Способ выращиваниякристаллов иодата лития гексагональной модификации

Номер патента: 1294027

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Денькина, Исаенко, Якушев

МПК: C30B 29/10, C30B 7/02

Метки: liio3, выращивания, иодата, лития, монокристаллов

Способ выращивания монокристаллов иодата лития -LiIO3 из нейтрального исходного раствора иодата лития, включающий регенерацию затравки и последующий рост при изотермическом испарении раствора при температуре 60 - 65oC и поддержании постоянной его степени пересыщения, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов диаметром 50 - 70 мм с высокой оптической стойкостью, используют исходный раствор иодата лития, общее содержание микропримеси в котором не превышает 10-5%, регенерацию затравки осуществляют при подъеме температуры со скоростью 10 - 15oC/сутки и рост ведут при степени...

Номер патента: 1290762

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Белов, Денькина, Исаенко, Якушев

МПК: C30B 29/16, C30B 7/02

Метки: выращивания, иодата, лития, монокристаллов

Способ выращивания монокристаллов иодата лития путем изотермического испарения водного раствора, содержащего добавку, отличающийся тем, что, с целью увеличения прозрачности и лучевой стойкости монокристаллов, в качестве добавки берут трилон Б в количестве 0,1-0,5 мас.%.

Номер патента: 1152475

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Иванов, Михаленко, Парфианович, Хулугуров, Чепурной, Шкадаревич, Шнейдер

МПК: H01S 3/16

Метки: активного, кристалла, лазера, лития, окраски, основе, фторида, центрами, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ, содержащего примесь, включающий выращивание кристалла из расплава и облучение его ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона генерации лазера, в расплав фторида лития вводят двухвалентные катионозамещающие примеси магния, или никеля, или кобальта при концентрации от 5 10-3 до 10-1 мас. затем кристалл охлаждают до (-196oС) - (-30oС), облучают дозой 108 Рентген с последующим отжигом его при 20oС в течение 0,5 2 ч.

Номер патента: 1558052

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Головей, Исаенко, Сафонов, Семенов

МПК: C30B 29/22, C30B 33/04

Метки: иодата, лития, монокристаллов

1. СПОСОБ ОБРАБОТКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИОДАТА ЛИТИЯ, включающий их -облучение, отличающийся тем, что, с целью снижения оптической плотности и повышения прозрачности монокристаллов в длинноволновой области спектра, облучение ведут до дозы поглощения 180 - 720 Гр.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона в коротковолновую область, после -облучения дополнительно проводят облучение монокристаллов ультрафиолетовым светом длиной волны 270 - 300 нм интенсивностью 4 - 5 мВт/см2 в течение 2,5 - 3 ч.

Номер патента: 833474

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Архипов, Шкловская

МПК: C01B 11/22

Метки: иодата, циркония

...что приводит к увеличению продолжительности процесса. Верхний же предел концентрации иодно О ватой кислоты ограничен растворимостью иодноватой кислоты в воде.При концентрации иодноватой кислотыв реакционной массе после разбавления водой менее 2% уменьшается выход готовогопродукта за счет растворимости иодата циркония в большом объеме раствора и засчет гидролиза среднего иодата с образованием более растворимых продуктов, При конного препарата в воде. Всего берут 225 г кислоты (в пересчете на 100%) из расчета 50% против теоритечески необходимого для получения иодата циркония. В полученный раствор при перемешивании небольшими порциями добавляют свежеосажденную гидроокись циркония, следя, чтобы реакционная масса не нагревалась выше 30 С,...