 2, выращенных при температуре подложки 400- 600 С, Интенсивности потоков рассчитывались из измеренной толщины слоев и их плотности.В процессе выращивания интенсивность потоков атомов и молекул контролировалась масс-спектрометром Ва 1 еггОМа 140. Все слои выращивались на подложках ОаАз(100), прошедших химическую очистку, травление и пасси вацию поверхности слоем естественного окисла,...