Фольговый тензорезистор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советских Социалистических РеспубликОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОВСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ нн 744221(51)М. Кл. С 01 В 7/20 Государственный комитет СССР по хелам изобретений и открытий(54) ФОЛЬГОВЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОР Изобретение относится к области тензометрии и может быть использовано при создании датчиков усилий, давлений, перемещений и деформаций, работающих в широком диапазоне температур от +200 до -200 ос.Известен фольговый тензорезистор, содержащий подложку иэ пленки поли меризованного клея ВЛи тензорешетку иэ фольги 1. 10Однако метрологические характеристики такого тензорезистора нестабильны при воздействии отрицательных тем- ператур, чередующихся с нагревом до +200 С. 15Наиболее близким по технической сущности и достигаемому эффекту к изобретению .является фольговый тенэорезистор, содержащий подложку иэ пленки полимериэованного полибензимида зольного клея и тензорешетку из Фольги (2.Однако и этот тензореэистор имеет невысокую стабильность метрологической характеристики в диапазоне температур от +200 до -200 ос.Целью изобретения является повы- щениестабильности метрологической характеристики в диапазоне температур от +200 до -200 С, 30 Эта цель достигается тем, что подложка выполнена иэ полиамидоимидного лака.фольговый тенэорезистор содержит подложку иэ пленки полимериэованного полиамидоимидного лака и тензорешетку иэ Фольги.Процесс изготовления тензореэисто" ра заключается в том, что на заготовку иэ фольги, например, констаи- тановой,наносят слой полиамидоимидного лака и в вакуумной печи пройэводят полимеризацию лака по режиму: 20 мин нри температуре 80 оС и 30 мин при температуре 250 оС. Затем известным методом производят формообразование тензорешетки.Применение предлагаемого фольгового тензореэистора позволяет обеспечить сохранение градуировочных характеристик в течение 5000 ч при колебаниях температуры в диапазоне от +200 до -200 оС. Кроме того, подложка из полиамидоимидного лака устойчива к воздействию влаги и органических кислот. В процессе изготовления тензорезистора процесс палимериэации заканчивается за более коротко время, чем у других связующих, а сам. лак относится к числу наиболее деше744221 Составитель Н. ТимошенкоРедактор Л. Павлова Техред А. щепанская Корректор И. Муска Заказ 3657/3 Тираж 801 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5филиал ППП фПатент, г. Ужгород, ул . Проектная, 4 вых полимерных материалов. В результате стоимость тензореэистора может бить снижена, а срок его службы - увеличен, что дает ошутимый экономический эффект.формула изобретенияфольговый теизорезистор, содержащий подложку.из пленки полимеризованного клея и тензорешетку из фалы и, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повиаения стабильности метрологической характеристики в диапазоне температур от +200 да - 200 ОС,подложка выполнена иэ лолиамидоимидного лака.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР9 143586, кл. С 01 В 7/20, 1960.2. Авторское свидетельства СССРМ 353285, кл, С 01 В 7/20, 1971 (прототип) .
СмотретьЗаявка
2617228, 18.05.1978
НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ И КОНСТРУКТОРСКИЙ ИНСТИТУТ ИСПЫТАТЕЛЬНЫХ МАШИН, ПРИБОРОВ И СРЕДСТВ ИЗМЕРЕНИЯ МАСС
НИКОЛАЕВА СВЕТЛАНА АЛЕКСЕЕВНА, ГОРДЕЕВА ФАИНА АЛЕКСАНДРОВНА, ЧУДИНА ЛЮДМИЛА ИВАНОВНА, ЧУКУРОВ АНАТОЛИЙ МИХАЙЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01B 7/16
Метки: тензорезистор, фольговый
Опубликовано: 30.06.1980
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-744221-folgovyjj-tenzorezistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Фольговый тензорезистор</a>
Способ травления поверхности хрома или пленки хрома, нанесенной на стойкую подложку, например стекло, кварц и т. д.
Номер патента: 122380
Опубликовано: 01.01.1959
Автор: Бурмистров
МПК: C25F 3/08
Метки: кварц, нанесенной, например, пленки, поверхности, подложку, стекло, стойкую, травления, хрома
...металла в вакууме на стекло, кварц, а также накие подложки и травится по рисункам, выгравированнымупорной основе, или по фотографическим изображениям наном слое коллоида или смолы раствором марганцовокис,ппоследующим осветлением или соляной кислоты с припудривками металла (например, цинка или алюминия), выделтравлении водород.В последнем случае травление можно прос металлической поверхностью, например, пили алюминия. хрома, получе- лговечнк очные изображения, не лочам и кислотам без аспылением другие стойна кислото- хромированого калия с анием опиляющего при изводить в контакте слоя ластиной из листа цинка едмет изобретен о с Способ травления поверхности хрома или пленки хрома, нанесенноп на стойкую подложку, например, стекло,...
Устройство для измерения угла скоса легкой оси анизотропии цилиндрической магнитной пленки
Номер патента: 1061078
Опубликовано: 15.12.1983
МПК: G01R 33/05
Метки: анизотропии, легкой, магнитной, оси, пленки, скоса, угла, цилиндрической
...обмоткой, охватывающей подложкуи компенсирующий проводник, а второйвыход соединен с входом второго формирователя импульсов электрическоготока, два параллельных канала, состоящих из последовательно соединенныхдискриминатора и преобразователя импульсных сигналов в постоянное напряжение каждый, включенных между выходом импульсного усилителя и первыми вторым входами вычитающего блокасоответственно, первую и вторую линии задержки, выходы которых подключены к вторым входам соответствующих первого и второго дискриминаторов, а вход первой линии задержки - к второму выходу генератора,и измерительный резистор, дополнительно снабжено третьим формирователем импульсов, вход которого подключен к третьему выходу генератора ик входу второй линии...
Способ получения электроизоляционного клеящего лака для полиэтилентерефталатной пленки
Номер патента: 149844
Опубликовано: 01.01.1962
Авторы: Белкина, Забырина, Лимова
МПК: C09D 3/64, C09J 167/02
Метки: клеящего, лака, пленки, полиэтилентерефталатной, электроизоляционного
...собой смесь этилового спирта, толуола и аце.тона (1: 1: 1), Затем в раствор вводят тетраэтоксисилан.П р и м е р, 70 вес, ч. алкидной смолы растворяют в 25,1 вес. ч.смеси органических растворителей. Затем раствор модифицируют4,9 вес. ч. тетраэтоксисилана. Лак фильтруют.Характеристика лака:Концентрация - не менее 70%Вязкость по вискозиметру ВЗ(сопло ф 5,4 мм) 1 -Продолжительность высыхания лаковой пленки на меди при температуре 150 - не более 8 час.Термоэластичность лаковой пленкина меди при температуре 150 - 100 в 2 час.149844 Пробивное напряжение, квмм:а) при температуре 20 - 70 - 90;б) при температуре 155 - 50 - 60;в) после пребывания в атмосфере 95+2%.нойотносительной влажности в течение 24 час - 50 - 60.Удельное обьемное...
Способ измерения коэффициента магнитострикции и угла скоса оси анизотропии цилиндрических магнитных пленок
Номер патента: 871110
Опубликовано: 07.10.1981
Авторы: Глушкова, Зарубина, Ленников, Смирнов
МПК: G01R 33/18
Метки: анизотропии, коэффициента, магнитных, магнитострикции, оси, пленок, скоса, угла, цилиндрических
...амплитудных значений ЭДС выходного сигнала положительной и отрицательной полярностей. 60 Н К, Еи Ы,Т и Т На фиг, 1 представлена схема уст-ф ройства, реализукщая предлагаемый .способ; на фиг. 2 - кваэигистерезисная кривая зависимости амплитудного значения ЭДС выходного сигнала положительной и отрицательной полярностей в зависимости от величины и знака угла закручивания.Измерение угла скоса оси анизотропии проводят на образце 1, который представляет собой проводящий сердечник из неферромагнитного материаладиаметром 0,01 см с нанесенным нанего слоем ферромагнитного материала (пермаллой с добавкой кобальта) толщиной 1 мкм, жестко закрепленном в зажимах 2. Крутящий момент создают 15 вращением одного из зажимов, угол поворота отсчитывают по...
Способ определения кристаллографических направлений в магнитных пленках с орторомбической анизотропией методом ферромагнитного резонанса
Номер патента: 1718162
Опубликовано: 07.03.1992
МПК: G01R 33/05
Метки: анизотропией, кристаллографических, магнитных, методом, направлений, орторомбической, пленках, резонанса, ферромагнитного
...симметрии кристаллографической, Данное устройство имеет следующее объяснение.Известно, что интенсивность линии ФМР пропорциональна мощности СВЧ-поля, поглощаемой при резонансе, которая определяется антиэрмитовыми компонентами тензора ЯЧ-восприимчивости. В случае линейно поляризованного СВЧ-поля можно показать, не теряя общности, что указанная интенсивность определяется мнимой частью соответствующей диагональной компоненты тензора ВЧ-восприимчивости. Если принять, что ВЧ-поле совпадает с осью Х локальной системы координат, ось Е направлена вдоль вектора намагниченности М, совпадающего с внешним магнитным полем и нормалью к плоскости пленки, то отмеченная мнимая часть будет иметь вид- + + (1) где у- гирамагнитное отнош е,а- параметр...
Предыдущий патент: Проходной вихретоковый преобразователь
Следующий патент: Способ измерения кинематической погрешности зубчатых колес
Случайный патент: 411302