Полупроводниковый тензорезистор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
1114878 Составитель Н. ТимошенкоТехред И, Верее Корректор М. ДемчнкТираж 586 Поди нс но еВИИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий3035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 45Филиал ППП сПатент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Редактор Л. Мотыль.Заказ 6574/26 Изобретение относится к измерительной технике, а именно к полупроводниковцл 4 тензорезисторам, и может быть использовано прн создании полупроводниковых датчиков механических параметров.Известен полупроводниковый теизорезистор, содержащий основную и дополнительную резистивнце полоски из полупроводникового материала с концентрацией основных носителей, отличной от предельной концентрации для данного материала, несколько металлических токовыводов, закрепленных на различных участках полосок, и металлические перемычки, соединяющие токо- выводы между собой 1).Однако такой полупроводниковый тензореэистор характеризуется ограниченной температурной и временной стабильностью, сопротивления, так как сопротивление пе. рехода полупроводник - металл определяется неоднородностью получаемого при этом потенциального полл, а последнее сущест. асино меняется от температуры и от длительности временного интервала эксплуатации тензорезнстораНаиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемому результату является полупроводниковый тензорезистор, содержащий реэистивную полоску из полупроводникового материала с концентрацией основных носителей, отличной от пределыюй концентрации для данного материала, и металлические токовцводы, закрепленные на концах полоски 12,Известный тенэорезистор небтабилен во времени и от действия температуры, так как он имеет две области неоднородного потенциального поля на концах полоски,Цель изобретения - повышение точности измерения.Указанная цель достигается тем, что в олупроводциковом тензорезисторе, содернашем резистивную полоску нз полупроводникового материала с концентрацией основных носителей, отличной от предель.ной концентрации для данного материала,и металлические токовыводы, закрепленныена концах полоски, резистивная полоскавыполнена с областями предельной концентрации носителей в зонах размещения токовыводов по всей толщине.Полупроводниковый тензорезистор содержит резистивную полоску из. полупроводникового материала с концентрацией основных носителей, равной предельной для данного материала, на концах полоски и отличной от предельной в средней части по-лоски, а также металлические токовыводы,закрепленные на концах полоски в облас 15 тях предельной концентрации носителей.Области предельной концентрации носителей расп ростра няются на всю тол шинуполоски и занимают всю площадь под токовыводами.Полупроводниковый тенэорезистор ра20ботает следующим образом.При включении тензорезистора в измерительную схему и подаче на него напряжения питания изменение сопротивлениятензорезистора определяется его деформа 2 цией. В то же время наличие областей предельной концентрации носителей в зоне кон-такта с металлическими токовыводами обус.:лавлннаст низкую температурную чувствительность этого участка резистора и высокуювременную стабильность его сопротивления.Переход же от области предельной концентрации носителей к области более низкой концентрации внутри самой полоски не вызыва.ет такого существенного разброса сопро.тивления во времени, как переход от полупроводника к металлу.Таким образом, предлагаемый полупроводниковый тецзорезистор с переменнойконцентрацией носителей по длине полоскиобеспечивает более высокую точность из- .мерения путем повышения стабильности его40 сопротивления во времени и от действиятемпературы,
СмотретьЗаявка
3606391, 06.04.1983
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1891
УЛЬЯНОВ ВЛАДИСЛАВ ВИКТОРОВИЧ, ЗЕЛЕНЦОВ ЮРИЙ АРКАДЬЕВИЧ, КОЗИН СЕРГЕЙ АЛЕКСЕЕВИЧ, АФАНАСЬЕВ КОНСТАНТИН ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01B 7/16
Метки: полупроводниковый, тензорезистор
Опубликовано: 23.09.1984
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1114878-poluprovodnikovyjj-tenzorezistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый тензорезистор</a>
Чувствительный элемент частотного преобразователя усилий и способ определения области приложения усилий в чувствительном элементе преобразователя усилий
Номер патента: 1400246
Опубликовано: 30.08.1990
Авторы: Емельянова, Зотов, Кожухова, Серов
МПК: G01L 1/18
Метки: области, преобразователя, приложения, усилий, частотного, чувствительном, чувствительный, элемент, элементе
...с ко 11 пенс 11 руащего дырочкогоэнергетического уровня в эоцу проводимости, что вызывает уменьшение сопротивления и дальнейшее увеличеиие:напряженности пс 51 я в этом месте, аэто, в свою очередь, соответственно увеличивает количество носителей, переходяц 7 кх Б зону проводимости Про исходит лавинообразный процесс, приБодяп 51 й к полному выбросу электро нов с дырочкых энергетических уровней компенсации в зону проводимости, Структура переходит в состояние отрицательного днеренцкального сопротивления, в ней Образуется шнур така, .Сопротинлекне чувствительногоэлемента в шкуре резко падает до двух порядков. Капряжекцость электрического поля резко возрастает. Прн этом йапряжение, приложенное к чувствительному элементу пвактически полностью...
Способ определения концентрации жидкого стекла
Номер патента: 711447
Опубликовано: 25.01.1980
Авторы: Лыгач, Набиулин, Ратобыльская, Сергеева, Стружков
МПК: G01N 27/02
Метки: жидкого, концентрации, стекла
...зависимости электропроводности от концентрации предварительно разбавляли определенный объем известной концентрации жидкого стекла расчетным количеством солевого раствора смеси щелочных и шелочноземельных металловМи измеряли эпектропроводность разбавленного раствора. й состав раствора для разбавления жидкого стекла (мг/д) 8,54 0,19- 3,55- 0,2-0,35 2,39- .2 е 39- 0,41- 5 у 87- 3,072995 295 -0187 -7 э 06 - ЗЭ 16 24,4 -1,47 -6,5 Разбавление исходного раствора жидкого стекда данным ссаевым раствором в отличии от разбавления водой исключает 40 влияние переменного качества последней на результаты измерения и тем самым повышает чувствительность и точность анализа.; На чертеже приведена кривая зависимос ти электропроводности растворов жидкого...
Хроматермодистилляционный способ определения примесей в жидкостях
Номер патента: 737828
Опубликовано: 30.05.1980
Авторы: Авгуль, Бирун, Жуховицкий, Охотников, Шварцман, Яновский
МПК: G01N 31/08
Метки: жидкостях, примесей, хроматермодистилляционный
...при большей упругости пара, что приводит к большей чувствительности измерений. 4Преимущества прйменения хроматермодистилляции для определения примесей заключаются в том, что возможно нанесение больших количеств жидких проб. В отличие от жидкостной хроматографии возможно обогащение примесных компонентов, причем происходит максимальное обогащенме этих компонентов и они выделяются в виде чистых жидкостей. Поскольку измерение сигнала производят газо-хроматографически-. ми детектораии,то для повышения чувствительности увеличение концентрации в газовой Фазе можно достигнуть нагреванием жидкости и зоне печи с более высокими характериетическими тем пературами.Опыты проводят на лабораторной ус- - тановке с катарометром. Используют...
Силовой быстровосстанавливающийся диод
Номер патента: 1101098
Опубликовано: 20.06.2000
Авторы: Асина, Белоногова, Дерменжи, Кузьмин, Рухамкин, Уверская, Юдицкий
МПК: H01L 29/36, H01L 29/86
Метки: быстровосстанавливающийся, диод, силовой
Силовой быстровосстанавливающийся диод, содержащий в базовой области рекомбинационную примесь, концентрация которой уменьшается от эмиттера вглубь базы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коммутационного перенапряжения и обратного тока утечки при сохранении нагрузочных характеристик в проводящем состоянии, в качестве рекомбинационной примеси вводят платину, распределение концентрации которой удовлетворяет следующим условиям:;0,3 NB Npt(xj) ...
Состав для заводнения нефтяного пласта
Номер патента: 1653404
Опубликовано: 15.09.1994
Авторы: Алибаева, Алмаев, Галимов, Ганиев, Кононова, Ленчевский, Ленченкова, Нигматуллина, Фахретдинов
МПК: E21B 43/22
Метки: заводнения, нефтяного, пласта, состав
СОСТАВ ДЛЯ ЗАВОДНЕНИЯ НЕФТЯНОГО ПЛАСТА, содержащий неионогенное поверхностно-активное вещество (НПАВ), ингибитор химической деструкции и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности состава для заводнения пластов с высокоминерализованными водами за счет снижения степени химической деструкции НПАВ, в качестве НПАВ он содержит неонол или его товарную форму в пересчете на неонол, а в качестве ингибитора химической деструкции - совместимые с пластовой водой технические лигносульфонаты при следующем соотношении компонентов, мас.%:Неонол или его товарная форма в пересчете на неонол 1,0 - 10,0Совместимые с пластовой водой технические лигносульфонаты 0,1 - 2,5Вода Остальное
Предыдущий патент: Устройство для измерения толщины металлических покрытий
Следующий патент: Интерференционное устройство для измерения перемещений
Случайный патент: Устройство для выбора варианта загрузки судна