Патенты с меткой «диода»

Номер патента: 1109829

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Коломойцев, Лукаш, Самойлов, Соколовский

МПК: H01P 1/00

Метки: диода, крепления, полупроводникового, свч, узел

...металлического основания, и гайку, направляющая трубка выполнена составной из первой и второй втулок, при этом в первой втулке выполнены сквозной продольный паз и два торцовых конусообразных углубления, а один из торцов второй втулки выполнен в виде конусообразного выступа, угол образующей которого равен углу образующей 40 одного торцового конусообразного углубления первой втулки, угол образующей другого торцового конусообразного углубления которой равен углу образующей конусообразного цангового наконечника.45На фиг. 1 изображен СВЧ узел крепления полупроводникового диода, продольный разрез; на фиг. 2 - то же, поперечный разрез.СВЧ узел крепления полупроводникового диода содержит металлическое основание 1, 50 металлический штырь...

Номер патента: 1228124

Опубликовано: 30.04.1986

Автор: Денисенко

МПК: G06G 7/62

Метки: диода, моделирования

...3, то ключ 6 замкнут и ток модели оказывается равным току, протекающему через КСС-сетку 1. Этот ток аналогичен току диода, обусловленному инжекцией неосновных носителей в базу моделируемого диода. Поскольку граничное условие задается блоком 3, то ток через модель диода имеет экспоненциальную зависцмость от приложенного к модели напряжения.Если ток, втекающий в КСС-сетку 1, по модулю меньше указанного поро.га, то ключ 6 размыкается, При этом ток диода равен нулю. Это состояние1 228124 2модели с практической точки зренияполностью соответствует состоянию реального диода в обратном включениии в прямом включении при напряжении,меньшем 0,4-0,5 В, (для кремниевыхдиодов), когда токи диода составляютединицы и доли наноампер, т.е. сравнимы с...

Номер патента: 1233061

Опубликовано: 23.05.1986

Авторы: Заболотских, Серяков, Цыркин, Шумилов

МПК: G01R 31/27

Метки: демпфирующего, диода, нагрузкой, обрыва, цепи, электромагнитной

...и активное сопротивление электромагнитнойнагрузки 10.В результате на входе порогового элемента 2 образуется небольшое напряжение вьбросов, которое суммируется вместе с напря:хением помех, поступающим на вход порогового элемента 3.Пороговый элемент 2 не пропускаетнапряжение помехи для дальнейшего 5 анализа на интегрирующий элемент 5 ипороговцй элемент 3, поскольку порогего срабатывания вцше напряжения помех,В том случае, если происходит обб рцв диода 11, амплитуда выбросов наэлектромагнитной нагрузке резко возрастает и на выходе порогового элемента 2 образуется пропорциональныйамплитуде вцбросов сигнал, поступающий на интегрйрующий элемент,5, Наинтегрирующем элементе 5 получаютинтегрированное значение вцбросовнапряжения на...

Номер патента: 1250411

Опубликовано: 15.08.1986

Авторы: Альтман, Головин, Дрозд, Риттенман, Рифтин, Церфас, Янкевич

МПК: B23K 1/12, H01L 21/50

Метки: высоковольтного, диода

...с ллуклу;у.л кч лл осуплссллъцлнслсъл прпллайкгл ь мкцллчлппэл с омпчсскллкллл колллаль х 111 111, 1 л 1 л 1 лк 11111 г 11 глпслл 3 хлсллльл полхлс прич лл ; -л-л 1. к лгллллллгльлся часль цлсллльл лм л мкл ллллло лльлллоцолл л;ллсклл.ллыл" л Б.1 25 л :3 нт м; рл-л улллролъалл, по ;лпллшллролкаль рсмллхл проп.лалзхлклллллн колллаклон к лслллс оса псрслрслаа плмуллролелмплллклплол слруклуръл.Нрпллир (Ъпмлгллаэл ллрлмлслтка была лэрокс лспа па учаслкс 1191 л 1 л 1 в.111111 лвьлслколло.ллл поло плода кп 117 1%ллслкилло.лллллыссл л лГэлл кп поло прибора соглоял п: 111 крсклллллспых крпсла.л.лл: с рчъллслтсхлхлохл, сол-лллллслл ллл.л ллоьхлл-длоллдлгссльлло проьнгоплшл НКЛЗ. 11 а лорпах сллл.пллллх;л лзлллл.=;лсллл...

Номер патента: 1283875

Опубликовано: 15.01.1987

Авторы: Викулин, Глебов

МПК: H01P 1/00

Метки: диода, крепления, узел

...с отверстием 3 и резьбой 4, цанговый зажим 5, выполненныйв форме конусообразного наконечника6, на который надета муфта 7 и гайка 8, изоляционную шайбу 9, втулку10,диод 11 с выводом 12, кольцевой выступ 13 конусообразного наконечника 6 и соосное цилиндрическоеотверстие 14.Узел крепления диода работаетследующим образом,. Вывод 12, выполненный в виде длинного цилиндра, вводится в соосное цилиндрическое отверстие 14 во втулке 10 и в конусообразном наконечнике 6, Поворотом гайки 8 при этом достигается перемещение муфты 7 и зажим вывода 12. Поворотом втулки 10, выполненной из диэлектрического материала, достигается прижим кольцевого выступа 13 к изоляционной шайбе 9, выполненной из эластичного теплопроводного материала, Так как кольцевой...

Номер патента: 1296335

Опубликовано: 15.03.1987

Авторы: Альтман, Баронин, Левин, Рифтин, Церфас

МПК: B23K 1/12

Метки: высоковольтного, диода

...быть расположен у одного из его полюсов. Изобретение относится к производству полупроводниковых высоковольтныхциодов, применяемых, например, в блоках строчной развертки цветных телевизоров. 5Цель изобретения - упрощение операции определения полярности столбиков.На фиг.1 изображен пакет пластинс дополнительной пластиной из лористого никеля, разрез; на фиг,2 - зависимость процента лома столбиков прирезке пакета алмазными дисками отпроцента пористости никеля; на фиг,З -схема расположения кассет и магнита 15при рассортировке столбиков по полярности,Способ изготовления высоковольтного диода заключается в следующем.Пластины 1 с р-и-переходом собирают в пакет с размещением между ними припоя 2. К одной стороне пакетаприсоединяют...

Номер патента: 1374402

Опубликовано: 15.02.1988

Автор: Антипов

МПК: H03F 7/04

Метки: диода, параметрического, питания, устройства, цепь

...параметрического устройства.К резонансным цепям подключен параметрический полупроводниковый диод 2, Параметрический полупроводниковый диод 2 подключен к регулируемому источнику 3 постоянного смещения через дополнительный полупроводниковый диод 4, который включен с диодом 2 последовательно и согласно по постоянному току. Устройство работает следующим образом.Напряжение накачки и сигнала подается на резонансные цепи 1, к которым подключен параметрический полупроводниковый диод 2, периодическое изменение емкости которого под действием напряжения накачки приводит к усилению либо преобразованию сигнала. Изменение уровня накачки или сигнала приводит к изменению постоянного тока через параметрический полупроводниковый диод 2 и, соответственно,...

Номер патента: 1406665

Опубликовано: 30.06.1988

Автор: Завалин

МПК: H01P 1/00

Метки: диода, крепления, узел

...Р.алтор М 11 етроваЗалз Зо 01,48141Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для уста. нонки диодов в СВЧ-линию передачи.Пель изобретенияснижение механической нагрузки на диод.На чертеже изображен узел крепления диода, иролольный разрез.Узел крепления диода содержит отрезок 1 прям Оугольного нолновода. держатель , лиол 3, цанговый конусообразный наконеч. ник 4, лиэлектрический стакан 5 и возбуждающий штырь 6. Узел крсилния лиода работает следую. щим Образом.В отрезке 1 на держателе 2 устанавлинакт Олин нывол диода 3, на другом ныноле кгорого закрсиляют цаиговый кону ссюб 1)азиы 1 и 1 кночник 4. СОО.но с дис,(ом 3 на лржатле 2 зикрилякт лиэлектричский стакан 5. При иродольном иеремещ нии возбуждаю(цго иыря 6...

Номер патента: 1499534

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Рогов, Скрипкина

МПК: H05K 7/02

Метки: диода, крепления

...в цанги 4 и 12. Цанга 12 является частью стержня 13 имеющего 25 резьбу 14 и изолированного от корпуса 1 изоляционной втулкой 15, приклеенной к стержню 13, На конической поверхности 16 цанги 12 установлена втулка 17, связанная шариками 18 с дополни тельной втулкой 19, на которой выполнена резьба, сопрягаемая с резьбой 14 стержня 13. Для установки шариков во втулках выполнены кольцевые канавки, а в одной из них сделано отверстие для ввода шариков, Втулки имеют возможность вращаться одна относительно другой.Изоляционная втулка 15 крепится к корпусу 1 гайкой 20.Устройство работает следующим образом.Диод 9 устанавливают в цанги 4 и 12. Поворот дополнительной втулки 19 относительно стержня 13 по резьбе 14 приводит к осевому перемещению...

Номер патента: 1525707

Опубликовано: 30.11.1989

Автор: Кочетков

МПК: G06N 1/00

Метки: диода, моделирования

...Импульс, моделирующий ток, поступивший на вывод 15 левого полюса, всегда проходит через элемент ИЛИ 9 на вывод 17 этого же полюса. Импульс, моделирующий ток, поступивший на вывод 16 правого полюса, проходит через элемент И 6 и элемент ИЛИ 9. В1525707 Составитель И. ЗагорбининТехред А. Кравчук актор А. Ога Корректор О. 1 Тираж 668 Подписноественного комитета по изобретениям и открытиям пр 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Заказ 7228/4 ВНИИПИ Госуд ГКНТ СССР Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгоро Гагарина, 10 юбом другом случае этот импульс проодит через элемент И 7, управляемый, с инверсного выхода триггера 3 и поступает на вывод 18. Каждый им . пульс, моделирующий ток, прошедший с правого полюса на вывод левого...

Номер патента: 1530104

Опубликовано: 15.12.1989

Автор: Тамаш

МПК: H01S 5/00

Метки: диода, лазерного, температуры

...2 тока и с блоком Й упрдвлеция. Управляющий вход блока считывдця и здпомицация череблок 6 )ддержки нодключец к логическомублоку 7, кгзторьп может быть выполненцд осцове обычш;)х логических схем.Другой выход:)огического блока 7соединец с вторым управляющим входомисточцикд 2 тока. Входы логическогоблока 7 подключець к другим блокампечатцого устройства (е оказаы),1 дбочий ток лазера в зависимостиот тина лд ерцого диода составляет 50-200 мЛ. Г 1 ежду импульсами рабочего тока через лдзершгй диод пропускается постояцнь)и ток, величина которогоциже порт т)огоГгцовецное цапряжецие ца лазерномгиогс 1 подается терез повторитель3 дг)рн ьеция, выполценцый с. высокимвходным сопротивлением, ца блок 4счцть)вдцг)я и зднгэмицдция. Выполцеццый с вьц.оким...

Номер патента: 1539889

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Каджардузов, Климахин, Масалов, Мырсин

МПК: H02H 7/06, H02H 7/125

Метки: бесщеточном, вращающегося, генераторе, диода, неисправного, обнаружения, переменного

...усилитель с автоматической регулировкой усиления, двухполупериодный выпрямитель, фильтр нижних цастот и формирователь сигналов, Индикатор 17 состояния содержит 1два триггера дешифратор, три светодиода и резистор, подключенный одним 20 25 30 35 40 45 50 55 выводом к клемме "Плюс" истоцника питания,Устройство работает следующим образом.При произвольном положении ротора 2 генератора 1 подается сигнал переменного тока на обмотку 4 возбуждения возбудителя, Этот сигнал трансФормируется в обмотку 20 якоря возбудителя, выпрямляется диодами выпрямителя 3, поступает на обмотку 21 возбуждения основного генератора инаводит ЭДС в обмотке 13 статора генератора. При этом внешний вид сигнала в обмотке 13 статора генератора наблюдается на экране...

Номер патента: 1550443

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Колесников, Ловинский, Мусатова, Николаев

МПК: G01R 31/26

Метки: диода, излучения, мощности, полупроводникового

...температуры диода засчет саморазогрева ЬТ определяетсяФормулой П р и м е р. На светоиэлучающий Диод. типа АЛ 107 Б подают прямоугольный жпульса тока силой 0,1 А и изМерюот временную зависимость напряжеИия на нем с помощью циФрового вольтметра Щ 15-13. Находят из нее максимальное значение напряжения на диоде О= 1,426 В и напряжение в стационарном режиме ц = 1, 386 В . Значения ф и Кт определяют одним из стандарти зированных методов, Для определения о измеряют напряжения на диоде при а 11двух значениях температуры.аТ1,83 мВ/К, где ЬП - изменение напряжения на диоде при изменении температуры на ЬТ. Для определения йтизмеряют приращение температуры р-иперехода диода в результате рассеивания в диоде определенной мощностипри обратном...

Номер патента: 1642564

Опубликовано: 15.04.1991

Автор: Абрамов

МПК: H02H 7/12, H02M 3/335

Метки: автогенератор, включением, выпрямительного, диода, обратным, однотактный

...25 заряжается. По мере заряда конденсатора 25 начи-. нает работать узел 6 обратной связи, который регулирует момент открывания ключа 5 и, соответственно, момент запирання регулирующего элемента 3, Таким образом, регулируется количест во энергии, запасаемой первичной обмоткой 21 трансформатора 20 и осуществляется стабилизация выходного напряжения.Во время прямого хода намагничивания трансФорматор 20 через диод 11 40 заряжает конденсатор 10 и через резистор 12 конденсатор 13. Во время обратного хода перемагничивания трансформатора 20 через диод 17 заряжается конденсатор 18. Когда напряжение . 4 на конденсаторе 18 достигает уровня, достаточного для пробоя стабилитрона 15, светодиод оптрона 14 загорается резистор 16 ограничивает ток...

Номер патента: 1672485

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Басан, Полуянович

МПК: G06G 7/62

Метки: диода, идеального, моделирования

...диода с изменяемой величиной масимального прямого тока и крутизной при источнике питания постоянного тока, С целью расширения функциональных возможностей устройства за счет моделирования изменения тока диода содержит выпрямительный масштабный резистор масштабный усилитель источник тока, управляемый напряжением и источник опорного напряжения. 1 ил. жение усиливается усилите фициент передачи которого ся величиной подстроечного обратной связи и поступает на ка, управляемый напряжением Управляющей величиной в ко является ток диода 3 При пр нии источника 1 ток протекает а через выход источника 2 т равен нулю. Таким образом, равен току источника 1. На ос вого закона Кирхгофа ток идеа определяется по формуле1 д + ) = (о(о --1 - Кгде)= К(о,1...

Номер патента: 1712906

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Алябина, Корнаухов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: базового, диода, меза, проводимости, слоя, типа

...базового слоя меза-диода в процессе его ФормированияЦель изобретения - обеспечение возможности определения типа проводимости,базового слоя в процессе формирования мезв-диода.Способ определения типа проводимости базового слоя полупроводникового меза-диода в процессе его формирования состоит в нанесении маскирующего покрытия площадью 31 на поверхность трехСлойной структуры с сильнолегированной подложкой, менее легированным базовым Слоем толщиной ЧЧ и сильнолегированным поверхностным слоем толщиной 1 с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки, травлении структуры на глубину б, причем б1+ Я, измерении емкости структуры С 1, удалении маскирую; щего покрытия до площади 52, травлении структуры на глубину х;х 1+Ю ИоЕЕо...

Номер патента: 1721751

Опубликовано: 23.03.1992

Автор: Ильин

МПК: H02M 3/335

Метки: включением, диода, обратным, однотактный, постоянного, стабилизированный

...в закрытом состоянии. В режиме закрытого состояния первого транзистора 3 энергия трансформатора 5 передается через вторичные обмотки 8 и 9 в нагрузку, при этом на обмотке 6 возбуждения устанавливается напряжение отрицательной полярности,поддерживающее силовой транзистор 3 в закрытом состоянии, После спада тока выходных обмоток до нуля в выпрямительных диодах 10 и 11 возникает обратный ток в течение короткого времени восстановления р-п-перехода, который вызывает появление на обмотке 6 возбуждения напряжения положительной полярности. Приоткрывается транзистор 3, появляется напряжение на первичной обмотке 4 и за счет положительной обратной связи через обмотку 6 управления транзистор 3 переходит в насыщенное состояние. Ток коллектора...

Номер патента: 1741091

Опубликовано: 15.06.1992

Автор: Владзиевский

МПК: G01R 31/26

Метки: диода, импеданса, лавинно, малосигнального, пролетного

...импеданс ЛПД, в качестве измеряемых параметров выбирают значения резонансной частоты и КСВН на резонансной частоте при четырех величинах расстояния от оси ЛПД до коротко- замкнутой торцовой стенки измерительной камеры и по полученным значениям резо.нансных частот, КСВН и расстояний вычисляют искомый малосигнальный импеданс ЛПД по формулам,К 12 а + аг - К 12 В 11 аэ - В 11 а 4 = К 1 Х 1;К 2 а 1+ аг - Кг Вг аз - Вг а 4 = КгХг;Кэ а 1+ аг - Кэ Вз аэ - Вэ а 4 =КэХз; 2 2 1 1К 4 а 1+ аг- К 4 В 4 аз - В 4 а 4 = К 4 Х 4;Щ К 1 = -й): ф1+ф у 1з 1 пр Т-соьр4 л 115 " 3 1 -- )А = - ; в = 2 лб,С,б10 где б - резонансные частоты;р - значения КСВН;1 - расстояния от оси ЛПД до короткозамкнутой торцовой стенки, 1.= 1, 2, 3, 4;а - размер широкой...

Номер патента: 1758815

Опубликовано: 30.08.1992

Автор: Рюмин

МПК: H02M 9/04, H03K 3/53

Метки: включением, выпрямительного, диода, обратным, однотактный

...ключа 3 будет равно Ост В 2,й макс + -- и обр, Й дат Идатгде Кдат - сопротивление резистивного датчика 1 тока. и в магнитном поле трансформатора 2 будет запасена энергия, равная2При прерывании тока в первичной обмотке трансформатора 2 ЭДС на обмотках трансформатора 2 меняет полярность и выпрямительный диод 5 переходит в открытое состояние, Запасенная в магнитном поле трансформатора 2 энергия передается в накопительный конденсатор 12, При этом напряжение между потенциальными выводами компаратора 4 меняет полярность на противоположную относительно первоначальной и поддерживает закрытым компаратор. Резистор 6 смещения поддеркивает закрытым транзисторный ключ 3, Ток заряда накопительного конденсатора 1 во времени падает от...

Номер патента: 1764000

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Загурдаев, Ленчук, Попов

МПК: G01R 31/02

Метки: вращающегося, выпрямителя, диода, замыкания, короткого, обнаружения, синхронной, трехфазной, фазного

...ось начальной фазы обмотки 4якоря возбудителя совпадает с осью обмотки 5 возбуждения возбудителя ( а = 0), Тогда в начальной фазе будет максимальнаяЭДС Епх, Точно такая же ЭДС будет в фазеякоря 4, ось которой сдвийута относительнооси начальной фазы на 180 эл, градусов, алинейная ЭДС этих двух фаз, определяемаягеометрической разностью фазных ЭДС; будет равна 2 Е щахЛинейная ЭДС 2 Е щах вызывает протекание пульсирующего токав обмотке 2возбуждения основной синхронной машины,В моменты времени, когда начальнаяфаза якоря 4 возбудителя имеет положительный потенциал, токо будет протекатьпо пути, обозначенному на фиг, 1 стрелками,нанесенными на утолщенную линию, а в моменты времени, когда зта фаза имеет отрицательный потенциал, впо...

Номер патента: 1781813

Опубликовано: 15.12.1992

Автор: Колупаев

МПК: H03F 1/30

Метки: варакторного, диода, емкости, стабилизации, температурной

...00 емкость варакторного диода и одновременно напряжение на выходе схемы, что также Сл стабилизирует емкость варакторного диода.При увеличении напряжения на входе диод 1 открывается, При этом со входа через открытый диод 1, резисторы 3 и 4 на общую шину будет протекать ток. Напряжение на выходе будет равно сумме падений напряжений на резисторах 3 и 4, При увеличении температуры окружающей среды уменьшается падение напряжения на диодах 1, 2, что приводит к увеличению напряжения на выходе и, соответственно, стабилизации емкости варакторного диода. Аналогично, приуменьшении температуры уменьшение напряжения на выходе стабилизирует емкость варакторного диода.Г 1 ри дальнейшем увеличении напряжения на входе диод 2 закрывается. Ток, про...

Номер патента: 1783542

Опубликовано: 23.12.1992

Автор: Дорух

МПК: G06F 15/20

Метки: диода, моделирования, характеристик

...моделирования диода содержит реверсивный счетчик 1 импульсов, счетчик 2 импульсов, элементы 3-6 ИЛИ, элементы 7-13 И, элементы 14 и 15 НЕ, первую 16 и вторую 17 группы входных выводов значений напряжения, первый 18 и второй 19 выходные выводы значений напряжения, первьй 20,и второй 21 выводы втекающего тока, первый 22 и второй 23 выводы вытекающего тока, вход 24 запуска . и выход 25 величины протекающего тока,Суммирующий и вычитающий входы счетчика 1 соединены с выходами элементов 7 и 8 соответственно, вход обнуления - со входом 24 запуска, а выходы первого (младшего) и второго разрядов - соответственно с первым и вторым входами элемента 5, соединенного своим вторым входом со входом элемента 15, с первыми входами элементов 9, 10, 11 и...

Номер патента: 1329522

Опубликовано: 15.03.1994

Автор: Сухарев

МПК: H01P 1/00

Метки: диода, крепления

УСТРОЙСТВО ДЛЯ КРЕПЛЕНИЯ ДИОДА, содержащее отрезок прямоугольного волновода и диод, установленный перпендикулярно его широким стенкам, при этом один вывод диода закреплен в первом цанговом зажиме, установленном в отверстии в одной широкой стенке отрезка прямоугольного волновода, а другой вывод диода закреплен во втором цанговом зажиме, установленном в отверстии в другой широкой стенке отрезка прямоугольного волновода, причем первый цанговый зажим выполнен в виде цилиндрического наконечника с цангой, установленного в держателе и изолированного от него, и первой зажимной гайки, а второй цанговый зажим выполнен в виде конусообразного наконечника, на широком конце которого выполнена цанга, а на узком конце - резьба, на которую навинчена гайка,...

Номер патента: 1817559

Опубликовано: 10.06.1996

Автор: Питанов

МПК: G01R 31/26

Метки: вольт-фарадной, диода, параметров, полупроводникового, характеристики

...и Ч;,1, и 1 - эффективные значения первой и второй гармоник тока через диод;Ч, - эффективное значение первой гармоники напряжения на диоде;у- показатель степени вольт-фарадной характеристики;Ч, -диффузионный потенциал выпрямляющего контакта диода.Осуществление предлагаемого способа поясняется с помощью устройства, показанного на чертеже и представляющего собой емкостно-омический делитель. Способ определения параметров вольтфарадной характеристики полупроводникового диода, включающий подачу на диод регулируемого обратного смещения и гармонического сигнала и измерение эффективного значения первой гармоники тока через диод, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа при одновременном повышении его информативности,...

Номер патента: 1840284

Опубликовано: 27.08.2006

Автор: Борисов

МПК: G01R 31/26

Метки: ганна, диода, параметров

Устройство для измерения параметров диода Ганна, содержащее стабилизирующие элементы, входные и выходные зажимы, отличающееся тем, что, с целью исключения взаимодействия диода Ганна с измерительной схемой и повышения стабильности измерений, источник импульсного питания подключен к первичной обмотке трансформатора, вторичная обмотка упомянутого трансформатора подключена на вход ФНЧ, а выход указанного фильтра подключен к последовательно цепи; состоящей из диода Ганна и измерительного сопротивления, причем выходные зажимы подключены параллельно измерительному сопротивлению.