Мембранный тензорезистор

Союз Советских Социалистических Республик11635394 ОЛИСАНИЕ ИЗОБР ЕТЕ Н И Я К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(45) Дата опубликования описания 30.11.78(51) М К зС 01 В 7/18 Государственный комитет по делам изобретений и открытий(54) МЕМБРАННЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОР Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к устройствам для контроля процесса разрушения материалов под нагрузкой, и может быть использовано для измерения скорости и направления развития трещин, исходная точ.ка возникновения которых заранее известна.Известен мембранный тензорезистор, содержащий подложку из электроизоляционного материала и тензорешетку, выполненную в виде набора прямых проводников,соединенных звездой и направленных порадиусам от центра подложки 1.Однако этот тензорезистор позволяет определить только направление трещины приусловии, что ширина трещины будет достаточной для разрыва проводника,Наиболее близким к изобретению потехнической сущности и достигаемым рсзультатам является мембранный тензорезистор, содержащий подложку из электроизоляционного материала, внутреннюю решетку в виде набора проводников, соединенныхзвездой и выполненных в виде концентричных дуг, и внешнюю тензорешетку, таки:.евыполненную в виде концентри 1 ньх токопроводящих дуг 2.Однако этот тензорезистор не позволяетизмерять направ;ение развития трещины. зо Целью изооретения является измерение направления развития трещины.Поставленная цель достигается тем. чт 1 проводники внутренней решетки выполнены в виде участков спиралей, общая вершин которых находится в центре дуг внешней решетки.На чертеже представлен мембранный тензорезистор, общий вид.Мембранный тензорезистор содержит подложку 1 из электроизоляционного материала, на которой размещена внешняя тензорешетка 2 и внутренняя тензорешетка 3 с проводниками 4, выполненными в виде участков спиралей. Об 1 цая вершина 5 этих спиралей находится в центре концентрич. ных дуг внешней тензорешетки 2. Проводники 1 соединены звездой. Свободные концы проводников 4 соединены с контактными площадкам:. 6.Тензорезистог работает следующим образом.ДО начала .спытаний подложку наклен. вают на исследуемую поверхность так, чтобы центр тензорешеток совпал с исходной точкой возникновения трешинь 1. Свободныс концы обеих тензорешеток 2 и 3 соединяю проводной линией с регистратором. При гоявленин трещинь на поверхности материала он разрьвает поочередно сначала20 ь и. Тимо ко Камышиикова оррек Симки Подписнорытий Тип. Харьк. фиги пред. Пате проводники 4, а затем дуги внешней тензо. решетки 2. Последовательность сигналов, возникающих в момент размыкания состВетствующпх электрических цепей, зап 11 сывается регистратором, и по этой зап 11 сп ."., - дят о скорости и направлении развития трещины.Применение описанного мембранного тензорезистора позволяет контролировать не олешко скорос, но и направление развития трещины, что имеет большое значение для правильной расшифровки процесса разрушения материала. 1 ензирезистор обеспечивает повышенного надежность контроля трещин, распространяющих в любом направлении, так как у него отсутствую 1 зоны нечувствительности, имею 1 циеся в известных типах тензорезисторов,Использование мембранного тензорезистора при испытаниях новой техники. частности наземного и авиационного транспорта, металлургического оборудования, изделий химического машиностроения и т. и.,СоставитРедактор Г, Яковлева Техред А 847/1276 1 Ъ 782 НПО Государственного комитета С Москва, Ж, Рпозволяет повысить качество и надежностьэтих машин,Формула сизобретения Лембранный тензорезистор, содержащий подложку из электр оизоляционного материала, внутреннюю тензорешетку в виде набора проводников, соединенных звез дой, и внешнюю тензорешетку в виде концентричных токопроводящих дуг, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью измерения направления развития трещины, проводники внутренней решетки выполнены в виде 15 участков спиралей, общая вершина которыхнаходится в центре дуг внешней решетки. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1. Патент США2318102, кл. 338 - 2, 1943.2. Авторское свидетельство СССР Уо 345350 кл (з 01 В 7/20 1969 Тпрагк 850ССР по делам изобретений иаушская наб., д, 4/5