Патенты с меткой «моп-транзисторах»

Номер патента: 1441387

Опубликовано: 30.11.1988

Авторы: Варшавский, Гольдин, Кондратьев, Цирлин

МПК: G06F 7/50

Метки: моп-транзисторах, одноразрядный, сумматор

...у; = 1), то на выходе первого элемента 17 РАВНОЗНАЧНОСТЬ имеется нулевое значение, которое, поступая на затвор тразистора 10, закрывает последний. Если при этом на выходе суммы имеется нулевое значение (Б; = О), что,очевидновозможно только при единичном значении на входе переноса (С; = 1), то закрыт и транзистор 8, затвор которого соединен с выходом суммы, и на выходе переноса будет единичное значение (С; = 1) . Если жена выходе суммы имеется единичноезначение (Б, = 1), что, очевидно,возможно только при нулевом значениина входе переноса (С 1, -- 0), то транзистор 8 открыт, а поскольку при этомоткрыт и один из транзисторов 9 нли11, на затворе которого имеется единичное значение с входа одного из 10 .слагаемых, а стоке - нулевое значение с...

Номер патента: 1464209

Опубликовано: 07.03.1989

Авторы: Зуб, Прокофьев, Сидоренко, Сирота

МПК: G11C 7/06

Метки: интегральном, исполнении, моп-транзисторах, считывания, усилитель

...7 транзисторов, разница между которыми характеризует чувствительность усилителя счтьвания и составляет малую величину (не более 0,05 В ), обеспечивается вторым делителем 1 напряжения. Высокая чувствительность усилителя считывания выдви.ает высокие требования по помехоустойводных ценней, Поэтому делитель 1 напряжения характеризуется тем, что его верхний 12 и нижний 14 транзисторы работают в режиме насыьцения вольтамперных характеристик, в котором их токи практически не зависят от напряжения между стоком и истоком, а значит помехи, имеющиеся на шине питания и общей шине, не попадают на его выходь 1, Разница напряжений на его выходах задается падением напряжения на транзисторе )3. Фильтруюций элемент 15 обеспечивает фильтрацию затворного...

Номер патента: 1598156

Опубликовано: 07.10.1990

Автор: Акопов

МПК: H03K 19/08

Метки: биполярных, логический, моп-транзисторах, элемент

...5 и 6 конструктивно одинаковы (что легко осуществимо при интегральном исполнении), то и токи утечки этих транзисторов приблизительно равны. Ток утечки на участке коллектор - база транзистора 6 через отражатель тока на транзисторах 3 и 4 сформирует ток стока транзистора 4, Если при этом крутизна характеристики транзистора 4 больше крутизны характеристики транзистора 3, то ток" стока транзистора 4 будетравен току утечки на участке коллектор-база транзистора 5, а величина падения напря 5 10 15 20 25 30 35 жения на участке сток - исток транзистора 4 будет меньше величины падения напряжения на участке сток - исток транзистора 3.Если пороговое напряжение отпирания КМОП-транзисторов в данном случае находится примерно на том же уровне,...

Номер патента: 1615877

Опубликовано: 23.12.1990

Автор: Акопов

МПК: H03K 19/08, H03K 19/094

Метки: биполярных, логический, моп-транзисторах, элемент

...потенциал логической "1". 50При возрастании входного напряжения до величины, равной половине напряжения питания, транзисторы 5 и 2 находятся в закрытом состоянии, так как возникающая при этом разность потенциалов между затворами транзисторов 5 и 2 меньше напряжения отпирания этих транзисторов. Например при величине входного напряжения, равной половине напряжения питания, потенциал на стоке транзистора 1 соответственно также равен половине напряжения питания, т,е, и потенциал на затворах транзисторов 5 и 2 равен этой же величине, а поскольку истоки транзисторов 5 и 2 соединены между собой, то оба эти транзистора закры ты.При дальнейшем возрастании входного напряжения потенциал на стоке транзистора 1 соответственно уменьшается и...

Номер патента: 1633480

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Иванисов, Попов, Рыжов

МПК: H03F 3/16

Метки: комплементарных, моп-транзисторах, операционный, усилитель

...выходное н дпряже цие равно напряженю нд стоке транзистора 5. Рабочая точка последнего находится в пологой области ВАХ, причем напряжение на его стоке превышает ц 1- пряжецис насыщеня сраИа кру гай и пологой областей БАХ) примерна цне:ичицу порогового напряжения, а поскольку транзисторы 5 и 6 выпалцацы ецтчцс, то напряжение на вьгходе дифференциального каскада может быть шже нашпал,нага ца величину порогового напряжения транзистора 6 без выхода ега рабочей точки в круую облась ВАХ, Проведя аналогичные рассуждения относительно транзисторов 3 и 4, маж. сделать вывод, что напряжение дифференциального каскада 1 О мажет превышать нами:льцое цд неличину порогового напряжения транзистора 4 без нхада рабочей точки последнего за границы...

Номер патента: 1653142

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Буй, Гуменюк, Дедикова

МПК: H03K 5/01

Метки: импульсов, моп-транзисторах, формирователь

...связи к ускарени а переходного пооцесса и росту потенциала точки 7 выше напряжения источника питания. В установившемся режиме единственным потребляющим узлом является входной инвертар, так как на инверсные входы динамического драйвера, первого повторителя и повторителя выходноо сигнала поступает уоавень "0" с выхода входного лнвертора, При уменьшении потенциала тачки 5 да уровня 0" ня выходе входного инвертара устанавливается уровень "1", этот уровень поступает ня инверсные входы динамического драйвера, первого повторителя и повторителя выхарнаго сигнгла, что приводит к абнулению потенциалов точек 7,8,9 и возврату схемы в исходное сосгояние,Динамический драйвер 2 работает следуОщим ОбразгмВ начальньй момент ня прямой вход...

Номер патента: 1785049

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Козин, Маринина

МПК: H01L 21/336

Метки: водорода, датчиков, моп-транзисторах

...сечения А-А и Б-Бдатчика после формирования областей 2 ис.тока и стока; подзатворного окисла 11 и алюминиевых шин 4 металлизации и затво ра 12 иэ алюминия; нэ фиг.4 и 5-то же пОсле нанесения защитной пленки 13; на фиг. 6.и 7- то же, после создания фоторезистивной маски 14 с окном 15, соответствующим конфигурации затвора; на фиг. 8 - то 55 на:фиг. 10 - то же, после вскрытия в Защит- м ной йленке окна 8 над участком шийы ме- в вскрывают окно в защитной пленке нэд участком металлизации к затвбру; напыляют пленку палладия, фотолитографией формируют область затвора с перекрытием окна в защитной пленке над участком шиныметаллизации к затвору .и фотолитографией вскрывают окна в защитной пленке над контактными площадками.На фиг. 1 изображен...