Способ обнаружения металлических включений в широкозонных полупроводниках и диэлектриках

Номер патента: 326516

Автор: Барщевский

ZIP архив

Текст

3265 6 Сова Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельствааявлено 05,111,1970 ( 1411379/26-2присоединением заявки01 г 19/О Приоритет Комитет оа делам обретений и открытий ри Совете Яинистров СССРбликовано 191972. Бюллетеньа опубликования описания 15.111.19 УДК 621.382(088,8) втор обретени Б ск вите СПОСОБ ОБНАРУЖЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ВКЛЮЧЕНИИШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ И ДИЭЛЕКТРИКАХ 1 редмет изобретени Способ обий в широлектриках ружения металлических включезонных полупроводниках и диспользованием образца с конИзобретение относится к способам определения макрочастиц металла в диэлектриках и широкозонных полупроводниках.Спектральным эмиссионным анализом мож- . но определять наличие малых количеств металла в средах, но этим способом нельзя определить фазу (состояние) металла.Предложенный способ дает возможность обнаружить макрочастицы металла в окружающей среде (полупроводниках, диэлектриках) 10 по фотоэлектрической спектральной характеристике с экспериментально определенной длинноволновой границей фотоэффекта от частиц металла в данную среду.Наличие или отсутствие частиц металла в 15 исследуемом материале влияет как па форму частной характеристики фототока, так и на величину последнего,При обнаружении металлических включений предложенным способом необходимо, чтобы 20 работа вырывания электрона из металла в окружающую среду была меньше энергетической ширины запрещенной зоны. Эта работа тем меньше, чем больше диэлектрическая проницаемость среды. 25Полученные экспериментально величины фототока, рассчитанные на единицу падающей энергии, наносят на график в прямоугольной системе координат. По горизонтальной оси отклаДывают значениЯ Ь - 6 о в электРон вольтах или других энергетических единицах ( - частота света, большая граничной частоты ъо). По вертикальной оси откладывают величину фототока, соответствующую значениям йъ - Ьо в выбранных единицах. Затем по формуле теории фотоэмиссии из металла в диэлектрик подсчитывают величину фототока с учетом диэлектрической прошщаемости среды (диэлектрпческая проницаемость е=тг 2, где и - показатель преломления для красной или инфракраснои части спектра).Теоретические величины фототоков сопоставляются с экспериментальными величинами для одинаковых световых частот т; для какого-либо одного из значений Ь ( - чо) теоретическую и экспериментальную величины фото- тока приводят к одному значению (совмещают), а остальные величины фототоков сопоставляются в долях условно выбранного значения фототока.Совпадение экспериментальных и теоретических величин фототоков указывает на то, что фотоэффект происходит с частиц металла в окружающий фотополупроводник.326516 Составитель А. Кот Корректор Т. Миронова Техред Л. Куклина Редактор Т. Орловская Заказ 514/1 Изд. М 112 Тираж 448 Подписное ЦН 11111111 Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж-З 5, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 тактами, отличающийся тем, что, с целью обнаружения макрочастиц металла, образец облучают электромагнитным излучением, прозрачным для исследуемого материала, и по частотной зависимости фототока судят о наличии таких включений.

Смотреть

Заявка

1411379

Б. У. Барщевский

МПК / Метки

МПК: G01N 27/00

Метки: включений, диэлектриках, металлических, обнаружения, полупроводниках, широкозонных

Опубликовано: 01.01.1972

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-326516-sposob-obnaruzheniya-metallicheskikh-vklyuchenijj-v-shirokozonnykh-poluprovodnikakh-i-diehlektrikakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ обнаружения металлических включений в широкозонных полупроводниках и диэлектриках</a>

Похожие патенты