Противофильтрационный экран накопителя на льдонасыщенном основании

Номер патента: 1677167

Автор: Кузнецов

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК И 9) (111 677 51)5 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР К А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(71) Сибирский филиал Всесоюзного научноисследовательскогоо и нститута гидротехни ки им. Б. Е. Веденеева(54) ПРОТИВОФИЛЬТРАЦИОННЫЙ ЭКРАН НАКОГИТЕЛЯ НА ЛЬ:(ОНАСЫЩЕННОМ ОСНОВАНИИ(57) Изобретение относится к гидротехническому строительству. Цель изобретения - повышение эксплуатационнои наджцотц ппо. тивофильтрационного экрана пугем цовыиния его компенсаторной способности при тр мопросадочных деформациях оттаиваюцгц грунтов. Противофильтрациоццый экран включает подстилаюгций слой 5, за 1 ццгцый слой 6 и пленочное полотнище 1. В основании накопителя выполнены траншеи 4 глубиной, равной толщине поверхностного лоя льдоцасыщенных Гр)нтов. На дцо ц откоь траншей 4 и на поверхность основания мжду ними отыпан подстилающий слой 5 ц., сыпучего материала. На него уложено пл. ночное полотнище 3 с образованием компецсаторов 2, заглубленных в траншеи 4, пространство цад которыми заполнено сыпучим материалом занитного слоя 6. 1 з. п. ф-лы, 2 ил.1677167 формула изобретения Составитель В. Байдаков Техред Л. Кра внук Тираж Корректор Н. РевскаяПодписное Редактор Н. ШитевЗаказ 3089 ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж 35, Рву гп ская наб., д. 4/5 Производственно. издательский комбинат Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина, 1 О 1Изобретение относится к гидротехническому строительству, в частности к конструкциям противофильтрационных экранов накопителей твердых отходов, преимущественно шламохранилищ и золоотвалов на льдонасыщенных мерзлых основаниях.Цель изобретения - повышение эксплуа,тационной надежности против 1 фильтрационного экрана путем повышения его компенсаторной способности при термопросадочных деформациях оттаивающих грунтов.10На фиг, 1 изображен экран, выведенного на верховой откос дамбы, начальное состояние; на фиг, 2 - то же, после оттаивания и осадки льдонасыщенного основания.Противофильтрационный экран накопите ля содержит пленочное полотнище 1, уло,женное с образованием компенсаторов 2 на грунт основания 3 и в траншеи 4. На дно и откосы траншей и на поверхность основа,ния между траншеями отсыпан подстилаю.щий слой 5 из сухого сыпучего материала.,При этом в качестве сыпучего материала ,применяют песок или твердые отходы, например хвосты или золу. Полотнище экрана в траншеях и на участках между ними защищено защитным слоем 6 из такого же сыпучего материала, который применен для устройства подстилающего слоя. Первый компенсатор выполнен непосредственно у подошвы верхового откоса ограждающей дамбы 7, на который выведено пленочное полотнище 1. Остальные компенсаторы размещены на экранируемой площади ложа накопителя в соответствии со льдистостью и , расчетными осадками оттаивающих грунтов - на участках с повышенной льдистостью компенсаторы расположены ближе один к другому. 35Противофильтрационный экран работает следующим образом.Проводят планировку поверхности ложа и в зимний период выполняют проходку траншей 4 в мерзлом грунте основания 3, после чего на дно и откосы траншей и на поверхность ложа между ними отсыпают подстилающий слой 5 из сухого сыпучего материала, укладывают пленочное полотнище 1 с образованием компенсаторов 2, заглубленных в траншеи, затем отсыпают защитный слой 6 из сухого сыпучего материала. После завершения всех работ по устройству экрана в ложе накопителя выполняют работы по устройству экрана на верховом откосе ограждающей дамбь 1 7, после чего начинают заполнение накопителя. В ходе его эксплуатации происходит постепенное оттаивание и осадка грунтов основания между траншеями и соответствующее опускание экрана; компенсаторы расправляются и происходит выравнивание наружной поверхности экрана без ыарушения его водоупорных своиств, продолжающееся до стабилизации термопросадочных деформаций оттаивающего основания. 1. Противофильтрационный экран накопителя на льдонасыщенном основании, включающий подстилающий и защитный слои и пленочное полотнище, отличающийся тем, что, с целью повышения эксплуатационной надежности противофильтрационного экрана путем повышения его компенсаторной способности при термопросадочных деформациях оттаивающих грунтов, в основании накопителя выполнены траншеи глубиной, равной толщине поверхностного слоя льдонасыщенных грунтов, на дно и откосы траншей и на поверхность основания между траншеями отсыпан подстилающий слой из сыпучего материала, на него уложено пленочное полотнище с образованием компенсаторов, заглубленных в траншеи, при этом пространство над компенсаторами н траншеях заполнено сыпучим материалом защитного слоя.2. Экран по п. 1, отличаощийся тем, что первый компенсатор устроен непосредственно у подошвы верхового откоса ограждающей дамбы накопителя, а пленочное полотнище из него выведено на верховой откос дамбы.

Смотреть

Заявка

4734267, 01.09.1989

СИБИРСКИЙ ФИЛИАЛ ВСЕСОЮЗНОГО НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОГО ИНСТИТУТА ГИДРОТЕХНИКИ ИМ. Б. Е. ВЕДЕНЕЕВА

КУЗНЕЦОВ ГЕОРГИЙ ИВАНОВИЧ

МПК / Метки

МПК: E02B 7/06

Метки: льдонасыщенном, накопителя, основании, противофильтрационный, экран

Опубликовано: 15.09.1991

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1677167-protivofiltracionnyjj-ehkran-nakopitelya-na-ldonasyshhennom-osnovanii.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Противофильтрационный экран накопителя на льдонасыщенном основании</a>

Похожие патенты