Способ градуировки дефектоскопа приповерхностных расслоений в изделиях из диэлектриков

.15 ЗМЯ"Ч" САНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ У СВИДЕТЕЛЬСТВУ ВТ Р тут йм. Г,В. я.жнов, в ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМГ 1 РИ ГКНТ СССР(56) Применение радиоинтроскопии в промышленности, М.: Изд, ЦНИИТЭИ приборостроения, 1967, с. 84,Колодий Б.ИЛящук О,Б, Численное решение прямых задач электромагнитной рефлектометрии плоскослоистыхдиэлектриков, Львов, ФМИ, 1988. с. 29) СПОСОБ ГРАДУИРОВКИ ДЕФЕКТОКОПА ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ РАСИзобретение относится к контрольноизмерительной технике и может быть использовано для создания дефектоскопов электромагнитного контроля толщины и местоположения приповерхностных дефектов в виде плоских расслоений е композиционных диэлектрических материалах.Известен способ градуировки дефектоскопа глубины залегания де,секта в изделиях из диэлектриков, заключающийся в том, что от одного или двух излучателей СВЧ-колебания направляются по нормали к поверхности объекта контроля, после взаимодействия с ним фиксируют отраженный сигнал и по изменению сигнала судят о наличии дефекта и глубине его залеганиИзвестный способ. позволяя наде обнаруживать различны гипы дефекто СЛОЕНИЙ В ИЗДЕЛИЯХ ИЗ ДИЭЛЕКТРИКОВ(57) Использование; изобретение относится к контрольно-измерительной технике применительно к дефектометрии композиционных диэлектрических материалов. Сущность изобретения; на пути плоских электромагнитных волн к бездефектному образцу устанавливают на подпорках пластины различной толщины, изготовленные, как и подпорки, из того же материала, что и бездефектный образец, Изменяя толщину пластин и используя подпорки различной высоты, получают однозначные зависимости в виде эталонных годографов коэффициента отражения от толщины и местоположения приповерхностных расслоений. 2 ил,том числе наиболее опасные для полимер- но-композиционных материалов - расслоения, не позволяет одновременно определять их местоположение - глубину залегания и толщину расслоения,Данный способ наиболее близок к предлагаемому и принимается за прототип.Цель изобретения - упрощение градуировки дефектоскопа толщины и глубины местоположения приповерхностных расслоений.Поставленная цель достигается тем, что в способе градуировки дефектоскопа приповерхностных расслоений в изделиях иэ диэлектриков, заключающемся в облучении эталонного образца электромагнитной волной, измерении коэффициента отражвния и определении зависимости коэффициентаотражения от глубины залегания и толщины расслоения, в качестве эталонного образца используют бездефектный образец, на поверхности которого установлены пластины различной толщины на подпорках, которые изготовлены из того же материала, что и бездефектный образец, а зависимость коэффициента отражения от глубины залегания и толщины расслоения определяют путем облучения пластин различной толщины и изменения высоты подпорок соответственно,На фиг. 1 и 2 показаны схема одного из вариантов устройства, реализующего предложенный способ и пример годографов для типичного обьекта контроля.Устройство состоит из генератора СВЧ- колебаний 1, узла 2 разделения излучаемого и принимаемого сигналов, приемно-излучающей антенны 3, диэлектрической линзы 4, пластин 5 различной толщины, подпорок б, бездефектного образца 7, диэлектрической подложки 8, блока 9 регистрации. Электромагнитные волны СВЧ-диапазона из генератора 1 направляют в узел 2 разделения излучаемого и принимаемого сигналов и далее к приемно-излучающей антенне 3, в раскрыве которой располокена линза 4, трансформирующая их в плоский фронт, Далее волны попадают на пластины 5, расположенные на подпорках 6 фиксированной высоты б, Перемещая пластины различной толщины на пути волн, можно получать различную глубину местоположения расслоения и, Отраженные от системы; пластины 5, воздушное пространство, бездефектный образец 7 и подлокка 8 электромагнитные волны поступают в антенну 3 через линзу 4 и далее на узел 2 разделения, после чего происходит их регистрация в блоке 9,В качестве иллюстрации на фиг. 2 представлены годографы комплексного коэффициента отражения Ч (йе/ и 1 гпЧ - егодействительная и мнимая составляющие)5 при перпендикулярном зондировании плоской электромагнитной волной частоты 40ГГц диэлектрической пластины толщинойв бездефектном состоянии 2 см, расположенной на толстой диэлектрической под 10 ложке. Относительные диэлектрическиепроницаемости и тангенсы угла потерь пластины и подложки имеют следующие значения: я = 4; ег = 5; цдка = 0,02; т 9 д 2 = 0,5.Приповерхностные расслоения толщи 15 ной б залегают в пластине на глубинах и,изменяющихсяот 0,25 до 2,25 мм, Полученные годографы, а также годографы для других случае показывают, что дляприповерхностных тонких расслоений мож 20 .но получать однозначную информацию бглубине расположения и толщине расслоений,Формула изобретен ияСпособ градуировки дефектоскопа при 25 поверхностных расслоений в изделиях издиэлектриков, заключающийся в облученииэталонного образца электромагнитной волной, изменении коэффициента отражения иопределении зависимости коэффициента30 отражения от глубины залегания и толщинырасслоения, отличающийся тем,что,с целью упрощения способа, в качестве эталонного образца используют бездефектныйобразец, на поверхности которого установ 35 лены пластины. различной толщины на подпорках, которые изготовлены из того жематериала, что и беэдефектный образец, азависимость коэффициента отражения от.глубины залегания и толщины расслоения40 определяют путем облучения пластин различной толщины и изменения высоты подпорок соответственно,.1 714237 Составитель О,Лящукедактор, Техред М,Моргентал Коррек ус Госуд Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 10 аэ 3923ВНИИ Тираж По енного комитета по изобретениям 13035, Москва, Ж, Раушская наб сноеткрытиям при ГКНТ СССР