Полупроводниковый тензорезистор

Номер патента: 1663407

Авторы: Ахмедов, Каримов

ZIP архив

Текст

.С,У ЗОРЕНИКОВЫЙ ТЕН тносится к полуп ии и может быть и рения деформа дованиях, Цель и(57) Изобретение о никовой тензометрзовано для измелабораторных иссле овод- польций в обре 3 ь С ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(56) Авторское свидетельство СССРМ 1419254, кл, 6 01 В 7/18, 1987. а Ойдо 1663407 А 1 тения - повышение чувствительности тензорезистора к измеряемой деформации - достигается таким расположением токовых и потенциальных электродов, при котором питание подается на токовые электроды 2, 3 в средне части монокристалла 1 соединения тетрацианхинондиметана и трифенилметилфосфония общей формулы РпзМеР(ТСИО)2, а выходной сигнал снимается с потенциальных электродов 4 и 5 на торцах монокристалла 1, Нелинейные эффекты в полупроводнике слоистой игольчатой структуры приводят к увеличению тензочувствительности на 10 - 300. Тензорезистор позволяет измерять деформации в диапазоне. расширенном в сторону ма. лых значений деформаций, 1 ил.1663407 Составитель Н,ТимошенкоТехред М.Моргентал Корректор М.Кучерявая Редактор М.Товтин Заказ 2256 Тираж 386 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 Изобретение относится к полупроводниковой тензометрии и может быть использовано для измерения деформаций в лабораторных исследованиях.Цель изобретения - повышение чувствительности тензорезистора к измеряемой деформации. Цель достигается таким расположением токовых и потенциальных электродов, при котором питание подается на токовые электроды в средней части моно- кристалла соединения тетрацианхинондиметана и трифенилметилфосфония.общей формулы Рпз МеР(ТСМО)2, а выходной сигнал снимается с потенциальных электродов на торцах монокристалла.На чертеже представлен общий вид полупроводниковыйй тензореэистор.Полупроводниковый тензорезистор содержит тенэочувствительный элемент 1, выполненный из монокристалла органического полупроводникового материала - соединенияя тетрацианхинондиметана и трифенилметилфосфония общей формулы Рпз МеР(ТСМО)2, два токовых электрода 2 и 3, закрепленных в средней части монокристалла 1, и два потенциальных электрода 4 и 5, закрепленных на торцах монокристалла 1.Полупроводниковый тензорезистор работает следующим образом.Перед измерением тенэорезистор наклеивают на поверхность исследуемого.обьекта и соединяют токовые электроды 2 и 3 с источником питания постоянного тока, а потенциальные электроды 4 и 5 - с регистрирующей аппаратурой,При нагружении исследуемого объектадеформация его поверхности передается намонокристалл 1, Так как полупроводниковый материал тензочувствительного эле 5 мента 1 имеет слоистую игольчатуюструктуру, то при прохождении тока в немвозникают нелинейные эффекты, связанные с выпрямляющим действием р-п-переходов в точках контакта токопроводящих10 структур, При этом ток течет по более длинному пути, и величина изменения сопротивления изменяется в зависимости отприложенной деформации более сильно,чем при традиционном включении - подаче15 питания на торцы кристалла и снятии сигнала с электродов в средней части. Чувствительность повышается при этом на 10-30.Использование описанного тензорезистора позволяет измерять деформации в бо 20 лее широком диапазоне в области малыхдеформаций,Формула изобретения Полупроводниковый тензорезистор, со держащий тензочувствительный элемент,выполненный из монокристалла органического полупроводникового материала - соединения тетрацианхинондиметана и трифенилметилфосфония РпзМе Р(ТСЙ 0)2, 30 два токовых и два потенциальных электрода, о тл и ч а ю щи й с я тем, что. с целью повышения чувствительности, два потенциальных электрода установлены на торцах монокристалла, а два токовых - в средней 35 части монокристалла.

Смотреть

Заявка

4389365, 09.03.1988

ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. С. У. УМАРОВА

КАРИМОВ ХАСАН САНГИНОВИЧ, АХМЕДОВ ХАКИМ МУНАВВАРОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G01B 7/16

Метки: полупроводниковый, тензорезистор

Опубликовано: 15.07.1991

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1663407-poluprovodnikovyjj-tenzorezistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый тензорезистор</a>

Похожие патенты