Способ измерения параметров вольтамперной характеристики туннельного диода

Номер патента: 151724

Автор: Сидоров

ZIP архив

Текст

Класс 6 01 г; 21 е,36 ю 1,СССР ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯАВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подппсн па .9 А, С. Сидоров ПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ВОЛЪТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТУННЕЛЪНОГО ДИОДА1962 г. за762727/26-10открытий при Совете Министров СССР Заявлено 2 феврал делам изобретений 3 Комитет публиковано в Бюллетене изобретений22 за 1962 г,Известны способы построения вольт-амперной характеристики полупроводникового триода, имеющего область отрицательного сопротивления и включенного в режиме диода, а также разбраковки туннельных диодов по экстремальным параметрам,В большинстве импульсных применений форма вольт-амперной характеристики туннельного диода не играет существенной воли. Важны основные параметры характеристики: координаты макси;иума (с 1 11), координаты минимума 1 12) и напряжение (1 з на диффузионной ветви характеристик, при котором ток диода равен току 1 максимума. По этим параметрам отечественнь 1 е заводы, а также фирмы США, Японии, Англии производят разбраковку туннельных диодов, Однако точно измерить указанные параметры, особенно напряжения Ь, и Р, трудно в связи со слабым изменением тока вблизи экстремумов (особенно максимума).Предлагаемый способ отличается тем, что для увеличения точности измерения напряжения максимума и минимума определяются как границы области самовозбуждения туннельного диода.На фиг. 1 изображена вольт-амперная характеристика туннельного диода; на фиг, 2 - эквивалентная схема туннельного диода в области отрицательного сопротивления; на фиг. 3 - схема измерения параметров вольт-амперной характеристики туннельного диода по предлагаемому способу.Способ основан на использовании свойства самого диода генерировать в области отрицательного сопротивления, границы которого определяют экстремальные напряжения туннельного диода.Условием самовозбуждения диода 1 в области отрицательного сопротивления при данном напряжении Ую (У,( Ую( с 12) является неравенство 1(Я,.+Р) о (с 1 ю) Сю, где р (11 ю) - дифференциальное отрицательное сопротивление в заданной точке характеристики; С - емкость151724перехода; Е - индуктивность вводов и корпуса диода; Й, - сопротивление вводов и обьемное сопротивление диода; Я - сопротивление источника, задающего напряжение питания.С увеличением индуктивности 1., например, за счет включения последовательно внешней индуктивности 2 границы области самовозбуждения расширяются, приближаясь к точкам максимума (У 1) и минимума 1, 1), Так, например, уже при индуктивности в 1 - 2 мгн максимальное напряжение на диоде 1, при котором происходит самовозбуждение, отличается от напряжения минимума не более чем на 2 яв, а минимальное- - от напряжения максимума не более чем на 1,2 яка, т. е. погрешность измерения равна -0,8%. Эти данные относятся к германиевому диоду с током 1 = 1 ма и емкостью С = 100 пф, Для диодов с большими токами точность измерений выше.При увеличении напряжения на диоде 1 до границы самовозбуждения, определяемого по вольтметру 3 переменного тока, достигается значение напряжения Ь, максимума. При уменьшении напряжения на диоде 1 (опускание вниз по диффузионной ветви) до границы самовозбуждения получается напряжение У.Экстремальные токи 1, и 1 определяются однозначно как функции известных параметров Г, и О. Напряжение Уз определяется однозначно для данного значения тока 1, максимума диода, Таким образом, точное измерение двух параметров туннельного диода (напряжения С максимума и напряжения 0 минимума) позволяет повысить точность измерения трех других параметров характеристики (Уз, 1, и 1 р),Предмет изобретенияСпособ измерения параметров вольт-амперной характеристики туннельного диода, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения точности измерения, напряжения максимума и минимума определяются как границы области самовозбуждения туннельного диода,151724 оставитель оппсания Ю. И. Тесн дактор Н. Л, Корченко Техред А. А. Камышннкова Корректор И. А. Шпын изобрЦен овете26,Типография ЦБТИ, Москва, Петрония, И Подн. к печ. 22.Х 1-62 г.Рак. 11016ЦБТИ Комитета по делаМоск рмат бум. 70 Х 108(иТираж 1150ений и открытий приМ. Черкасский пер.,бъем 0,26 нзд. л,Цена 4 коп. ннстров СССР

Смотреть

Заявка

762727, 02.02.1962

Сидоров А. С

МПК / Метки

МПК: G01R 31/26

Метки: вольтамперной, диода, параметров, туннельного, характеристики

Опубликовано: 01.01.1962

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-151724-sposob-izmereniya-parametrov-voltampernojj-kharakteristiki-tunnelnogo-dioda.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения параметров вольтамперной характеристики туннельного диода</a>

Похожие патенты