Полупроводниковый тензорезистор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Техред М. Надь Редактор С. Титова Корректор Г.Решетник Заказ 5720/1 Тираж 651ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Подписное Филиал ПНП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 1 11163Изобретение относится к измерительной технике, а именно к полупроводниковым тензорезисторам, и может быть использовано при измерении деформаций в условиях криогенных температур в электронике, медицине, электроэнергетике и других областях науки и техники.Известен полупроводниковый тензореэистор, содержащий изоляционную под 10 ложку из ситалла или керамики и тензочувствительный слой из поликристаллической пленки германия 1.Однако этот тензорезистор не обеспечивает требуемой точности измере ния в условиях низких температур (ниже 293 К) в связи с возникновением внутренних температурных напряжений иэ-за различных температурных коэффициентов линейного расширения герма ния и материала подложки.Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому эффекту является полупроводниковый тензорезистор, содержащий изоляцион ную подложку из отвержденного связующего и тенэочувствительный слой иэ монокристаллического сильнолегированного германия 23.Однако известный датчик не обеспечивает требуемой точности измерений в условиях низких температур в связи с возникновением внутренних температурных напряжений по аналогичным причинам.35Целью изобретения является повышение точности и расширение рабочего диапазона температур тензорезисторадо 4,2 К,40Цель достигается тем, что в полупроводниковом тензорезисторе, содер- . жащем изоляционную подложку и тенэо- чувствительный слой из снльнолегиро 05 2ванного германия, изоляционная подложка выполнена иэ.полуизолирующегоарсенида галлия, а тензочувствитель.ный слой - из пластически деформированной монокристаллической пленки.Полупроводниковый тензореэисторсодержит изоляционную подложку изполуизолирующего арсенида галлия,на которую нанесен тензочувствительный слой из пластически деформированной монокристаллической пленки сильнолегированного германия.Полупроводниковый тензорезисторработает следующим образом.При приложении к полупроводниковому тензорезистору деформации изменяется его электрическое сопротивление. Так как нелинейность деформационной характеристики сильнолегнрованного монокристаллического герма.ния в диапазоне температур 4,2-450 Кизменяется несущественно, а температурные коэффициенты линейного расширения германия и арсенида галлия вэтом диапазоне температур близки, товеличина нелинейности градуировочнойхарактеристики теизорезистора не меняется от температуры, что позволяет использовать предложенный тензорезистор в широком рабочем диапазооне температур до 4,2 К, Снижениювнутренних напряжений способствуети то, что монокристаллическая пленкав процессе изготовления тензорезистора подвергается пластической деформации,Предлагаемый полупроводниковыйтензорезистор позволяет измерять деформации в широком диапазоне температур, вплоть до криогенных температур, и обеспечивает линейную градуировочную характеристику в расширеноном диапазоне измеряемых деформаций до 1,5 х 10отн.ед.
СмотретьЗаявка
3532256, 24.11.1982
ИНСТИТУТ ПОЛУПРОВОДНИКОВ АН УССР
ГОРБАЧУК Н. Т, САКИДОН П. А, ТХОРИК Ю. А, ШВАРЦ Ю. М
МПК / Метки
МПК: G01B 7/16
Метки: полупроводниковый, тензорезистор
Опубликовано: 07.08.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1116305-poluprovodnikovyjj-tenzorezistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый тензорезистор</a>
Способ контроля однородности ионно-имплантированного слоя в доменосодержащей пленке
Номер патента: 1198569
Опубликовано: 15.12.1985
Авторы: Куделькин, Набокин, Рандошкин
МПК: G11C 11/14
Метки: доменосодержащей, ионно-имплантированного, однородности, пленке, слоя
...повысить чувствительность при контроле однородности ионно-имплантированного слоя в доменосодержащей пленке, если регистрировать не поле коллапса ЦМД Но, а напряженность импульсного поля Ни, при котором начинается процесс вращения намагниченности.Предложенный способ контроля однородности ионно-имплантированного слоя в доменосодержащей пленке осуществляют следующим образом.На намагниченную до насыщения доменосодержащую пленку воздействуют импульсным магнитным полем.Регистрация вращения намагниченности обеспечивается использованием магнитооптического эффекта Фарадея для визуализации областей с обратной намагниченностью и применением импульсного лазера в качестве источника света для подсветки пленки в некоторый момент времени через 20 в 2...
Прибор для определения толщины слоя невысохшей лакокрасочной пленки
Номер патента: 100437
Опубликовано: 01.01.1955
Автор: Ворогушин
МПК: G01B 5/06
Метки: лакокрасочной, невысохшей, пленки, прибор, слоя, толщины
...соответствующие толщине пленки. Если же высота бортиков окажется большей, чем толщина пленки, то каток нс прикоснется к ней и она, таким образом, нс получит отпечатка делений шкалы. мст изобретения ПредПриборны слояпленки,что он вческоготричныена боков определения толщихшей лакокрасочной чающийся, тем, н в виде цилиндриимеющего эксценки и снабженного ерхности шкалой. для евыс отли шолне катка борти ой пов ОПИСАН Толщину слоя невысохшеи лакокрасочной пленки определяютобычно на глаз, что не дает возможности достаточно точно установить расход лакокрасочных материалов.Предлагаемый прибор, выполненный в виде цилиндрического катка,имеющего шкалу и эксцентричныебортики, позволяет точно определять толщину невысохшей лакокрасочной пленки.На...
Способ формирования разнокоэрцитивных участков тонкой магнитной пленки на светочувствительной стеклянной подложке
Номер патента: 1053159
Опубликовано: 07.11.1983
МПК: G11C 5/04
Метки: магнитной, пленки, подложке, разнокоэрцитивных, светочувствительной, стеклянной, тонкой, участков, формирования
...пленки 1 . что стекло под ниэкокоэрцитиннымиНедостатком этого спбсоба являет,; участками ТИП не облучается. После ся необходимость выполнения сложных этого заготовку нагревают, наприк трам куиоукравляеиах технологических мер в конвейерной печи, до темпера-операций и применении дорогих мате-;р туры ниже температуры размягчениястекла и изотермически выдерживают,Наиболее близким техническим ре- . Режиьы Фототермической обработки шением к изобретению является спо-подложки: время экспозиции 5-60 мин,соб изготовления ферромагнитныхтемпература нагрева 300-700 С; время планок с цовьааекным значением коэр изотермической выдержки 10-60 мин,й силы основанный на напы- , . Затем на поверхности подложки наленки ТЯП на светочувствительную - пыляют...
Прибор для реологических исследований поверхностных слоев и двусторонних пленок
Номер патента: 256347
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Глебов, Докукина, Трапезников
МПК: G01N 11/06
Метки: двусторонних, исследований, пленок, поверхностных, прибор, реологических, слоев
...конец которой закреплен в крутильной головке 9 с конусным отсчетом. Головка обеспечивает быстрые повороты кольца 1 на большие углы с помощью маховичка 10, повороты на малые углы с помощью червяка 11 и перемещение кольца 1 по вертикали с помощью микрометрической гайки 12. В арретире 18 установлена нагревательная спираль, предохраняющая зеркала 8 от запотевания. Термопара 14 предназначена для контроля тем пер атурь 1 р аствора.ь 1 ашка 5 закреплена на цснтрирующей план- шайбе 15, снабжешюй установочными винтами и смонтированной в расточке столика 16. Передача 17 со стопорными винтами 18 и 19 служит для вращения чашки от руки,или перемещения ее по вертикали для установки заданного уровня, Привод 20 содержит электродвигатель, корооку...
Способ химического осаждения полупроводниковых пленок халькогенидов металлов
Номер патента: 1766210
Опубликовано: 15.04.1994
Авторы: Дорофеева, Комов, Кричевская, Ленивкин, Ленивкина, Стольниц
МПК: H01L 21/268
Метки: металлов, осаждения, пленок, полупроводниковых, халькогенидов, химического
СПОСОБ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ, включающий размещение подложки в электролите на основе халькогенсодержащего соединения, нагрев электролита с подложкой до температуры осаждения, формирование на подложке центров кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости осаждения, улучшения электрофизических свойств и получения локальных пленок, формирование центров кристаллизации осуществляют одновременно с нагревом электролита и подложки путем импульсного лазерного облучения с длиной волны излучения из области поглощения молекул халькогенсодержащего соединения, плотностью мощности на подложке 104 - 107 Вт/см2, длительность импульсов 10-5 -...
Предыдущий патент: Двухлезвийный инструмент для чистовой обработки зубчатых колес
Следующий патент: Кукурузоуборочный комбайн
Случайный патент: Контактный механизм