Патенты с меткой «выращиваниякристаллов»

Номер патента: 486777

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Кидяров, Митницкий, Шелопут

МПК: B01J 17/04

Метки: выращиваниякристаллов, гексагональной, иодата, лития, модификации

...ных кристаллов гекса иодата лития диаметр рН раствора 2 - 2,5 ве скоростью 0,5 лл/сутк тся к способу выращита гексагональной моходят широкое примеонике, акустооптике и Через трп месяца получают 15 оптически однородных коисталлов со средним дпамет ром 25 лл и длиной 40 - 45 лл. Известен способ выращи иодата лития гексагональн из водных растворов путем и концентрационного переп этого способа является не цесса выращивания кристал вания кристаллов ой модификациитемпературного да, Недостатком табильность пролов. изобретенп 1 О Ф Способ лития гекса зованием м трационног тем, что, с статкчествлити едо ения этого о которому используют фикации, коющий теми рост криста 40 - 50 С. сталлизатор атравочных в к иодат процесса вьпрод кта инальной...