Патенты с меткой «основании»

Номер патента: 1497340

Опубликовано: 30.07.1989

Автор: Котов

МПК: E02B 1/00, E02B 3/06

Метки: набережной, основании, причальной, реконструкции, слабом

...грунта черезфильтр 20 и вакуумный шланг 22 начинают погружение в грунт рабочегооргана 15 с одновременным его вращением с помощью вращателя 16. Послерасчетного заглубления рабочего органа 15, не прекращая его вращенияначинают закачивание в грунт закрепляющего (например, цементного);раствора растворонасосом 5 через напорный трубопровод 18, вертлюг 17, полую штангу 14 и рабочий орган 15.Грунтоцементная свая 24 формируетсяв грунте при постепенном выглублениирабочего органа 15 с одновременнымего вращением, При плохо вмешивакщих 1ся с закрепляющим раствором грунтахпроизводят дополнительные погружения,рабочего органа 15 беэ подачи в грунтзакрепляющего раствора.Вакуумирование грунта через фильтр20 обеспечивает уплотнение формуемой5 14973...

Номер патента: 1514860

Опубликовано: 15.10.1989

Автор: Ерахтин

МПК: E02B 1/00, E02B 7/06

Метки: аллювием, возведения, грунтовой, основании, плотины, покрытом, скальном

...свободной для пропуска расходов реки. 1 ил,рекрытия русла реки. Разработку подводных аллювиальных отложений осуществляют одновременно со строительством временных водопропускных сооружений поочередно с каждого из берегов с оставлением около половины русла реки свободным для пропуска ее расходов. На расчищенное от основ ной массы аллювиальных отложений скальное основание с оставшимися местами небольшими (расположенными поперек потока) грядами аллювия 4 на мывают слой 5, песчанистого грунта (выше уровня воды 6) и через него за бивают до .скалы шпунт 7, который может быть меньше высоты плотины. Гарантированно забитый до скалы шпунт образует надежную противофильтрацион ную диафрагму и препятствует диффу зионным явлениям в основании...

Номер патента: 1539261

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Бабенко, Заболотный, Коса, Яструбенецкий

МПК: E02D 27/01

Метки: естественном, основании, фундамент

...2. Между обращенной к грунту поверхностью плиты и грунтом основания выполнены штрабы 3. В штрабах .3 размещены вкладыши 4 из материала, модуль которого меньше модуля деформации грунта основания, причем отношение суммарной ширины штраб к полной ширине фундамента выполнено в пределах 0,5-0,7. Сжатие материала вкладышей 4 при давлении, равном расчетному сопротивлению основания,не превышает величины, определяемой по фор- муле(54) ФУНДАМЕНТ НА ЕСТЕСТВЕННОМ ОСНОВАНИИ(57) Изобретение относится к строительству. Цель изобретения - повышение несущей способности основания достигается за счет выполнения в обращенной к грунту поверхности плиты штраб и заполнения их вкладышами, Отношение суммарной ширины штраб к общей ширине фундамента находится в...

Номер патента: 1548319

Опубликовано: 07.03.1990

Автор: Котов

МПК: E02B 1/00, E02B 3/06

Метки: набережной, основании, причальной, реконструкции, слабом

...7 вдоль всего участка реконструируемой набережной, при этом контролируют напряженно"деформированное состояние элементов набережной геодезической и тензометрической аппаратурой. Для достижения наибольшего эффекта разгрузки элементов конструкции набереж ной - лицевой стенки 1, анкерных тяг 2, анкерных плит 3, взаимодействуюпдх с песчаной засыпкой 4, силовое воздействие на набережную производят при различных высотных положениях буфера 8, в том числе соответствующих сечению с наибольшим пролетным изгибающим моментом в лицевой стенке(на Фиг. 1 различные положения буфера 8 показаны пунктиром). С этой целью работы выполняют при. низкихуровнях воды в акватории.После завершения силового воздействия на йабережную производят углубление акватории...

Номер патента: 1564240

Опубликовано: 15.05.1990

Авторы: Бобров, Бондарева, Габутдинов, Еремин, Жиганов, Зеленцова, Коптев, Лапухин, Малышева, Мутовина, Просолова, Самсонов, Фафанов

МПК: D21C 3/12

Метки: бисульфитного, варочного, натриевом, основании, приготовления, раствора

...г/л: карбонат натрия 100; гидроксид натрия 50; сульфид натрия 0,05, эфирорастворимые вещества 0,1, - разбавляют водой до содержания карбоната натрия 40 г/л, насыщают сернистым газом до получения варочного раствора, содержащего 3,27, всего БО, 1,57 связанного БО и имеющего рН 2,5.Варку целлюлозы ведут в батарейном шестистаканном лабораторном авто- клаве с электрическим обогревом. В качестве сырья используют 150 г абс. суХой древесины ели, гидромодуль варки 5,0, температура. варки 155 С. подъем температуры до максимальной 3,0 ч, стоянка при максимальной температуре 3,0 ч.П р и м е р 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1 с той лишь55 разницей, что жидкий отход щелочной очистки этиленового производства содержит, г/л: карбонат...

Номер патента: 1567734

Опубликовано: 30.05.1990

Авторы: Гусева, Юрданов

МПК: E02D 3/11

Метки: грунта, основании, термического, укрепления

...до 30 40 С достаточно для нарушения электромагнитной связи физически связанной влаги с минеральным скелетом грунта и она вместе со свободной влагой может перемещаться по порам грунта,ири этом до минимума сокращает расход тепла, а подвижность влаги сокрашает длительность ее миграции под действи - ем вакуума, Нагревание грунта при цезагерметизированных вспомогательных скважинах увеличивает скорость тепло- обмена,Поваренная соль используется как наиболее дешевый агент, быстро растворяющийся в воде, особенно подогретой до 30 - 40 С. Пиаметр основной скважины, определенный по эасивимос-. ти (1), достаточен для размещения в ней потребного количества соли. Давление, создаваемое в основной скважи Температура горячих газов в основной скважине...

Номер патента: 1573080

Опубликовано: 23.06.1990

Автор: Свашенко

МПК: E02B 7/06

Метки: возведения, грунтовой, илистом, основании, плотины, слабом

...101Изобретение относится к гидротехническому строительству и может быть использовано при возведении грунтовых плотин на илистом основании с низкими несущими свойствами.Цель изобретения - сокращение объема ра бот и снижение стои мости подготовки основания плотины при одновременном повышении ее эксплуатационной надежности за счет обеспечения устойчивости откосов и основания.На чертеже показана расположенная на слабых илистых грунтах плотина, поперечный разрез.Плотину 1, расположенную на слабых илистых грунтах, возводят путем отсыпки первичной насыпи 2 на пластовый дренаж 3, При этом вынимают участки илистых грунтов 4 в основании верхового 5 и низового 6 откосов плотины, ограниченные наиболее опасными поверхностями скольжения 7.Способ...

Номер патента: 1578443

Опубликовано: 15.07.1990

Автор: Сидорчик

МПК: G01B 5/00

Метки: базирования, основании

...наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина, 01 Изобретение относится к измерительной технике, а именно к автоматике для базирования цилиндрических деталей типа втулок, роликов, пальцев пр и др. при контроле.Цель изобретения - повышение точности базирования деталей.На фиг. 1 представлена схема устройся; ва; на фиг. 2 - разрез А - А на фиг. 1 в.Устройство для базирования деталей на основание содержит устанавливаемые на основание в подшипниковых опорах и параллельно расположенные цилиндрические валики 1 и 2. На концах цилиндрической поверхности каждого валика имеются базовые пояски 3. Каждый из поясков выполнен в виде одного витка прямоугольной или трапецеидальной резьбы. Привод 4 предназначен для...

Номер патента: 1581801

Опубликовано: 30.07.1990

Авторы: Лейтланд, Носков, Тупицын

МПК: E01C 3/06

Метки: дорог, земляное, основании, полотно, слабом

...2 укладывают гибкую прослойку из геотекстиля 4, оставляя выпуски по обе стороны от подошвы возводимой насыпи из расчета образования обоймы из геотекстиля и грунта дополнительного слоя в основании насыпи. Затем на прослойку отсыпают слой 5 толщиной 0,3 - 0,5 м, включая заполнение прорезей недренирующим грунтом, заводят выпуски из геотекстиля на верх отсыпанного слоя и концы полотен скрепляют на верху слоя. На полученное гибкое основание 5 отсыпают на проектную высоту насыпь 6 из минерального грунта,Под действием насыпи 6 и подвижной нагрузки за счет обжатия слабого основания происходит единовременная осадка насыпи и натяжение прослойки 4. Так как слабое водо- насыщенное основание 7 под насыпью 6 заключено в водонепроницаемую обойму,...

Номер патента: 1602910

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Гуторов, Иванова, Ковалев, Коростелева, Новиков, Осипов, Пискунов, Саухин, Сивкин, Сушко

МПК: D21C 11/02

Метки: бражки, варки, натриевом, натрия, основании, последрожжевой, регенерации, серы, сульфитного, сульфитной, целлюлозы, щелока

...раствором содопродуктов. Иэ скруббера раствор,содержащий соцопродукты и серу,направляют в сборник и далее на приготовление сырой варочной кислоты. Потери при пиролизе в муфельной печи ив печи для сжигания составляют 17, и обусловлены ведением процесса в,промышленных условиях. После обработкиЛСТ получают раствор для приготовления сырой варочной кислоты, который,с учетом вышеперечисленных потерь,содержит 94 кг содопродуктов и 84 кгсеры,Процент регенерации по содопродуктам и сере составляет соответственно977. и 96,57.Аналогично проводят регенерациюнатрия и серы из последрожжевой бражки сульфитного производства целлюлозы на натриевом основании, отличающейся от сульфитного щелока лишь отсутствием сахаров. Данные по степени160 1,0 1,0...

Номер патента: 1608299

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Ещенко, Шадунц

МПК: E02D 17/20

Метки: земляного, основании, слабом, сооружения, строительства

...у краев к дамбам азования, а в середишему массиву. Затем ют грунт. В следую- повторяются. 1 з. и.Толщина намываемого слоя и расстояние между крепежными элементами зависят, в основном, от особенностей возводимого сооружения, вида и характеристик материала наполнителя и определяются вкаждом конкретном случае путем проведения пробных намывов.В общем случае слои из композитной смеси могут перемещаться слоями из на мывного или насыпного грунта без легкогонаполнителя, а расстояние между армирую-щими сетками - быть больше толщинынамываемого слоя, после завершения намыва очередного слоя армирующие сетки нужно , снять, а в следующем слое повторить все вышеописанные операции,В общем случае максимальный размер гранул легкого наполнителя может...

Номер патента: 1613522

Опубликовано: 15.12.1990

Автор: Котов

МПК: E02B 3/06

Метки: набережной, основании, причальной, реконструкции, слабом

...наконечника 14 кожуха 11 с плитой 15 имеют электроизолирующее покрытие,Устройство работает следующим образом,5 После расчетного углубления акватории(фиг.1) устройство монтируют на крановыхпутях реконструируемой набережной. Мачту 9 приводят в положение, соответствую-,щее оси грунтоцементной сваи, ближайшей10 к лицевой стенка 28, Плиту 15 опускают надно акватории и механизмом 13 перемеще. ния кожуха 11 обеспечивают плотный контакт плиты 15 с дном акватории. Начинаютпервичное погружение рабочего органа 23 -15 вращением с одновременной осевой подачей с помощью вращателя 24,Во время первичного погружения рабочего органа 23 в грунт подают электролит(хлористый кальций), хлористый барий или20 другие с помощью насоса 6, для чего...

Номер патента: 1625936

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Зальцман, Похабов, Ягин

МПК: E02B 8/06

Метки: водосброс, основании, открытый, скальном

...1 удс)(3 303 (,рл (01 ГГ)от э(3(а(3(с)( (ТТ 3 с. (3 ГГ)к (33 и 1 = 20 Гэ, Г Яе 13( )к в.со (,(э 0)во( се(ки пад церер0,3 ВОД.Сдд уЧЭС(ка уетдоас цр,(д) (;й С ГЕНЯ., (11 И (3330 ХГЭЭКДЕН(3 И 3(ЭТОКс) Г 0 РОДОСК с ГУ Зс ВИХ 3 ЕГ(Г) 1 Д Збс Та(ЗЯ( (3 Н (13;С СЛОЕ (30К))ЭЗ1.ЭОт (3 3" (3(3)1)3)) (.блицованного участка 3 назначают иэа ,/1 2 3 ЮОнуолсусловия у твия устойчивости облицовки вместе(20 а,вихреобразователем при работе водосбро - высота боковой стенки над поверГДЕ 1 бо - ВЫчастке становки са,хностью водоската на участке уст5 Формула изобретениякальном осно- Открытый водосброс на скальном осноОткрытый водосброс на скальном осноб азом. вании, вклключающий порог, водоскат с бевании работает следующим о рй облицовкой, боковые стенки...

Номер патента: 1627926

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Грицай, Кузнецов

МПК: G01N 15/08

Метки: диэлектрических, основании, пленок, площади, пористости, проводящем, распределения

...электролиза, когда замкнконтакты 8 и 9,и после, когдаты контакты 8 и 10. Источник 7ния создает необходимое напряждля проведения электролиза. Ионошению этих емкостей судят оделении пористости по площадиролируемой пленкиПри проведении электролиза происходит выделение газа из пор контролируемой диэлектрической пленки, который вытесняет электролит, находящийся между контролируемой и беспористой диэлектрическими пленками, врезультате чего уменьшается площадьпленки электролита между ними, а следовательио,и емкости конденсаторов,образованных металлическими электродами, покрытыми беспористой диэлектрической пленкой и слоем электролитамежду контролируемой и беспористойдиэлектрическими пленками, Таким образом, существует прямая связь...

Номер патента: 1631130

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Калдъярв, Коллист, Мяги

МПК: E02D 17/18

Метки: возведения, насыпи, основании, слабом

...протекания осадок талой насыпи менее 1,5 см в месяц снимается покрытие (сборное из ж/б плит) и производится уплотнение насыпи, после чего дается насыпи окончательный поперечный профиль, строится дорожная одежда и вводится окончательно в эксплуатацию (довод, вторая стадия). Максимальные эксплуатационные нагрузки, которые образуются в средней части насыпи, принимаются оболочкой 1 и передаются на уплотненные части основания 2 и частично на 10 среднюю часть основания 6 в функции отпрочности уплотненных частей основания 2 и 6. Максимальное предельно напряженное состояние грунта образуется в уплотненных частях основания 2, а при болоте третьего 1 типа происходит выдавливание слабого основания под боковые части 3 насыпи (при известных способах...

Номер патента: 1634988

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Королева, Мачевская, Овчаренко, Ступин, Уткина, Федорова

МПК: G01B 7/06

Метки: емкостный, основании, покрытий, проводящем, толщины

...определяют толщину покрытия по формуле приведенной в описании. Способ обладает высокой чувствительностью и воспроизводимостью результатов, а также позволяет измерять толщину покрытия с высокой точностью (погрешность 5 ь),Емкость между элсктродом измерительного устройства, выполненным иэ амальгамы и подложкой зависит от толщины контролируемого покрытия. Измерения емкости производят импедансометром или мостом переменного тока в диапазоне частот 10 - 100 кГц,Плохопроводящие покрытия, например хроматные, имеют двуслойную структуру (слой Я и слой), причем слои различаются своими злектрофизическими характеристиками, Слой 5 имеет характеристики, не зависящие от частоты, и является оксидным подслоем, Характеристики слоя К частотно- зависимы и...

Номер патента: 1643668

Опубликовано: 23.04.1991

Автор: Афанасьев

МПК: E02D 27/36

Метки: насыпи, несущей, основании, повышения, слабом, способности

...элементы каждой сваи выполнены в виде набора винтовых лопастей, а консольные наголовники - в виде коро-мысла, установленного с возможностью вращения вокруг оси сваи. Консольные наголовники соседних свай. обращенные друг к другу, соединены между собой, При использовании в устройстве винтовой сваи од- ф на из винтовых лопастей закреплена на уровне подршвы насыпи. 3 з. п, ф-лы, 2 ил. ла, установленного с возможностью вращения вокруг оси сваи,При этом консольные наголовники соседних свай, обращенные друг к другу, соединены между собой, При использовании в устройстве винтовой сваи одна из винтовых лопастей закреплена на уровне подошвы насыпи,.Технология возведения включает погружение свай, установку налоловников, ввинчивание винтовых...

Номер патента: 1645378

Опубликовано: 30.04.1991

Автор: Яромко

МПК: E02D 17/20

Метки: возведения, грунтовом, насыпи, основании, слабом

...толщины и отсыпают временную пригрузку. После достижения основанием осадки, равной величине Я ( ф )фак, осуществляют перемещение пригрузки на соседний участок. 5 ( т, ) . Далее через определенные интервалы времени, например Г 1 и г 2, измеряют осадки основания 5(т 1 ) и 5(г 2). На основе полученных данных определяют фактическую конечную осадку основания по форму- ле Я ( со )ф = 5 ( т, ) + Т 2 Т 1а5 ТЕ 2 ) 5 ТРТ где 5 ( 0)факт - фактическая конечная осадка основания;5 (т 1 ) и Я(т 2) - осадки основания в мОмвнты врЕмЕни ц и Г 2;1645378 фак -(о ) + туЬ,причем временную пригрузку отсыпа сле отсыпки насыпи до проектной тол а перемещение указанной пригруэки седний участок осуществляют после жения основанием осадки, равной ве...

Номер патента: 1645380

Опубликовано: 30.04.1991

Авторы: Долинский, Зайончковский, Парфенов, Путилин

МПК: E02D 27/12, E02D 27/34

Метки: возводимого, деформируемом, здания, основании, сооружения, фундамент

...для обеспечения беспрепятственной осадки плитй 1 силовые гайки 7 устанавливают в крайнее верхнее положение на концах анкерных болтов 6.Это обеспечивает при осадке сооружения свободное вертикальное перемещение горизонтальной балки 9 вдоль анкерных болтов 6 до крайнего верхнего положения 11 ( показано на фиг.З пунктиром).10 15 30 35 40 45 50 55 20 25 Если в пределах величины осадки Я требуется приостановить вертикальное свободное смещение сооружения вниз (осадку), опорные гайки 7 устанавливают на уровне верхнего обреза балки 9, находящейся на промежуточном уровне ( по высоте смещения Я) и лежащей на промежуточйом опорном элементе 10, который, в свою очередь,опирается на торец 8 тормозного элемента 2. Таким образом, реакция...

Номер патента: 1656047

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Захарова, Корчевский, Котлярова, Покровский

МПК: E02B 7/06

Метки: взрывами, водопроницаемом, возведения, горных, направленными, основании, плотины, пород, скальных

...- начальная поровэя скорость фильтрационного потока в теле плотины, м/сут;ар- средняя гидравлическая крупность фракций мелкозернистого грунта, образующего суспензию, м/сут.Зная величину фильтоационного расхода воды через тело плотины нэ отметкеНЛГ и оЬъемной концентрации суспензии,количество мелкозернистого грунта, подаваемого в пульпопроводы в единицу времени, определяют по формуле6=0 д р- (2)где Оф - фильтрационный расход воды через тело плотины при отметке воды в водохранилище, равной НПГ, м /с;з/я - плотность частиц мелкозернистогогрунта, т/мз;д- объемная концентрация суспензиимелкозернистого грунта, поступающей в тело плотины,По достижении необходимой степени снижения водопроницаемости плотины и намыва экрана 7 с помощью...

Номер патента: 1659826

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Лещенко, Мишева, Шеремет

МПК: G01N 27/24

Метки: диэлектрических, металлическом, основании, оценки, пленок, пор, размерам, распределения, толстых

...данной вязкости.Процедуру измерения начинают с заполнения ячейки электролитом максимальной вязкости. Далее последовательно измеряют емкость, заполняя ячейку электролитом меньшей вязкости. Таким образом получают зависимость с = 1 (ф где ю - вяз 1659826кость электролита. Ячейку заполняли электролитом на основе глицерина, последовательно уменьшая его вязкостьпутемразбаВления ВОДОЙ От Рмас = 6,05 10 Пас до ммин= 1 005 10 Па с. Зависимость 5-3С = 1(ю) можно перестроить в зависимостьчисла пор определенного диаметра, заполняемых электролитом выбранной вязкости, й = 1(О), учитывая удельную емкость двойного электрического слоя С, = 0,2 Ф/м . 102Указанное преобразование выполняетсячерез ряд функциональных зависимостей:ЛС 1 = ( и), М = 1( Р ), б...

Номер патента: 1677138

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Гольдштейн, Иргашев, Лаптев, Сергеев

МПК: E01B 9/30

Метки: железобетонном, основании, пути, рельсовое, скрепление, упругое

...7 и электроизолятором 8, Конус 1 сопряжен по высоте с двухступенчатой головкой, верхняя ступень которой поджата к верхней грани подошвы рельса 9, а нижняя - к ее боковой грани. С другой стороны конус 1 оперт на специальный бурт 10 подрельсовой прокладки. Петля упругого стержня 2 охватывает резьбовой крепежный элемент 6 ификсирует его. Свободные концы стержня 2 выполненц с Г-образными отгибами 11, размещенными в пазах 12, которые выполнены на боковых поверхностях шпалы 5.Рельсовое скрепление устанавливается при сборке рельсо-шпальной решетки сле, дующим образом.Конус 1 через отверстие в упругой про кладке вводится в гнездо 4 шпалы 5, накрывая сверху подошву рельса 9, после чего через головку предварительно завинченного до упора...

Номер патента: 1677167

Опубликовано: 15.09.1991

Автор: Кузнецов

МПК: E02B 7/06

Метки: льдонасыщенном, накопителя, основании, противофильтрационный, экран

...ля содержит пленочное полотнище 1, уло,женное с образованием компенсаторов 2 на грунт основания 3 и в траншеи 4. На дно и откосы траншей и на поверхность основа,ния между траншеями отсыпан подстилаю.щий слой 5 из сухого сыпучего материала.,При этом в качестве сыпучего материала ,применяют песок или твердые отходы, например хвосты или золу. Полотнище экрана в траншеях и на участках между ними защищено защитным слоем 6 из такого же сыпучего материала, который применен для устройства подстилающего слоя. Первый компенсатор выполнен непосредственно у подошвы верхового откоса ограждающей дамбы 7, на который выведено пленочное полотнище 1. Остальные компенсаторы размещены на экранируемой площади ложа накопителя в соответствии со льдистостью и ,...

Номер патента: 1682913

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Курчавова, Потапов

МПК: G01N 29/04

Метки: дефектоскопии, жестком, конструкции, многослойным, основании, покрытием, соединений

...до завершения технологическогоцикла производства конструкции, В началепроводят измерения, т.е. ввод и прием импульсов упругих колебаний, отдельно вплитке внешнего слоя, слое-подложке и пластине основания, Измеряют соответственно время распространения в них импульсаУпРУгих колебаний Ь, тп,д и тоен. Затем согласно технологии осуществляют склеивание внешнего слоя со слоем-подложкой ипроводят измерения в них, т,е. ввод и приемимпульсов упругих колебаний. Измеряютвремя т распространения импульса упругих)колебаний и определяют скорость с 1 распространения упругих волн, в клеевом соединении внешний слой - слой-подложка поформуле с) =1/(свн.тпод), где - база изме)рений, Также согласно технологии осуществляют склеивание слоя-подложки соснованием,...

Номер патента: 1687338

Опубликовано: 30.10.1991

Автор: Ермаков

МПК: B21D 43/00

Метки: автомат, гаек, магнитных, основании, пускателей, развальцовки

...момент они переворачиваются и выпадают в две трубчатые направляющие 11, где перемещаются под собственным весом, По трубчатым направляющим гайки попадают на ориентирующие штыри 15.Переворот гаек с поворотной направляющей 8 осуществляется с помощью пневмоцилиндра 10 через зубчатую реечную передачу 9. Последние три указанных элемента выполнят функции дозатора гаек. После возврата поворотной направляющей в исходное положение в нее поступают следующие две гайки, которые доходят до упора под воздействием гаек, находящихся на вибронаправляющей 7,Средство для улавливания обеспечивает точную установку в отверстия основания двух гаек и их раэвальцовку,После подачи основания в зону развальцовки штыри 15, на которых находятся гайки, под...

Номер патента: 1691441

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Замуховский, Клинов, Кузюбердин

МПК: E01B 2/00

Метки: бетонном, закрепления, основании, подрельсовых, пути, элементов

...длины из отвердевшего тер- а мопластичного материала. При этом наружные размеры (толщина или диаметр) этих брусков должны быть меньше, чем внутренние размеры указанных каналов; в качестве термопластичного материала может быть использована, например, битумно-резиновая мастика "МБР" или полимербитумная мастика "БИТЭП", представляющаясплав битума и термоэлэстопласта; разогревают термопластичную мастику беспламенным способом (во избежание ее возгорания), например, с помощью индукционных токов или трубчатых электронагревателей.При этом важно обеспечить необходимый температурный режим нарева мастики до 120-150 С. Нижняя граница (120 С) указанного температурного интервала обосновывается необходимостью разжижения мастики, имеющей...

Номер патента: 1701796

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Кондратьева, Кузнецов

МПК: E02B 7/06

Метки: дамба, мерзлом, накопителя, ограждающая, основании

...дальнейшее оттаивание. 1 з,п, ф-лы, 1 ил. теплозащитную призму 2 из некондиционных грунтов. На поверхность призмы 2 в процесса ее оттаивания и осадки наносят компенсационный слой 3. К моменту достижения предельно допустимого положения границы 4 оттаивания между теплозащитной призмой 2 и отстойным прудом 5 в накопителе формируется намывная призма б из твердых отходов, предотвращающая дальнейшее оттаивание дамбы и ее основаСооружение возводят и эксплуатируюследуюшим образом. На подготовленное известными спасбами основание отсь 1 пают по известны1701796 Г Составитель В, БайдаковРедактор Л, Веселовская Техред М.Моргентал Корректор Н, Ревская Заказ 4515 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ...

Номер патента: 1717681

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Амеличев, Воронов, Конюхов, Свиридов

МПК: E01B 9/28

Метки: железобетонном, основании, пути, рельсовое, скрепление

...выполнен продольный паз 14, ширина которого равна или больше ширины отверстия 13, а глубина не превышает 0,7 минимальной толщины шайбы 9,В каждой шпале имеется четыре попарно расположенных отверстия для крепежных болтов. Расстояния между отверстиями для каждой пары болтов должны строго соответствовать расстояниям между отверстиями в металлической подкладке 2 и резиновой прокладке 5.Предложенное крепление рельса к железобетонной шпале по сравнению с известными позволяет увеличить расчетныйсрок его службы с 10 до 12 лет, Это достигается за счет местного увеличения толщины закладной шайбы 9, что увеличивает рабочее сечение шайбы под головкой 8 болта 7, где шайба подвергается наиболее интенсивному износу под действием трения и...

Номер патента: 1721163

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Морозов, Покушалов, Рябцев

МПК: E01B 9/28

Метки: железобетонном, основании, пути, рельсовое, скрепление

...и продольные болты 9 надеты упругие вкладыши 12, вы перемещения шайбы 11 и компенсировать полненные П-обраэными и имеют в верхней крутящий момент при затяжке гайкой 10. части приливы 13, Верхняя плоскость шай- При закручивании гайки 10 происходит дебы 11 имеет радиальные, например, полу- формация вкладыша 12, которая предотвракруглого профиля, дополнительные щает заклинивание дополнительных выступы 14, расположенные симметрично 30 выступов 14 плоскопружинной шайбы 11 в оси отверстия. Соответственно, в нижней выемках 15 гайки 10, При таком исполнении плоскости гайки 10 по профилю выступов 14 верхней части узла крепления в шайбе 11 и выполнены выемки 15, Нижняя часть вкла- вкладыше 12 возникают упругие силы, взадыша 12...

Номер патента: 1721190

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Дорман, Коган, Чуриков

МПК: E02F 5/18

Метки: насыпей, основании, сооружения, тоннелей

...основания насыпи 1 производят геодезическую разбивку котлованов для устройства входной 2 и выходной 3 рабочих камер. С двух сторон насыпи 1 на уровне торцовых(лобовых) стенок рабочих камер 2 и 3 производят забивку шпунтовых элементов 4 ограждения (свай, балок и т.п,). Перед началом. разработки грунта в камерах через балластную призму 5 под верхним строением пути пропускают гибкие тяжи 7, например, в виде металлических тросов с эластичной герметизирующей оболочкой, которые попарно соединяют верхние концы шпунтовых элементов 4 ограждения, расположенных с противоположных сторон насыпи.Далее производят разработку грунта в камерах 2 и 3; По мере удаления грунта и углубления камер усилия, возникающие в гибких тяжах 7, приводят их к растяжению...