Полупроводниковый тензорезистор

Номер патента: 98604

Опубликовано: 01.01.1954

Автор: Гутенмахер

МПК: H03K 19/16

Метки: выполнения, или, ключевое, логических, операций, типа

...величину толь. ко при одном условии, а именно, когда существуют одновременно ,И" ситцдл 1 И" сигнал 1 И" сигнал 1 чт д соответствует логической операции И" И"12. Все три ячейки ММ., и М, предварительно не г одмагничены. В этом случае магнитное сопротивление каждой ячейки мало. Если при этом подвести хотя бы один из управляющих токов 1, то одна из ячеек будет иметь большое магнитное сопротивление и выходное напряжение И будет близко к нулю, т. е. для прекращения выходного сигнала И достаточно наличие одного из управ ч 10 гцпх сигнЯлов , И 1 И 1 1 ЛИ" 1 ИЛИ" 1, что соогветствует логической операции ИЛИ", ИЛИ"ИЛИ".Для получения сигнала на выходе необходимо отсутствие всех трех управляющих токов 1, т. е. чтобы И" не было тока 1 И"...

Номер патента: 146049

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Дашевский, Лазарев, Миргаловская

МПК: C30B 29/40, C30B 31/04

Метки: антимонида, дендритах, индия, переходов, полупроводникового, создания, электронно-дырочных

...антимонида индия зашлифовки, полировки и травления лектронно-дырочный переход на опрефигурации,ма установки для осуществления спор - и переходов ведут следующим обр нь 1 помещают в печь 2 сопротивления температуру которой измеряют при поз иевого стерпня, обращенный к плоскост ом режим печи подбирают таким, чтоб от падения силами поверхностного натя) оя индия на поверхность дендрита 4 ст в сторону дендрита и, касаясь его пов азом.(с регу ОЩИ тЕР- и дендриы капля кения.ерпень 1 ерхности,ц лируе мопар та 4, индия мопе смачи Кдиевыи стержень 1 и печь 2 могут перемещаться в ости, что позволяет регулировать размеры поверхлоя индия. Как показано на схеме, тигель 5 с расертикости роцесс создачиндиевый стерпмым нагревом)ы 3, Конец...

Номер патента: 1725700

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Загоруйко, Карпова, Комар, Терейковская

МПК: H01L 21/28

Метки: aiibvi, контактных, кристаллов, оптических, поверхности, полупроводниковых, слоев, создания, типа

СПОСОБ СОЗДАНИЯ КОНТАКТНЫХ СЛОЕВ НА ПОВЕРХНОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ ТИПА AIIBIV, включающий обезжиривание, промывку и нанесение на поверхность кристалла металлического слоя, отличающийся тем, что, с целью получения однородного по толщине механически прочного слоя при сохранении оптических свойств кристаллов и упрощения процесса, обезжиривание проводят в насыщенном растворе кальцинированной соды в течение 20 - 30 мин при 18 - 25oС, металлический слой наносят при 10 - 15oС путем осаждения серебра из смеси щелочного раствора аммиаката серебра следующего состава, мас. % :Азотнокислое серебро 1,57Гидрат окиси калия (45% -ный) 2,27Водный аммиак (25% -ный) 17,79

Номер патента: 354496

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Осип, Савченко

МПК: H01L 31/16

Метки: деформирования, кристаллов, пластического, типа

...пластичностью кристаллов,Цель достигается за счет того, что на ста дии пластической деформации, осуществляемой с определенной скоростью при заданной температуре, фоточувствительный кристалл облучают двумя источниками света - первичного (с длиной волны в области собственно го поглощения), определяющего дополнительное упрочнение кристалла, и вторичного (с длиной волны в инфракрасной области), приводящего к разупрочнению, величина которого зависит от интенсивности и длины волны 20 вторичного источника.Деформирование осуществляется в закрытой камере на специальной машине. Виды деформации могут быть различными: одноосное сжатие, изгиб, растяжение и т. д, В ка мере поддерживается постоянная температура, при которой для данного...

Номер патента: 937965

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Пастор, Яковлев

МПК: F28D 15/02, H01L 23/34

Метки: охлаждения, узел

...помещеннаполнитель 21 с высокими диэлектрическими качествами. На кристалле 18нанесен кольцевой управляющий слой22, к которому подведен управляющий электрод 23 через отверстие в керамическом корпусе 1 . Параллельно внешней поверхности чашеобразных элементов 19 и 20 установлены с зазором перфорированные пластины 24 и 25. Зазоробеспечивается кольцевыми дистансо"рами 26 и 27, Пластины 24 и 25 фиксируются в заданном положении фиксаторами 28 и 29, изготовленными иэупругой проволоки в виде колец.В силовых фланцах б и 7 предусмотрены резьбовые соединения длягрупп болтов 8 и 9. Фланцы 6 и 7жестко соединены с наконечниками Ци 5. Контакты 2 и 3 моноблока помещены между конусными поверхностями наконечников 4,5 и прижимныхколец 10 и 11. Группы...