Термостатиреванный тензорезистор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Саеетския Социалистических Реслублик(51) М. Кл. 6 01 В 7/18 аявки М присоедпнснпев Государственный комите 1 Совета Министров СССР(088,8) Бюллетень М 3 0.09,77 ублико о делам изобретений крытий Дата опубликования описания 29,09.77 Авторыпзобретсни(54) ТЕРМОСТАТИРОВАННЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТ 1Изооретение относится к области измерительной техники и может быть использованодля измерения давления, упругих сил вибраций, в частности в авиационной и судостроительной промьешленности.5Известны датчики механических параметров, у которых уменьшение температурной погрешности осуществляется технологическойили схемной компенсацией 11,Наиболее близким по техническому,решению к изобретению является термостатированный тензорезистор, содеркащий тензоэлемент,диэлектрический слой, обхватывающий тензоэлемент, термоэлемент, размещенный на ди-,электрическом слое, второй диэлектрический 15слой, размещенный на термоэлементе, и нагревательные элементы, обхватывающие тензоэлемент и термоэлемент 12.Тензоэлемент, термоэлемент и нагревательные элементы выполнены в виде проволочной 20решетки, а диэлектрические слои представляют собой клеевые прослойки, Однако наличиевоздушной прослойки, неравномерность распределения тепловой энергии от термоэлемента к тензоэлеьменту увеличивают температурную погрешность этого тензорезистора.Цель изобретения - повышение точностиизмерения,Для этого в предлагаемом тензорезисторегензоэлемент, диэлектрические слои, термоэле мент и нагревательные элементы выполнены в виде тонких пленок.На чертеже схематически изображен предлагаемый термостатированный тензорезистор.Он содержит тензоэлемент 1, диэлектрический слой 2, обхватывающий тензоэлемент, термоэлемент 3, размещенный на диэлектрическом слое 2, второй диэлектрический слой 4, размещенный на термоэлементе, и нагревательные элементы 5 и 6, обхватывающие тснзоэлемент и термоэлементы. Изоляция нагревательных элементов осуществляется диэлектрическими слоями 7 и 8. В цепь нагревательных элементов включен регулирующий элемент 9, а в цепь тензоэлемента - измерительный прибор 10.Термостатированный тензорезпстор работает следующим образом.Тонкопленочный тснзоэлемент 1 воспринимает воздействие изменяющегося механического параметра. Величина сигнала является функцией температуры,Для исключения температурной погрешности измерения применена стаоилизация температурного режима тензоэлемента. При отключении температуры тензоэлсмента изменяется сопротивление термоэлемеита, находящегося в аналогичных с тензоэлементом температ рных условиях, приводя соответственно к изменению,режима раооты нагревательных элсмеиКорректор Е. Хмелева Редактор О. Юркова Заказ 2133/3 Изд.772 Тираж 907 НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, )К.35, Раушская наб д, 4/5Подписное Типография, пр, Сапунова, 2 тов о и 6, т. е. к восстановлению прежнего значения температуры.Тонкопленочное исполнение нагревательных элементов, тензоэлемента, термоэлемента и изоляционных слоев ввиду их малой массы позволяет получить быстродействующую систему стабилизации температуры тензоэлемента, а следовательно, и повышение точности измере 1 ния в условиях быстроменяющихся температур за счет исключения температурной погрешности,Термостатированный тензорезистор, содержащий тензоэлемент, диэлектрический слой,обхватывающий тензоэлемент, гермоэлемент, размещенный на диэлектрическом слое, второй диэлектрический слой, размещенный на термоэлементе, и нагревательные элементы, обхва 5 тывающие тензоэлемент и термоэлемент, отл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения точности измерения, тензоэлемент, диэлектрические слои, термоэлемент и нагревателыные элементы выполнены в виде тонких пленок.10 Источники иноформации, принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР434284,кл, 6 01 В 1/18, 1972.15 2. Патент ФРГ832689, кл. 42 К 45/03,1950.
СмотретьЗаявка
2361986, 14.05.1976
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6668
БОГАТОВ ПАВЕЛ НИКОЛАЕВИЧ, БОРЩЕВ ВЯЧЕСЛАВ НИКОЛАЕВИЧ, ХАРИТОНОВ ВИТАЛИЙ ПАВЛОВИЧ, СПАЛЕК ЮРИЙ МИХАЙЛОВИЧ, МАНЫШЕВ ЭДУАРД БОРИСОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01B 7/16
Метки: тензорезистор, термостатиреванный
Опубликовано: 30.09.1977
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-574602-termostatirevannyjj-tenzorezistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Термостатиреванный тензорезистор</a>
Устройство для решения задачи оптимального размещения элементов схемы на плоскости
Номер патента: 1360430
Опубликовано: 27.06.1996
Автор: Глушан
МПК: G06F 17/17
Метки: задачи, оптимального, плоскости, размещения, решения, схемы, элементов
Устройство для решения задачи оптимального размещения элементов схемы на плоскости, содержащее генератор тактовых импульсов, блок памяти топологии графа, блок памяти, элемент И, группу элементов И, группу элементов ИЛИ, группу регистров, элементы задержки, буферный регистр, накапливающий сумматор, два распределителя импульсов, блок формирования перестановок, триггер, вычитатель, схему сравнения, элемент запрета и коммутатор, причем информационный вход устройства соединен с информационным входом блока памяти топологии графа, выход генератора тактовых импульсов соединен с информационным входом первого распределителя импульсов и первым входом элемента запрета, выход которого соединен с синхронизирующим входом блока формирования перестановок,...
Устройство для оценки размещения элементов
Номер патента: 1430949
Опубликовано: 15.10.1988
Авторы: Берштейн, Дедюлин, Калачев
МПК: G06F 15/173
Метки: оценки, размещения, элементов
...в 1-ю цепь, и ноль - в пботивцотт случае,1430949 50 Длиной 1-й пепи называется разностьмежду номерами самой нижней строки,в которой :тоит единица в 1-ом столбце, и номером самой верхней строки,в которой стоит единица в 1-ом столб 5це.Устройство работает следующим образом,На вход 6 записи поступают данныепо сигналу "1", На входе 13 происходит запись информации в элементыоднородной среды. На вход 9 поступает сигнал "Запись" и информация изтриггеров запоминания признака конечной точки переписывается в блок 5 памяти. Для нашего примера в однородную среду были записань 1 данные, приведенные в табл,2 в графе "Состояния элемента однородной среды", На 20индикаторных выходах элементов послеокончания переходных процессов устанавливаются единицы,...
Устройство для решения задачи размещения элементов схемы на плоскости
Номер патента: 1487703
Опубликовано: 20.05.1996
Авторы: Глушан, Калмычек, Курейчик, Рябец
МПК: G06F 17/00
Метки: задачи, плоскости, размещения, решения, схемы, элементов
Устройство для решения задачи размещения элементов схемы на плоскости, содержащее генератор тактовых импульсов, блок памяти топологии графа, блок памяти, элементы И, группу элементов И, группу элементов ИЛИ, блок регистров, элементы задержки, первый буферный регистр, сумматор, два распределителя импульсов, блок формирования перестановок, первый триггер, вычитатель, схему сравнения, элемент ЗАПРЕТ, первый коммутатор, шифратор, дешифратор и блок умножения, входы множимого которого соединены с выходами вычитателя, а вход множителя с выходом дешифратора, вход которого соединен с выходом шифратора, информационный вход устройства соединен с информационным входом блока памяти топологии графа, выход генератора тактовых импульсов соединен с...
Устройство для плазмохимического синтеза диэлектрических слоев
Номер патента: 1378767
Опубликовано: 20.06.1999
Авторы: Мараховка, Парм, Ронжин, Соловьев
МПК: H05H 1/00
Метки: диэлектрических, плазмохимического, синтеза, слоев
Устройство для плазмохимического синтеза диэлектрических слоев, содержащее цилиндрическую камеру синтеза диэлектриков с дном, выполненным в виде подложкодержателя с нагревательным элементом, с отверстиями для откачки камеры и напуска газов, и камеру активации с ВЧ-электродом, отличающееся тем, что, с целью повышения качества диэлектрических слоев на полупроводниковых подложках путем сжатия потока реакционной смеси к центру реактора и снижения радиационного влияния плазмы на образцы, камера активации выполнена в виде тора, охватывающего камеру синтеза газа, в боковых стенках которой выполнены отверстия для напуска газов, а ВЧ-электрод имеет форму кольца и расположен в центре камеры активации...
Способ изготовления диэлектрического слоя для мозаичных фотоэлектродов
Номер патента: 65141
Опубликовано: 01.01.1945
МПК: H01J 9/233
Метки: диэлектрического, мозаичных, слоя, фотоэлектродов
...видепорошка являются: порошкообразная слюда, силикат алюминия, пороппкообразный кварц, оксид титана и ЧО,Слой 3 можно нанести на пластину 2 различными методами: разбрызгиванием порошка по методу изготовления флюоресцирующих экранов, путем испарения жидкости, в которой замещан порошок, или путем катафореза.Последний метод является наиболее предпочтительным и его осуществление показано на фиг, 2. Здесь порошок взвешен,в жидкости, налитой в изолирующий или в металличсссий сосуд 5. Сигнальная пластина 2 опускается в жидкость, а против пластины опускается электрод 6. Если приложить достаточное постоянное напряжение между пластиной 2 и электродом 6, то взвешенный порошок начинает двигаться к пластияе 2 и покрывает ее ровным слоем. Это...
Предыдущий патент: Устройство для измерения зазора между магнитной головкой и носителем
Следующий патент: Датчик длины проката
Случайный патент: Полимерная композиция