Модель двухбазового диода

Номер патента: 586858

Опубликовано: 30.12.1977

Автор: Адель

МПК: H03F 3/34

Метки: база-эмиттер, перехода, смещения, схема, транзистора

...полюсу источника 4 тока, аффективная плошадь каждого полупроводникового перехода Я -ряда в И раз больше, чем аффективная площадь каждого полупроводникового перехода М-ряда где Л - положительное число;в20Схемв смещения перехода база - эмиттер транзистора работает следующйм образом.Падение напряжения У на транзисторе 1, включенном как диод,будет равно разности потенциалов между его базой и эмиттером .При достаточно слабых токах, когда омическое сопротивление контактов и сопротивление массы амиттерв значитель но меньшесолротивления пограничного слоя 0 действие транзистора в диодном включении аналогично действию обычного р - 11 пере. хода. Падение напряжения Ч связано с плотностью тока в нем соотйошениемКТ 1 е ЗЗЧве ц8где 3 -...

Номер патента: 267201

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Коган, Оесоюзн, Троцёнко

МПК: G06G 7/48

Метки: аналоговой, базы, вычислительной, модели

...блок 2 получает периодически от блока автоматического переключения то Х, то базисное натвряжение, и поэтому на осциллографе 7 измерительного устройства кроме обычно имеющихся кривой Х и нулевой линии (см. фиг. 2,а) появляется третья линия база (см. фиг. 2,б).Работа устройства заключается в следующем.В момент включения блока 1 на искомую функцию Х на экране осциллографа 7 появляется кривая Х и задержавшееся изображение нулевой линии. После поступления соответствующего импульса, периодизации вход измерительного блока 2 переключают с функции Х на базисное напряжение. Так как периодизация происходит достаточно быстро (не менее 20 - 25 раз в секунду) на экране осциллографа наблюдают одновременно искомую функцию Х, нулевую линию и линию...

Номер патента: 920584

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Абрамович, Либер, Сакович

МПК: G01R 31/26

Метки: испытания, силовых, транзисторов

...напряжениц а катод - к его положительному полюсу 7. Общие точки 8 и 9 каждой пары диодов подключены к точкам соединения эмиттеров и коллекторов 10 и 11 пар соединенных последонательно .,испытываемых транзисторов 12, 13 и 14, 15. Цепи база-эмиттер транзисторов соединены с блоком 16 управления.Между положительным полюсом 17 первого источника 18 низкого напряжения и отрицательным полюсом 19 второго источника 20 низкого напряжения включены пары испытываемых транзисторов. Отрицательный полюс 21 источника 18 соединен с положительным полюсом 7 источника б, а его отрицательный полюс 5 - с положительным польсом 22 источника 20.Источники низкого напряжения и источник испытательного напряжения выполнены по схеме, содержащей питаю щий...

Номер патента: 928557

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Афанасенко, Назаров, Самылов, Солодовников

МПК: H02M 1/08

Метки: силовым, транзистором

...поясняяеременнйми диаграммами напряжений(фиг. 2).В режиме открывания напряжениеоткрывающего .источника 1, имеющееформу однополярных прямоугольных импульсов переменной длительности (диаграмма О ) посредством трансформаторов 5 преобразуется в два напряжения, одно из которых, появляющеесяна вторичной обмотке 17 трансформатора 5 (диаграмма 3 ) прикладываетсячерез резистор 15 к переходу базаэмиттер транзистора 13 и открываетэтот транзистор в момент действияимпульса на выходе открывающего источника 1. Другое напряжение, появляющееся на вторичной обмотке 7 (диаграмма 2 ) через последовательнуюцепь, составленную из транЗистора 3513 и диода 11 прикладывается к выходным клеммам 9 и 10 (положительныеимпульсы на диаграмме Ж), Диод...

Номер патента: 943979

Опубликовано: 15.07.1982

Автор: Коровин

МПК: H02H 7/12

Метки: защиты, перегрузок, силового, транзистора

...или короткого замыкания транзистор 1 переходит в насыщенное состояние, напряжение на его коллекторе, а следовательно, и на входе интегратора 10, имеет малук величину, Вследствие наличия резистора 16 в цепи обратной связи усилителя 14 выходное напряжение интегратора 10 не превышает псрога срабатывания органа 11, и на червоь входе элемента 12 сохраняется высокий потенциал, разрешающий прохождение сигнала управления на выходэлемента 12. Если ток нагрузки непревышает допустимого значения,сумма напряжений на датчике 2 и смещенном в прямом направлении током,протекающим через резистор 7, диоде 6 меньше суммы выходного напряжения источника 8 и порогового входного напряжения база-эмиттер транзистора 5, поэтому транзистор 5 заперт и невлияет на...