Бербеницкая

Номер патента: 1726450

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Бербеницкая, Васильев, Головлев, Громова, Певзнер, Связкина

МПК: C04B 35/10, C04B 35/60

Метки: пластин, режущих

...- 180) при режимах точения: скорость300 м/мин, глубина 0,5 мм, подача 0,15мм/об,П р и м е р 2. Расплавлению в дуговой 25электропечи подвергают исходную шихтутого же состава. Температура подложкикристаллизатора в этом случае 300 С, Толщина слоя 10 мм. Полученный материал характеризуется твердостью НВА 93,0 и 30износостойкостью по задней грани 160 (0,4мм/мин),П р и м е р 3. Процесс кристаллизацииосуществляется при температуре подложкикристаллизатора 500 С, толщина слоя 0,5 35мм. Твердость НЯА 93,8, износостойкостьпо задней грани 165.П р и м е р 4. Осуществление процессакристаллизации расплава при 600 С почтине влияет на толщину слоя (0,4 мм по сравнению с 0,5 мм предыдущего примера), однако несколько снижает твердость (НВА93,2), и...