Патенты с меткой «облучении»

Номер патента: 84477

Опубликовано: 01.01.1950

Авторы: Городов, Черкинский

МПК: F26B 23/02, F26B 3/30

Метки: газового, инфракрасными, керамический, лучами, нагрева, облучении, экран

...а также предохранить сушимый материал от вредного воздействия продуктов горения.Экран имеет ту особенность, что, с целью улучшения процесса его нагрева, применен керамический отражатель, который при сборке экрана образует со сферическим блоком канал для сгорания газа и выхода продуктов горения тангенциально к сфере блока.На чертеже изображен поперечный разрез экрана.Керамический экран состоит из двух блоков 1 и 2, образующих при сборке канал 3, в котором и происходит процесс горения. Блок 1 выполнен в виде вогнутой сферической поверхности, к которой тангенциальио подходит канал 3, а блок 2 - в виде отражателя, направляющего пламя и продукты горения равномерно по всей сферической поверхности экрана,Благодаря тангенциальному расположению...

Номер патента: 127990

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Городов, Черкинский

МПК: D06C 9/00

Метки: газового, инфракрасными, керамический, лучами, нагрева, облучении, экран

...Для того чтобы пламя це попадазо внутрь горелки у щели для выхода газовоздушцой смеси применяется УСТРойСТВО ДЛЯ ВОДЯЬ 10 ГО ОХЛ 2)КДЕЦПЯ, ЧТО УС 1 ОЖЦЯСТ ИДОРОЖаЕТ ОЦ- струкцию горелки.1(ерамический экран, согласно описываемому цзобретсцшо, представляет собой усовершенствование экрана по авт. св. ЛЪ 8 ь-ь 77. Для использования его при опаливациц тканей без прцмснс 11 ця водяного охлаждения, ьасадка для выхода горючей смеси имеет цесколько ряди отверстии малОГО диаметра, распогОькеыных В ьыаю 12 тцоъ Порядке,На чертеже изобраькец поперсчцый разрез кс 11 аъ 11 чсскОГО экраца.Смесь газа с необходимым для горения количеством воздуха поступает внутрь газораспределительцой коробки 1 горелки ц выход 1 гг через несколько рядов отверстий 2,...

Номер патента: 600908

Опубликовано: 15.02.1980

Авторы: Вайнер, Труханов

МПК: G01R 33/00

Метки: величины, диэлектриком, излучением, ионизирующем, накопленной, неразрушающего, облучении, поля, стабильности, электрического, энергии

...материала диэлектрикадля повышения его проводимости,В там случае, когда некоторая цдоля излучения. проникает через образец или рассеивается им, величинуобщей поглощенной энергии определяюткак сумму энергий,. поглощенных в об"разце и в дополнительном абсорбере,окружающем образец,На чертеже изображена одна извозможных схем измерения.Процесс измерения состоит в следующем.Измеряют (илй теоретическим рассчитывают по известным параметрампучка и образца) величину тепловыделения Цдля случая, когда поле создается. Для этого, например, измеряют тепловыделение в начальный момент Я времени при перенесенной плотности заряда с не более 10 -10 Кл/см клк же измеряют тепловыделение на проводящем аналоге образца, полученном, например, легированием...

Номер патента: 908149

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Козлов, Рожков, Хазан

МПК: G01N 27/62

Метки: атомов, внедряемых, недиффундирующих, облучении, распределения, распыляющем, твердые, тела, функции

...атомов в образец и второе для проведения послойного анализа. В следствие этого принятый за прототип способ является весьма трудоемким и требует для своего выполнения значительных затрат времени.Целью изобретения является упрощение и повышение экспрессности способа определения функции распределения недиффундирующих атомов, внедряемых при распыляющем облучении.Поставленная цель достигается тем, что в известном способе определения функции распределения недиффундирующих атомов внедряемых в твердые тела при распыляющем облучении с помощью метода ИСВИ включающего внедрение в образец атомов, функцию распределения которых необходимо определить, измеряют временную зависимость обратного потока вторичныхионов этих атомов 3(й) до его...

Номер патента: 1429064

Опубликовано: 07.10.1988

Авторы: Боев, Суржиков

МПК: G01R 29/24

Метки: диэлектриках, заряда, заряженными, кинетики, накопления, облучении, объемного, частицами

...1,(С) Б) (О,С)Е(О,С)+БЕ,Е ).Ю. -(1) 1 с(С) БС (Ь,С)Е(Ь,С)+БЕ Я - Ф(3) 40(Ь, С) 11 ш(Ь, С);х - Ь хсЬ(х,С) - удельная объемная электрическая проводимостьдиэлектрика.В процессе накопления заряда ток проводимости в необлучаемой части об" разца существенно меньше абсорбционного тока, т.е.(Ь,й)Е(Ь,С) сс 50 Сс СОС ЙЕ (Ь, С) /Й. Прн РЕШЕНИИ ураВНЕ" ний (2) и (3) получаем 01) .1 (С )ЙС-ехр 2с"РЕ,Е д( О(6) гдеО,С)=1 з.ш(х,с);х-ьОх)0 О(С) " БГ ЕЕ(Ь,С) - Е(О,С), (1) величина объемного разрядав диэлектрике;площадь сечения потока заряженных частиц (площадь поверхности образца, через которую инжектируются заряженные частицы);электрическая постоянная;диэлектрическая проницае-.мость диэлектрика;время; 1Е(О, ) =ех - , - ( ) й 1, ( )О Охехр (е )йс й; (4)...

Номер патента: 1662587

Опубликовано: 15.07.1991

Автор: Астрахан

МПК: A61N 5/10

Метки: биологического, дозного, облучении, объекта, поля, формирования

...излучения и формирующих семь отдельных горизонтальных элементарных пучков (сечением 15 мм по вертикали и 15-40 мм по горизонтали), которыми облучают мишень на соответствующих данных элементарным пучкам горизонтал ьн ых уровнях, В ы сота (размер по вертикали) закрытых участков раствора равна высоте открытых ячеек (т.е; 15 мм). Открытые участки (ячейки) перемещают по горизонтали в плоскости, перпендикулярной пучку, одновременно и независимо друг от друга. Траектория перемещения каждой открытой ячейки составляет одну горизонтальную строку растра и равна 100 мм. На пути каждого элементарного пучка размещена секция плоскопараллельного тормозителя переменной толщины, которая1662587 Составитель А. ПецкоТехред М.Моргентал Корректор О, Кравцова...

Номер патента: 1735777

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Бушнева, Цветкова, Цокур

МПК: G01N 33/49

Метки: мембран, нарушения, облучении, рентгеновском, целостности, эритроцитов

...неорганического фосфата проводят по общепринятому методу с помощью раствора молибдата аммония и хлористого олова, Окраска развивается при комнатной ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(57) Испол ьз гематология роциты посл мы Вдют и среде, содер 50 мМ трисАТФазы и 2 трис-НС пр нуклеотидаз лить повре сутки после испол ьзуютс работанны,е 35777 АЗаказ 1813 Тираж ВНИИПИ Государственного ко 113035, МоПодписноеитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССква, Ж, Раушская наб., 4/5 роизводственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина 101температуре через 20 мин и в дальнейшем не изменяется.Активность ферментов, локализованных на наружной мембране через 3 ч после облучения, резко увеличивается и...

Номер патента: 1739986

Опубликовано: 15.06.1992

Автор: Пульков

МПК: A61D 3/00

Метки: животных, лабораторных, локальном, мелких, облучении, фиксации

...участков тела крепятся к каме. ре этими же кольцами.На фиг 1 изображено устройство; видсбоку; на фиг.2 - разрез А-А на Фиг.1; нафиг.3 - устройство, вид сверху; на фиг.4 -ограничительная. перегородка; на фиг.5 -зажим-прищепка,Устройство имеет камеру 1 с пазами 2,"в которых размещена ограничительная перегородка 3, Сверху камера закрыта решеткой 4, В нижней части камеры выполненыпазы 5, соединяющиеся с пазами 2 для установления в них боковых выступов 6 перегородкии 3. В ы ступы препятствуют перемещению перегородки 3 вверх, Кроме того, в нижней части камеры имеются вырезы 7 и 8 соответственно для пропуска пере.дних и задних конечностей и хвоста. В 5 стенках формы выполнены дополнительныеотверстия 9 для воэдухо- и теплообмена,...

Номер патента: 1748835

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Галышевский, Матях, Узбек

МПК: A61N 5/06

Метки: биообъекта, облучении, потока, светового, формирования

...4 с красным отражающим слоем 2, которая жестко крепится тягами 3, размещенными радиально, к кромке окружности рефлектора 4, расположенного вокруг линзы 1 и жестко закрепленного на общем каркасе 5. К основанию каркаса 5 возможно подключение светопроводника 6, служащего для передачи излучений к месту назначения,Устройство работает следующим образом.Устройство устанавливается на ладонь оператора, обладающего активным биополем со стороны меньшего диаметра рефлектора 4. Инфракрасное излучение ладони оператора попадают на коническую зеркальную линзу 1 и отражаются на поверхность рефлектора 4. Рефлектор 4 фокусирует излучения на основание каркаса 5. Далее сфокусированное инфракрасное излучение по светопроводнику 6 поступает к месту...

Номер патента: 1793316

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Баранов, Волобуев, Лавейкин, Набойченко

МПК: G01N 3/18

Метки: испытаний, облучении, образцов, ползучесть

...образца было бы затруднено ли исключено.Термостатирование контрольного обазца при температуре испытаний исследуемого образна также позволяет повысить т чность способа, так как в одинаковых темературных условиях конкретные особености испытаний (например, трение в узле подвеса) проявляются одинаковым образ м, что способствует получению идентичных зависимостей периодов колебаний от д формаций ползучести для контрольного и испытуемого образцов.Вакуумированием испытауемого и конт ольного образцов перед возбуждениеми свободных колебанлй достигается дополн тельное повышение точности определения деформаций ползучести. Это о условлено тем, что на процесс колебаний о азывает влияние сопротивление среды, з висящее. в частности,...

Номер патента: 1637534

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Гайдуль, Козлов

МПК: G01N 33/48

Метки: исследования, кроветворения, летательном, облучении, системы

...г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 Изобретение относится к медицине и может быть применено при определении полипотентной стволовой кроветворной клетки.Целью изобретения является повыше ние достоверности за счет стабилизации результата подсчета колоний,Способ выполняют следующим образом.Мышей разных линий, например СВА, 10 С 571/6, Ва 1 Ь/с, (СВАхС 57 В 1/6)Р 1, летально облучают и через 2-4 ч вводят им клетки костного мозга, целесообразнее в дозе 10 - 10 . После чего на 3-и сутки, затем на 5-е сутки и на 7-е сутки после введения клеток 15 костного мозга этим мышам вводят цитостатик, действующий на кроветворные клетки. Таким цитостатиком может быть метотрексат, 5-фторурацил, циклофосфан и др. (например, для метотрексата выбрана доза 20 80-100...

Номер патента: 1612761

Опубликовано: 20.08.1999

Автор: Степовик

МПК: G01T 1/02

Метки: излучением, измерений, ионизирующим, облучении, образце, поглощенной, профиля, энергии

1. Устройство для измерений профиля поглощенной энергии в образце материала при облучении ионизирующим излучением импульсного источника наносекундной длительности, содержащее широкополосный пьезопреобразователь с высоким временным разрешением, зашунтированный дифференцирующим сопротивлением, отличающееся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей, оно снабжено твердым акустическим угловым волноводом с отражающей поверхностью и защитным экраном, при этом акустический угловой волновод размещен между защитным экраном и пьезопреобразователем и выполнен в виде призмы из материала, в котором величина механических напряжений при поглощении энергии импульсного ионизирующего...