Тензорезистор

Номер патента: 901917

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Бабер, Кустарев, Павлюченков

МПК: G01P 21/00

Метки: деформации, объекта, пьезоакселерометров, чувствительности

...устройства являются большая погрешность измерений, составляющая .15- 100 и значительные неудобства в эксплуатации.Цель изобретения - повышение точности и улучшение удобства эксплуатации.Указанная цель достигается тем,что в предлагаемом устройстве в систему, создающую деформацию, введен дополнительный диск, идентичный первому и соединенный с ним в центре перемычкой, электромагниты размещены симметрично относительно внутреннихповерхностей дисков, а опоры выполнены скользящими и поджаты внутренними поверхностями дисков.На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство для определения чувствительности пьезоакселерометров к деФормации объекта; на Фиг. 2 - то же, схема колебаний дисков.Устройство содержит систему, воспроизводящую...

Номер патента: 619863

Опубликовано: 15.08.1978

Авторы: Ерофеев, Рыбакова, Созинов, Тарасенко, Шнитко

МПК: G01P 21/00

Метки: деформации, объекта, пьезоаксеерометров, чувствительности

...колебания камертона заряд практически не успевает стекать через входное сопротивление согласующего усилителя, и точность измерения круговой циаграммы чувствительности повышается.На чертеже изображена схема предлагаемой установки.Установка состоит из цеформируемого имитатора 1, зажатого посредствомчетырех роликов 2 между ветвями камертона 3. Расстояние между осямидиаметрально расположенных роликов 2, ихдиаметр и диаметр имитатора объекта выбираются так, чтобы обеспечить натяг,достаточный для предотвращения раскрытия стыка или ьчбрации 1 камертона3. Основаюе камертона 3 установленонеподвижно, а деформируемый имитатор 1, выполненный в виде оссиметричной детали, может вращаться вокруг своей оси при помощи привода (последний на чертеже не...

Номер патента: 236136

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Киселев, Окад, Хотмахер

МПК: F16C 19/52, F16C 43/04

Метки: деформаций, компенсации, опорных, тепловых, узлов, упругий, элемент

...диаметр мембраны, выиолненныи под посадку наружного кольца подшипника.Во втулке 1 расположен упругий элемент 2, выполненный в форме стакана, на торце которого имеется хвостовик 3 с мембраной 4, охватывающей подшипник качения 5. Этот подшипник является одной из опор ротора (вала) б. Для предотвращения касания внутренним кольцом подшипника мембраны упругого элемента между его нару жным кольцом и мембраной установлена кольцевая шайба 7. Тзр: рованная1.оздает пред. рвиздезияУпругий металлический элемент выполняюткак одну деталь.Толщина мембраны и, следовательно,жесткость при заданных диаметральных рмерах определяется разностью размеров аДля получения достаточной податливостимембраны при малых диаметральных размерах подшипника (и мембраны)...

Номер патента: 1630334

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Бороденко, Кухтина, Лисецкая, Рыжиков, Силин

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Метки: кристаллических, основе, селенида, цинка, элементов

...полного удаления воздуха и затем нагревают до 1000 - 1080 С, выдерживают при заданной температуре 3 - 10 ч, после чего температуру снижают со скоростью 200 С/ч, при комнатной температуре отключают проток водорода и извлекают элементы. По известной технологии 30 получения сцинтилляционного материала из легированного селенида цинка с целью создания центров люминесценции элементы ЛпЯе(Те) дополнительно отжигают в насыщенных парах цинка. Для чего данные элементы помещают в кварцевые ампулы вместе с навесками цинка, необходимыми для создания насыщенных паров цинка. Ампулы вакуумируют, запаивают и выдерживают при 1000 С в течение 24 ч, После повторной шлифовки и пол ировки измеряют коэффициенты поглощения и ослабления элементов, которые...

Номер патента: 1816816

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Буряк, Горский, Дзензерский

МПК: C30B 29/06, C30B 33/06, H01L 21/18

Метки: кремния, основе, полупроводниковых, элементов

...против сил трения. Скорость вращения подвижного кристалла не ограничивается конкретными значениями. Важным является только принцип, согласно которому чем больше скорость вращения, тем быстрее идет процесс сращивания. Когда температура стыка достигает точки плавления коемния ( .1467 С), между. кристаллами образуется прослойка из жидкого кремния. Момент ее образования сопровождается резким уменьшением силы трения между кристаллами, что выражается в резком падении нагрузки на двигатель. В этот момент его останавливают и образовавшийся при кинетическом разогреве жидкий слой кристаллизуется за счет ухода тепла через твердую фазу.Если сращиваются монокристаллы, то в условиях формирования на ориентированных плоскостях как на подложках (при...