Патенты с меткой «слоях»

Номер патента: 623439

Опубликовано: 23.09.1985

Авторы: Антоненко, Двуреченский, Смирнов

МПК: H01L 21/324

Метки: дефектов, имплантированных, отжига, полупроводников, слоях

...50р-и-перехода при таком способе отжига достаточно велик, а пробивноенапряжение невелико, поскольку наибольшая часть энергии выделяется наповерхности.554. Невозможность проведения отжига ионно-внедренных областей посленанесения на поверхность слоев металла и некоторых диэлектриков (многослойные структуры).Целью изобретения является исключение эрозии планарной поверхностипластины, возможность проведенияотжига в многослойных структурах иупрощение технологии.Поставленная цель достигаетсятем, что световой импульс направляютна поверхность полупроводника, противоположную планарной.С целью локализации выделенияэнергии длину волны света выбираютравной или большей (не более чемв 3 раза) длины волны, соответствующей краю основного...

Номер патента: 1254418

Опубликовано: 30.08.1986

Авторы: Кононенко, Макарычев, Сидаравичюс

МПК: G03G 13/00

Метки: диэлектрическим, записи, изображения, носителей, покрытием, скрытого, слоях, униполярных, фотопроводниковых, электростатического

...Ж"35, Раушская наб д, 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул.Проектная, 4 Изобретение относится к электрофотографии, в частности к копировальной технике,Цель изобретения - повышение качества скрытого изображения путем,увеличения потенциального контраста,П р и и е р, Для записи скрытогоэлектростатического изображения используют электрофотографический носитель (ЗН), в котором селеновыйслой толщиной 40 мкм с инжектирующим дырки подслоем кристаллическогоселена покрыт диэлектрической плен-кой толщиной 15 мкм. На указанныйЭН осаждают положительный заряд коронирующим зарядным устройством, накоторое подают напряжение 6 кВ, движущееся со скоростью 8 см/с. относительно заряжаемого ЭН, Далее ЭН экспонируют при освещенности...

Номер патента: 530622

Опубликовано: 30.08.1986

Авторы: Кириллов, Колманов

МПК: E02D 1/08, G01B 5/30

Метки: грунта, деформаций, слоях, увлажненного

...3., связывающие их с измерителями деформаций (на чертеже не показаны) .Для выведения тяг от нижнихреперов к измерителям деформаций вкаждом кольцевом репере имеется необходимое количество отверстий. Эластичная оболочка 1 присоединена к напорному патрубку 4. По оси эластичной оболочки 1 и патрубка 4 с зазором по отношению к кольцевым реперам 2 размещена труба 5 (открытымконцом выше патрубка 4) с заглушкой6 и фланцами для герметичного соединения с эластичной оболочкой 1 надругом конце, На открытом конце трубы 5 размещено контрольно-защитноеприспособление 7., а внутри - зонд8 с кабелем 9 радиоизотопного влагомера.Целью изобретения является повыше ние точности определения зависимости 55 деформаций грунта от его влажности и снижение затрат...

Номер патента: 1257482

Опубликовано: 15.09.1986

Авторы: Афанасьев, Завьялова, Имамов, Ломов, Пашаев, Федюкин, Хашимов

МПК: G01N 23/207

Метки: исследования, кристаллов, нарушений, приповерхностных, рентгенодифракционный, слоях, структурных, тонких

...де тектора 6 со щелью, линейно перемещающегося в плоскости, перпендикулярной плоскости отражения. В рассмат риваемой геометрии дифракции возникает связь между углом отворота 6 ис следуемого кристалла от точного угла Брэгга и углом выхода ф дифрагированного пучка с поверхностью кристал 2: ф=ф, -В, д =ф(В = О). Отсюда следует, что изменение угла 6 55 на несколько десятков секунд приводит к изменению угла Ф на несколько градусов. Такие изменения ф могут быть зафиксированы при помощи щели, установленной перед детектором в плоскости, перпендикулярной плоскости отражения, и видимой с поверхносо ти кристалла под углом 0,1-0,2 . На стандартных дифрактометрах это может быть осуществлено без значительных потерь в интенсивности при размерах...

Номер патента: 1263993

Опубликовано: 15.10.1986

Автор: Михайлов

МПК: G01B 5/30

Метки: варианты, его, напряжений, остаточных, поверхностных, слоях, тела

...способу определения остаточных напряжений, заключающемусяв том, что на поверхности тела закрепляют датчики деформации, выполняют между ними прямолинейный надрез так, что датчики располагаютсявдоль одной оси, перпендикулярнойнадрезу, и симметрично относительнонего, измеряют деформации тела и поним определяют остаточные напряжения, датчики закрепляют на разноудаленных от надреза расстояниях,надрез углубляют напрерывно, одновременно измеряют его глубину и деформации, и учитывают или компенсируют влияние нагрева стенок надрезана показания датчиков.При этом для компенсации влияниянагрева стенок надреза на показаниядатчиков на недеформируемой частитела выполняют второй надрез, подобный первому, закрепляют на поверхности тела рядом с этим...

Номер патента: 1272283

Опубликовано: 23.11.1986

Авторы: Ворвуль, Ковалелис, Матвеев, Росов

МПК: G01R 29/12, G01R 29/24

Метки: движущихся, диэлектрических, заряженных, контраста, периодически, полупроводниковых, слоях, электростатического

...частот, оконечного усилителя 7 и регистрирующего прибора 8.Неподвижные чувствительные элек- ЗО троды 1 располагаются на расстоянии, например, 0,5-2 мм от контролируемой поверхности по направлению перемещения периодического потенциального рельеФа на расстоянии, равном нечет- З 5 ному числу пространственных полупериодов периодического потенциального рельефа.Чувствительные электроды могут иметь любую форму и быть выполнены 40 различным образом, например из Фольгированного стеклотекстолита (фиг.2),Могут быть предусмотрены конструктивные меры, позволяющие плавно либо ступенчато изменять расстояние между 45 чувствительными электродами, Входное сопротивление дифференциального усилителя 4 равно, например, 10-30 МОм,Принцип действия...

Номер патента: 1296914

Опубликовано: 15.03.1987

Авторы: Вернов, Чистохвалов, Шимулис

МПК: G01N 25/02

Метки: адсорбционных, параметров, переходов, слоях, фазовых

...Тираж 777 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5/ 1 гИзобретение относится к физической химии адсорбционных явлений, вчастности к термодинамике переходов,в монослое, и может быть использовано для определения фазового строенияадсорбционных слоев и численного моделирования процессов, протекающихна границах фаз, в адсорбции, моле"кулярной хроматографии и гетерогенном катализе,Цель изобретения - уменьшение трудоемкости и повышение точности определения.Способ осуществляется следующимобразом.В предварительно откачанный довысокого вакуума адсорбционный сосудс адсорбентом вводят порцию исследуемого газа и осуществляют постепенноеизменение температуры Т,...

Номер патента: 1404944

Опубликовано: 23.06.1988

Авторы: Зацепин, Казявина, Кортов, Соболев, Тюков, Щеглова

МПК: G01N 33/38

Метки: ионообменной, механической, напряжений, после, приповерхностных, прочности, слоях, стекла

...ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Заказ 3097/48 Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к областитехнологии стекла, а именно к способам контроля технических параметровстекол и стеклоизделий, и может применяться в промышленности строительных материалов, оптике и приборостроении.Цель изобретения - неразрушающийколичественный контроль.Способ осуществляют следующим образом.Поверхность стеклоизделия, подвергнутого ионообменной обработке,возбуждают пучком электронов с энергией 0,5-1,2 кэВ. Нагревают контролируемое стеклоизделие с постояннойскоростью до 100-130 С и в интервалеэтих температур,...

Номер патента: 1553924

Опубликовано: 30.03.1990

Автор: Прозоровский

МПК: G01R 29/08

Метки: атмосферы, верхних, влажности, радиометр, слоях

...которого равно- мерен в диапазоне частот Г О - ; Г+ 1,В интервале времени, в котором к входу смесителя 3 коммутатором 2 подключен аттенюатор 11, на выходе амплитудного детектора 5 формируется сигнал, постоянная составляющая которого пропорциональна мощности шума, а переменная составляющая зависит от частотной неравномерности волноводного тракта. Этот сигнал также поступа-. ет на вход УНЧ 6.Сигналы, формируемые благодаря приему солнечной радиации и подключению ко входу смесителя источника шума, с выхода УНЧ 6 поступают на синхронный детектор 9, на второй вход которого подается сигнал от генератора 14. Тем самым на выходе синхронного детектора 9 формируется сигнал, пропорциональный разности уровней постоянных составляющих мощностей...

Номер патента: 1638719

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Доктор, Миронова, Ронкина

МПК: A61F 9/00, G09B 23/28

Метки: воспалительных, изменений, моделирования, наружных, пигментном, сетчатки, слоях, сосудистой, эпителии

...при прозрачных оптических срезах, так и при их помутнении, что наиболее важно для клинической практики,Формула изобретения Способ моделирования воспалительных изменений в пигментном эпителии,наружных слоях сетчатки и в сосудистой путем введения в стекловидноетело химических веществ, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с цельюповышения стойкости модели, вводятпростагландин Е в количестве О,ЪЗт ф0,06 мл и концентрации 31 О- 8 хх 10 7 г/мл,. Глуходедк Корректор О.Ципле Заказ 929 Тираж 289 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101 ния кролик был забит с помощью воздушной эмболии, глаз...

Номер патента: 1675783

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Елисеев, Коваль, Толстопят

МПК: G01P 5/00

Метки: визуализации, газового, дисперсного, пористого, потока, слоях

...потоков В засыпке и их взаимодействии обеспечиваетсяпосредством Визуализации фильтрационного течения следующим образом,Дисперсный материал смачивают спиртовым раствором красителя бромтимолового синего с добавками, приведенным сыше.После непродолжительнол сушки подготовленный таким Образом материал загружают в исследуемый аппарат, Затемсжатый воздух подают на вход вентилей би 9 и, управляя ими по расходомерам 7 и 10,устанавливают требуемые величины расходов, Далее воздух по трубкам 5 и 11 подаетсоответственно кислоту и аммиак, с парамикоторых поступает на газозаспределительную решетку 3 и боковое отверстие 8, Затемвоздух с парами поступает в дисперсныйматериал 3, Где при взаимодействии с красителем прорисовываются области 13 и...

Номер патента: 1686406

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Гусев, Мягков, Сперанский

МПК: G03G 17/00

Метки: деформируемых, записи, информации, носитель, слоях

...еторуО прозрачнуО дизлект)ич(зску(О пластину с нанес 8 ннь(ми ня нее посл 8 довательно электропроводящим прозрачным и деформируемым слоями и разм(гщенную с зазором параллельно первой, причем зазор между поверхностьк) деформируемого слоя и поверхностью второ о диэлектрического слоя заполнен жидкость(о с коэффициентом диэлектрической проницаемости е5.На чертеже представлена схема носителя записи информации на деформируемых СЛОЯХ.Носитель содержит прозрачнуа диэлектрическую пластину 1 с нанесенными на нее прозрачным электропроводящим слоем 2, покрытьм деформируемым слоем 3, находящимся с ним в контакте с жидкостью 4, по другой стороне которой находятся твердые диэлектрические слои 5 и б), в которь(х расположены управляюцие электроды 7 и...

Номер патента: 1756775

Опубликовано: 23.08.1992

Автор: Ялов

МПК: G01L 1/00

Метки: конструкций, напряжений, поверхностных, слоях

...датчик к тензометрируемой поверхности, завинчивая винт 6 и следя за тем, чтобы фиксатор основания датчика 45 был прижат к корпусу 1. Прижатие датчика производят до тех пор, пока его основание 2 неупрется "в поверхность конструкции.Дополнительчо прижимают датчик к корпусу боковым винтом, Присоединяют датчик к 50 измерителю статических деформаций, К нему же присоединяют аналогичный компенсационный датчик, который устанавливают в специальной струбцине. На активный датчик устанавливают гидроэкран 17. В корпус 55 9 устройства для подреза вставляют увлажняющиевставки 16 и соединяют его с корпусом 1, Соединяют гибкий вал 15 с электроприводом, Снимают отсчет на шкале измерителя статических деформаций,Включают электропривод и...

Номер патента: 1775753

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Бумай, Вилькоцкий, Доманевский, Нечаев, Шлопак

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, носителей, подвижности, полупроводниковых, профиля, слоях

...проводимости такой системы от напряжения смещения, При измерениях постоянноенапряжение на ртутные электроды подается таким образом, чтобы центральный барь. ер был смещен в обратном направлении. Врезультате этого под ним увеличиваетсятолщина обедненного слоя, а следовательно уменьшается емкость барьера Шоттки ислоевая проводимость области полупроводника подбарьером. Импеданс цепи, образованной кольцевым барьером, смещенным впрямом направлении и областью полупроводника, находящейся между барьерами,практически не зависит от величины подаваемого напряжения. Таким образом, видзависимостей емкости и активной составляющей проводимости от напряжения смещения будет определяться профилямираспределения концентрации и подвижности носителей заряда в...

Номер патента: 1779989

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Венгринович, Вишневский, Золотарев, Князев

МПК: G01N 27/83

Метки: механических, поверхностно-упрочненных, послойного, распределения, свойств, слоях, ферромагнитных, физико

...с нара. стающей амплитудой и регистрируют параметры шума Баркгауэена, определяют зависимость интенсивности Ч спектральной плотности шума от амплитуды поля перемагничивания и восстанавливают численно эпюру распределения контролируемого параметра по глубине в поверхностном слое, дополнительно предварительно определяют зависимость интенсивности Чв шума на частоте его анализа, близкой к предельно высокой в диапазоне существования шума Баркгауэена, от величины о напряжения, частоту 1 п перемагничивания выбирают из условия максимальной чувствительности кЮ контролируемому параметру сг ( -Ь =10 вах) частоту анализа при контроле выбирают такую, чтобы на глубине Ео съема информации ослабление шума было л в. е раэ больше глубины упрочненного слоя,...

Номер патента: 1436609

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Меркулова

МПК: G01B 5/30

Метки: металлических, напряжений, остаточных, поверхностных, слоях

...полученной кривой для определения ос- Ы таточных напряжений по скорректирован-, ным результатам измерения деформации.На чертеже представлена временная диаграмма измерения деформации при реализации способа на стальном образце, уп рочненном микрошариками. Способ осуществляют следующим образом,Исследуемую металлическую деталь помещают в электролизную ванну с травильным раствором и погруженным в раствор катодом. К детали и катоду по соответствующим шинам подводят напряжение от исФ о р мула. и за бр ете н и яСПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОСТАТОЧНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ В ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЯХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ДТАЛЕЙ, за ключающийся в том, что исследуемую деталь помещают в электролизную ванну с травильным раствором и катодом, к детали и катоду подводят напряжение от...

Номер патента: 1610704

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Архипенко, Большаков, Никитин

МПК: B23K 26/00

Метки: отверстий, печатных, плат, прошивки, слоях

1. Способ прошивки отверстий преимущественно малого диаметра в слоях печатных плат, заключающийся в том, что обработку производят управляемым по частоте импульсным излучением лазера в процессе перемещения с регулируемой скоростью обрабатываемой платы, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и производительности обработки, фокальное пятно сфокусированного лазерного излучения поддерживают неподвижно или перемещают относительно движущейся обрабатываемой платы со скоростью, меньшей скорости движения самой платы.2. Устройство для прошивки отверстий преимущественно малого диаметра в слоях печатных плат, содержащее лазер, импульсный модулятор излучения лазера, координатный стол с приводами, затвор оптического канала, детектор...

Номер патента: 1450592

Опубликовано: 10.05.1997

Авторы: Макаров, Погодин, Румянцев

МПК: G01N 27/90

Метки: металла, напряжений, остаточных, поверхностно, слоях, упрочненных

Устройство контроля остаточных напряжений в поверхностно-упрочненных слоях металла, содержащее генератор гармонического тока, вихретоковый преобразователь, анализатор и индикатор, соединенный с выходом анализатора, отличающееся тем, что, с целью повышения достоверности контроля остаточных напряжений в поверхностно-упрочненных слоях немагнитных металлов, анализатор выполнен в виде генератора тактовых импульсов, трех управляемых коммутаторов, двух блоков памяти, счетнорешающего блока, выход которого является выходом анализатора, а входы соединены с каждым из блоков памяти, которые подключены входами к выходам второго и третьего коммутаторов соответственно, измерителя разности фаз, соединенного сигнальным входом с выходом вихретокового...

Номер патента: 447993

Опубликовано: 10.09.1998

Авторы: Ермолаев, Музалевский, Новоселов, Щербатюк

МПК: A01K 73/02

Метки: воды, других, лова, объектов, поверхностных, рыбы, слоях

1. Устройство для лова рыбы и других объектов в поверхностных слоях воды промысловыми судами, состоящее из трала, приспособления для передачи улова на промысловое судно и двух распорных балок, шарнирно укрепленных в носовой части судна и соединенных по концам ограничительным тросом, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения эффективности лова, нижняя подбора трала прикреплена к ограничительному тросу, боковые - к распорным балкам, а верхняя подбора укреплена под корпусом судна.2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что трал имеет в плане W-образную форму.3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что нижняя часть каждой распорной балки снабжена пластиной для дополнительного раскрытия устья трала.

Номер патента: 1598776

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Бобылев, Марчишин, Овсюк, Усик

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, изолирующей, носителей, подвижности, подложке, слоях, эпитаксиальных

Способ определения подвижности носителей заряда в эпитаксиальных слоях на изолирующей подложке, заключающийся в создании поверхностного барьерного контакта к эпитаксиальному слою, приложении к структуре высокочастотного тестирующего напряжения и напряжения постоянного смещения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности измерения подвижности у границы раздела подложка - пленка, к структуре дополнительно прикладывают низкочастотное модулирующее напряжение и измеряют зависимость сигнала производной емкости по напряжению от напряжения смещения, находят отношение сигнала в максимуме измеренной зависимости к сигналу при нулевом смещении, после чего по величине этого отношения по...

Номер патента: 704338

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: G01N 21/21

Метки: вырожденных, параметров, полупроводников, приповерхностных, слоях, электронов

Способ определения параметров электронов в приповерхностных слоях вырожденных полупроводников, включающий освещение исследуемого образца и эталона - невырожденного полупроводника - монохроматическим поляризованным светом, измерение эллипсометрических параметров образца л и эьалона o на крае полосы собственного поглощения, определение длины волны света m, соответствующей минимальному значению эллипсометрического параметра

Номер патента: 1627007

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Сеник, Ситников

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузионной, длины, заряда, легированных, неравновесных, носителей, однородно, полупроводниковых, приповерхностных, слоях, структур

1. Способ определения диффузионной длины неравновесных носителей заряда в приповерхностных однородно легированных слоях полупроводниковых структур с p-n-переходом, включающий формирование малоуглового линейного скоса структуры со стороны исследуемого слоя, измерение наведенного тока, протекающего во внешней цепи структуры при зондировании ее на фиксированную глубину постоянным по току лучом растрового электронного микроскопа в точках скоса с различающейся глубиной залегания p-n-перехода, и расчет диффузионной длины из уравнения, связывающего величину наведенного тока с глубиной залегания p-n-перехода, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, на поверхность скоса...