Способ формирования решетки цилиндрических магнитных доменов

191 (1 И 1)5 6 11 С 11 14 ПО ЗО ПРИ ГН ВИДЕТЕЛЬСТ ВТОРСК аг- те- о- со венныи универЯ РЕ ГНИТ числиможет апомиобретение относится рительной технике, м при разработке за на цилиндрических(ЦМД) и являетс способа по авт. св лью изобретения яв ности формировани чертеже изображе рования решетки Цк вычислительнои ожет быть испольпоминающих уст.магнитных домея усовершенство.1108352.ляется повышение я решетки ЦМД. но устройство для МД, реализующее зован ройст нах ваниеЦ надеН форм редл Уешетки ц магкассете зазоре агниты юсами ые на распоитам 5 ратора нитно2 с о3 по5 и 6,в стросновложеи 6 ЦМД в магнитс предложенным ующим образом. Ф ной п спосо(61) (21) (22) (46) (71) сит (72) И. И (53) (56)1 (54) ШЕТ НЫ (57) СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ /7:.- РЕСПУБЛИК Щ АРСТВЕННЬЙ КОМИТЕТБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИНТ СССР 11083524620063/24-2409.11.8823.11.90. Бюл.43Белорусский государстим. В. И. ЛенинаВ. Н. Линев, В, А. Муравский,Полонейчик и В. А. Фигурин681.327.66 (088.8)Авторское свидетельство СССР08352, кл, б 01 Х 27/72, 1984.СПОСОБ ФОРМИРОВАНИИ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАДОМЕНОВИзобретение относится к вой и измерительной технике ииспользовано при разработке гаемыи способ.ройство для формирования рсодержит исследуемый образепленки 1, закрепленный взможностью перемещения ваправляющим 4, постоянные мобращенные одноименными полону зазора 3 и закрепленннии 7, катушки 8 модуляции,ные соосно постоянным магнподключенные к выходу генеменного тока.рмирование решеткиенке в соответствииом осуществляют след нающих устроиств на цилиндрических м нитных доменах (ЦМД). Цель изобре ния - повышение надежности формир вания решетки ЦМД. В соответствии способом воздействуют на магнитную пленку градиентным радиально-симметричным постоянным магнитным полем, лежащим в плоскости магнитной пленки. При этом перемещают магнитную пленку в ее плоскости, компенсируют составляющие поля, перпендикулярные этой плоскости, и воздействуют на магнитную пленку низкочастотным модулирующим магнитным полем, вектор которого ориентирован перпендикулярно градиентному постоянному магнитному полю, а амплитуда не превышает значения поля Колланса ЦМД в магнитной пленке. 1 ил. Воздействуют на магнитную пленку градиентным радиально-симметричным постоянным магнитным полем, лежащим в плоскости магнитной пленки, при этом одновременно перемещают магнитную пленку в ее плоскости и компенсируют составляющие поля, перпендикулярные этой плоскости, и воздействуют на магнитную пленку низкочастотным модулирующим магнитным полем, вектор которого ориентирован перпендикулярно градиентному постоянному магнитному полю, а амплитуда не превышает значения поля коллапса ЦМД в магнитной пленке.Постоянное градиентное магнитное поле, с помощью которого в образце магнитной пленки формируется гексогональная решетка ЦМД, создается с помощью магнитной системы, состоящей из.двух плоских, включенных встречно, постоянных магнитов 5 и 6. Локализуется постоянное магнитное поле в зоне взаимодействия с образцом - плоскости симметрии магнитной системы, лежащей в центре зазора 3, образованного одноименными полюсами магнитов 551 О15 20 25 30 35 40 45 50 Формула изобретения и 6. Величина этого поля изменяется по радиусу зоны взаимодействия, причем его максимальное значение превышает поле одноосной анизотропии исследуемых образцов м а гнитн ых пленок.Когда исследуемый образец 1 перемещают через зону взаимодействия по направляющим 4, величина постоянного магнитного поля на поверхности образца 1 сначала возрастает от нуля до значения, превышающего поле одноосной анизотропии, а затем уменьшается до нуля. Тем самым обеспечивается выполнение первого из условий формирования гексогональной решетки ЦМД - на образец 1 воздействует магнитное поле, величина которого превышает поле одноосной анизотропии образца. Под действием магнитного поля такой величины образец 1 переходит в однодоменное состояние (достигается насыщение магнитной пленки).При выходе образца 1 из зоны взаимодействия величина действующего на него магнитного поля уменьшается от максимального значения до нуля и в образце 1 формируется решетка ЦМД,При выдвижении образца 1 из зоны взаимодействия величина магнитного поля постепенно уменьшается сначала от максимального значения до значения, равного полю одноосной анизотропии, затем до значения, при котором формируется гексональная решетка ЦМД. При этом образец 1 находится в насыщенном однодоменном состоянии и изменение ориентации постоянного магнитного поля или иные воздействия на него не могут привести к возникновению доменной структуры,При дальнейшем выдвижении образца 1 величина постоянного магнитного поля продолжает уменьшаться от значения, при котором возможно формирование решетки ЦМД, до значения, при котором в образце 1 спонтанно возникает структура лабиринтных доменов. Как известно, структура лабиринтных доменов формируется при меньшем на 5 - 1 Оо значения магнитного поля, чем гексогональная решетка ЦМД. В это время магнитная пленка находится в квазиустойчивом состоянии - структура лабиринтных доменов возникнуть еще не может, а для возникновения решетки ЦМД требуется выполнение дополнительного условия - воздействующее на образец 1 магнитное поле должно быть направлено перпендикулярно его оси легкого намагничивания (ОЛ Н),Гексогональную решетку ЦМД можно сформировать в образце 1 только на этом этапе, причем необходимым условием является то, что воздействующее на образец 1 магнитное поле должно быть перпендикулярно его ОЛН.В отличие от известного способа, в котором ориентация магнитного поля была фиксирована вдоль плоскости образца, в предлагаемом способе направление вектора магнитного поля периодически изменяется (модулируется). Для этого на образец 1, кроме постоянного магнитного поля Но, дополнительно воздействуют модулирующим магнитным полем Н, вектор которого направлен перпендикулярно постоянному магнитному полю Но. Модулирующее магнитное поле создается катушками 8 модуляции, через которые протекает переменный ток, формируемый генератором 9. Суммарное магнитное поле Н, воздействующее на образец 1, представляет векторную сумму постоянного магнитного поля Н и перпендикулярного ему переменного магнитного поля Н,периодически отклоняется от плоскости образца 1, причем максимальный угол а отклонения магнитного поля Н от плоскости образца равен Таким образом, в предлагаемом способе,в отличие от известного, угол между направлением нормали к плоскости образца 1 ивектором воздействующего на него магнитного поля Н периодически изменяется от90 - а до 90+а,Если угол отклонения ОЛН образца 1от направления нормали к его плоскостименьше а, то на образце 1 периодическиобеспечиваются условия формирования решетки ЦМД: вектор суммарного магнитногополя ориентируется перпендикулярно ОЛНобразца 1. Когда такие условия создаютсяв первый раз, в образце 1 возникает устойчивая доменная структура в виде гексогональной решетки ЦМД.При дальнейшем уменьшении величинымагнитного поля сформированная решеткаЦМД сохраняется.Единственное условие, которое должнособлюдаться для устойчивого сохранения вобразце 1 решетки ЦМД, - после извлечения образца 1 из межполюсного зазора3 воздействующие на него магнитные поляне должны превышать поля коллапса ЦМД.В предлагаемом способе это условие выполняется автоматически, так как постоянное и модулирующее магнитные поля локализованы в межполюсном зазоре 3 магнитнойсистемы.Таким образом, предложенйый способобеспечивает надежное формирование гексогональной решетки ЦМД как в образцахмагнитных пленок, не имеющих отклоненияОЛН от направления нормали к плоскостиобразца, так и в образцах с отклонениемОЛ Н. Способ формирования решетки цилиндрических магнитных доменов по авт. св1608750 352, отличающийся тем,что, с целью ния надежности формирования рецилиндрических магнитных доменов, еменно с воздействием градиентным ным магнитным полем воздействуют нитную пленку низкочастотным моь Ю. Розенталц к Соста витеТехред А. КраТираж 488омитета по изоква, Ж - 35,кий комбинатина, 1110 повыш шетки однов постоя на ма Редактор Н. ЛазаренкоЗаказ 3622ВНИИПИ Государственного113035, МоПроизводственно-издатель дулирующим магнитным полем, вектор которого ориентирован перпендикулярно градиентному постоянному магнитному полю, а амплитуда не превышает значения поля коллапса цилиндрических магнитных доменов магнитной пленки. в у Корректор Т. Колб Подписное бретениям и открытиям при ГК Раушская наб., д. 4/5 Патент, г. Ужгород, ул. Гагар