Формирователь импульсов на моп-транзисторах
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
д 1 426125 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик(32) ПриоритетОпубликовано 15.03.74, Бюллетень1 Гасударс теанный камите Саввта Министраа СССР аа делам иэааретенин и атнрытий53) УД 1 5.65 088,вания описания 15,08.7 ата опубли 2) Авторы изобретени свой и С. В. Высочи А, Г. Солод, С. 9( 7 1 ) 3 аявител РМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВА МОП-ТРАНЗИСТОРАХ(54 О Изобретение относится к радиотехнике н может быть использовано для формирования импульсов.Известен формирователь импульсов на МОП-транзисторах, содержащий входной инвертор с динамической токостабилизирующсй нагрузкой, выходной двухтактный усилитель и смещающий конденсатор,С целью уменьшения длительности спада выходного импульса в предлагаемый формирователь ца МОП-транзисторах введен дополнительный двухтактный усилитель, затворы транзисторов которого соединены параллельно с затворами транзисторов выходного усилителя, и дополнительный транзистор, исток которого подключен к стоку нагрузоч ного транзистора входного инвертора, а затвор и сток - к полюсу источника питания, причем одна обкладка смещающего конденсатора подключена к выходу дополнительного усилителя, а другая - к средней точке соединения дополнительного транзистора и входного цнвертора.На фиг. 1 приведена принципиальная электрическая схема предлагаемого формирователя; на фиг. 2 - временные диаграммы работы формирователя.Формирователь содержит входной инвертор 1 на транзисторах 2, 3 и 4. Динамической стабилизирующей нагрузкой инвертора 1 является транзистор 2. К выходу формирователяподключен выходцой двухтактцый усилительна транзисторах 5 ц 6. Параллельно затворамтранзисторов 3 ц 4 включены затворы транзи 5 сторов 7 и 8 соответственно, образующих дополнительный двухтактцый усилитель. Затвори сток транзистора 9 соединены с полюсом источника питания, а исток подключен к истокутранзистора 3. Одна обкладка смещаюшегоО конденсатора 10 подключена к выходу двухтрактного усилителя на транзисторах 7 ц 8,а другая - к средней точке соединения транзистора 9 и входного инвертора 1. Выходомформирователя является клемма 11, а вхо 5 дом - клемма 12.Формирователь работает следующим образом.В момент , (исходное состояние) ца выходе формирователя (клемма 11) возникает отрицательный потенциал, который открываеттранзисторы 4, 5 и 6, при этом в точке а устанавливается низкий потенциал, близкий к потенциалу земли (фцг. 2, КД. В точках б и втакже устанавливаются низкие потенциалыь (фиг. 2, Уа, l,), так как транзисторы 5 ц 7заперты низким напряжением, поступающимна их затворы с выхода открытого транзистора 4,конденсаторы 10 и 13 в исходном состоянии30 заряжены до напряжения, равного потецциа420125 Предмет изобретения Г Йсл Составитель Ю. ЕркинРедактор Т, Морозова Техред Л, Богданова Корректор Л. Чуркина Изд.13сударственпопо делам иМосква, Ж6 Тираж 811о комитета Совета Министровобретений и открытий, Раушская наб д. 4(5 аказ 185813ЦНИИПИ одписьлзе ипография, пр. Сапунова,лам в точках г и д (фиг. 2, У Уд). Полярность напряжения на обкладках конденсаторов 10 и 13 указаны на фиг. 1.При подаче на входную клемму 12 в момент 1 положительного перепада напряжения транзисторы 4, 6 и 8 закрываются. Отрицательный потенциал в точке а нарастает, что приводит к повышению потенциала в точке г,Когда напряжение Уа достигнет порогового напряжения открывания транзистора 7, последний начинает проводить, и напряжение в точке в (фиг. 2, У) также начинает повышаться, что в свою очередь, приводит к повышению напряжения в точке д (фиг. 2, Уд).Когда напряжение Уа достигнет порогового значения открывания транзистора 5, последний открывается, и в точке б начинает нарастать отрицательное напряжение Уб.Скорость нарастания отрицательного напряжения на выходной клемме 11 при емкостной нагрузке 14 определяется зарядным током, протекающим через открытый транзистор 5.Математически можно показать, что между током заряда емкости нагрузки 14 и эффективным напряжением, которое равно У - Ь.- - Уб, существует квадратичная зависимость (Уз - напряжение отпирания транзистора 5), позволяющая получить значительное увеличение зарядного тока при увеличении эффективного напряжения,Увеличение эффективного напряжения достигается благодаря тому, что скорость нарастания напряжения Уа больше скорости нарастания напряжения Уб, 1, (фиг, 2) - момент окончания входного импульса. Формирователь импульсов на МОП-транзисторах, содержащий входной инвертор с динамической токостабилизирующей нагрузкой, выходной двухтактный усилитель и смещающий конденсатор, отличающийся тем, что, с целью уменьшения длительности спада выходного импульса, в него введен дополчи тельный двухтактдый усилитель, затворытранзисторов которого соединены параллельно с затворами транзисторов выходного усилителя, и дополнительный транзистор, исток которого подключен к стоку пагрузочного транзи стора входного инвертора, и затвор и стокк полюсу источника питания, причем одна обкладка смеща 1 ощего конденсатора подключена к выходу дополнительного усилителя, а другая - к средней точке соединения допол нительного трапзистора и входного инвертора.
СмотретьЗаявка
1746407, 11.02.1972
А. Г. Солод, С. И. Яровой, С. Высочина
МПК / Метки
МПК: H03K 3/353
Метки: импульсов, моп-транзисторах, формирователь
Опубликовано: 15.03.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-420125-formirovatel-impulsov-na-mop-tranzistorakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Формирователь импульсов на моп-транзисторах</a>
Предыдущий патент: Составной сложный инверторв п 1 ьр-шц •ifoerptnnkvulk слу1, г sua
Следующий патент: 420126
Случайный патент: 393826