Мультивибратор на эквиваленте двухбазового диода мостового типа

ОПИСАНИЕ ИЗОЕ 1 Е ЕНИЯ Союз Советскиз Социалистическил РеспубликГ":Гс; Зависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 22.И 1.1966 ( 1091091/26-9)с присоединением заявки36/02 ч, 21 МПК Н ОЗЙ тет ри Квинтет по лелем изобретений и открытий при Совете Министров СССРОпубликовано 29.Х 11.1967.Дата опубликования описа юллетенья 1.111.1968 Авторизобретени Э,в.пу иков аявите МУЛЬТИВИБРАТОР НА ЭКВИВАЛЕНТЕ ДВУХБАЗОВОГО ДИОДА МОСТОВОГО ТИПА10 15 20 Известны мультивибраторы на эквиваленте двухбазового диода мостового типа, содержащие два транзистора разного типа проводимости.Недостатком этих устройств является ограничение повышения частоты генерации и влияние колебаний напряжения питания на частоту следования импульсов.Предлагаемый мультивибратор на эквива. ленте двухбазового диода мостового типа, содержащий два транзистора разного типа проводимости, у каждого из которых база соединена с коллектором другого транзистора, отличается от известных тем, что эмиттеры транзисторов, включенных в диагонали мостов, подключены между сопротивлением и емкостью управляющих КС-цепочек двух плеч мостов, соединенных с источником питания, а цепи соединения коллекторов и баз транзисторов разного типа проводимости подключены к общей точке последовательно соединенных сопротивлений двух других плеч мостов, соединенных с источником питания.Предложенное устройство позволяет повысить частоту генерации и уменьшить зависимость частоты следования импульсов от изменения напряжения питания,На чертеже изображена принципиальнаясхема пред,ложенного устройства, содержащего два моста, первый из которых состоит из 2сопротивлений 1, 2, 3 и конденсатора 4, в диагональ которого включен базово-эмиттерный переход транзистора 5, а второй мост состоит из сопротивлений б, 7, 8 и конденсатора 9, в диагональ которого включен базово-эмиттерный переход транзистора 10.Работа устройства происходит следующим образом.В результате разброса параметров и напряжений в средних точках делителей напряжения, состоящих из сопротивлений 2 т и б, 7, отпирание транзисторов 5 и (О будет происходить неодновременно.Поэтому период повторения импульсов будет определяться при одинаковых уровнях заряда конденсаторов 4 и 9 максимальной постоянной времени, так как транзистор, открывшийся ранее, не вызовет регенеративного процесса в связи с тем, что второй транзистор будет заперт и цепь положительной обратной связи будет разомкнута. В момент отпирания второго транзистора возникает регенеративный процесс включения эквивалента двухбазового диода, в конце которого оба транзистора 5 и 10 полностью открываются и входят в насыщение. В течение импульса транзисторы 5 и 10 находятся в насыщенном состоянии, а конденсаторы 4 и 9 разряжаются. Когда ток разряда конденсаторов 4 и 9 перестает обеспечивать удержание транзисторов 5 и 10 в207974 Составитель С. МаценкоРедактор Е. Л, Хаскелис Техред Л, Я. Бриккер Корректоры: А, П, Татаринцеваи М П Ромашова Заказ 186/6 Тираж 530 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4 Типография, пр. Сапунова, д. 2 состоянии насыщения, возникает обратный регенеративный процесс, в конце которого транзисторы 5 и 10 оказываются полностью запертыми и конденсаторы 4 и 9 начинают заряжаться. В дальнейшем процесс повторяется периодически. Улучшение частотных свойств (повышение максимальной частоты генерации) по сравнению с известными мостовыми мультивибраторами на эквиваленте двухбазового диода достигается за счет того, что потенциалы на эмиттерах обоих транзисторов 5 и 10 стремятся уравняться и, вследствие этого напряжение на переходах эмиттер - база стремится к нулю, автоматически создавая условия, обусловливающие выход транзисторов 5 и 10 из насыщения и возникновение обратного регенеративного процесса, тогда как в известном мостовом мультивибраторе на эквиваленте двухбазового диода для обеспечения выхода транзисторов из насыщения необходимо, чтобы зарядное сопротивление управляющей КС-цепочки было в несколько раз больше того сопротивления в делителе напряжения, которое подключено к минусу источника питания. 5 Предмет изобретенияМультивибратор на эквиваленте двухбазового диода мостового типа, содержащий два транзистора разного типа проводимости, у каждого из которых база соединена с коллектором другого транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения частоты генерации и стабильности работы устройства при изменении напряжения питания, эмиттеры транзисторов, включенных в диагонали мостов, подключены между сопротивлением и емкостью управляющих КС-цепочек двух плеч мостов, соединенных с источником питания, а цепи соединения коллекторов и баз транзисторов разного типа проводимости под ключены к общей точке последовательно соединенных сопротивлений двух других плеч мостов, соединенных с источником питания,